По спектрам экситонного отражения, полученным в поляризованном свете при T=2 K, исследован структурный переход, происходящий в кристаллах полупроводниковых твердых растворов Zn_xCd_1-xSe при изменении состава. При x<0.5 кристаллы имеют гексагональную структуру вюрцита, а при x>0.7 - кубическую структуру цинковой обманки. В области 0.5<x<0.7 за счет образования дефектов упаковки происходит плавный переход между этими структурами, сопровождаемый плавным уменьшением величины расщепления валентных подзон в кристаллическом поле. Предложена модель, описывающая концентрационное смещение положения экситонных переходов двух верхних валентных позон, n=1A и n=1B. Установлено, что в области структурного перехода 0.5<x<0.7 наблюдается дополнительное уширение экситонных линий отражения, которое может быть отнесено к проявлению структурного беспорядка.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.