"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Энергетический спектр и фотолюминесценция структуры GaAs (delta-Sn), выращенной на вицинальной грани
Кадушкин В.И.1, Шангина Е.Л.1
1Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 28 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Синтезирована структура GaAs (delta-Sn) на вицинальной грани GaAs с периодическим потенциалом в плоскости delta-слоя. Измерены спектры фотолюминесценции и осцилляции поперечного магнитосопротивления. Выполнен расчет зонной диаграммы структуры GaAs (delta-Sn).
  1. J.H. Neave, P.J. Dodson, B.A. Joyce, J. Zhang. Appl. Phys. Lett., 47, 100 (1985)
  2. T. Fukui, H. Saito, V. Tokura. Japan J. Appl. Phys., 27, L320 (1988)
  3. В.И. Кадушкин, А.П. Сеничкин. ФТП, 24, 2080 (1990)
  4. R. Notzel, K.H. Ploog. Adv. Mater., 5, 22 (1993)
  5. Ж.И. Алферов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, В.М. Устинов. ФТП, 26, 1715 (1992)
  6. M. Tanaka, J. Motohisha, H. Sakaki. Surf. Sci., 228, 408 (1990)
  7. V.I. Kadushkin, V.A. Kulbachinskii, A.P. Senichkin, A.S. Bugaev, V.G. Kytin, E.L. Shangina, A. de Visser. Phys. Low-Dim. Struct., 1, 53 (1994)
  8. А. де Виссер, В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, А.П. Сеничкин, Е.Л. Шангина. Письма ЖЭТФ, 59, 340 (1994)
  9. В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, Е.В. Богданов, А.П. Сеничкин. ФТП, 28, 1889 (1994)
  10. А.Ф. Кравченко, В.В. Назинцев, А.П. Савченко, А.С. Терехов. ФТТ, 21, 1551 (1979)
  11. В.В. Волцит, А.В. Дражан, В.А. Зуев, М.Т. Иванийчук, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. ФТП, 12, 2036 (1978)
  12. W. Schairer, D. Bimberg, W. Kotteler, K. Cho, M. Schmidt. Phys. Rev. B, 13, 3452 (1976)
  13. А.Я. Шмик. ФТП, 26, 1161 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.