"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Коэффициенты лавинного размножения носителей в p-n-структурах
Холоднов В.А.1
1Государственный научный центр НПО ''Орион'', Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Представлены аналитические выражения для коэффициентов лавинного размножения носителей в p-n-структурах. Рассмотрены наиболее характерные ситуации: ступенчатый (резкий) и плавный (линейный) p-n-переходы и тонкая p+-n(p)-n+-структура (типа p-i-n). Выведены формулы для напряжения лавинного пробоя и показателя степени в соотношении Миллера для зависимости коэффициента размножения носителей от приложенного напряжения. На примере полупроводников Ge, Si, GaAs, GaP, и InSb показано, что полученные аналитические результаты находятся в хорошем количественном согласии с проведенными ранее численными расчетами и экспериментальными данными. Эти результаты позволяют быстро и с хорошей точностью оценивать коэффициенты размножения электронов и дырок при заданном приложенном напряжении.
  1. \it Техника оптической связи. Фотоприемники, под ред. У. Тсанга (М., Мир, 1988)
  2. С.З. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  3. И.В. Грехов, Ю.Н, Сережкин. \it Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  4. Н.Х. Арцис, В.А. Холоднов. Радио и электроника, 29, 151 (1984)
  5. \it Полупроводниковые фотоприемники. Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра, под ред. В.И. Стафеева (М., Радио и связь, 1984)
  6. G.E. Stillman, C.M. Wolf. \it Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N.Y.--San-Francisco--London, Academic Press, 1977) v. 12, p. 291
  7. В. Герлах. Тиристоры (М. Энергоатомиздат, 1985)
  8. S.M. Sze, G. Gibbons. Appl. Phys. Lett., 8, 11 (1966)
  9. В.В. Осипов, В.А. Холоднов. ФТП, 20, 2078 (1987)
  10. В.А. Холоднов. Письма ЖТФ, 14, 1349 (1988)
  11. В.А. Холоднов. Письма ЖТФ, 14, 551 (1988)
  12. A.P. Dmitriev, M.P. Mikhailova, I.N. Yassievich. Phys. St. Sol. (b), 140, 9 (1987)
  13. G.E. Stillman, L.W. Cook, N. Tabatanaie, G.E. Bulman, V.M. Robbins. IEEE Trans. Electron. Dev, ED-30, 364 (1983)
  14. Y. Okuto, C.R. Growell. Sol. St. Electron., 18, 161 (1975)
  15. M.H. Lee, C.M. Sze. Sol. St. Electron., 23, 1007 (1980)
  16. T. Mikawa, S. Kagawa, T. Kaneda, Y. Toyama. Appl. Phys. Lett., 37, 387 (1980)
  17. H. Kressel, G. Kursky. Int. J. Electron., 20, 535 (1966)
  18. S.N. Shabde, C. Yeh. J. Appl. Phys., 41, 4743 (1970)
  19. K.I. Nuttal, M.W. Nield. Int. J. Electron., 37, 295 (1974)
  20. L.W. Cook, G.E. Buiman, G,E. Stilman. Appl. Phys. Lett., 40, 589 (1982)
  21. S.L. Miller. Phys. Rev., 99, 1234 (1955)
  22. R. Leguerre, J. Urgell. Sol. St. Electron., 19, 875 (1976)
  23. S.V. Bogdanov, A.B. Kravchenko, A.F. Plotnicov, V.E. Shubin. Phys. St. Sol. (a), 93, 361 (1986)
  24. Я.Б. Зельдович, А.Д. Мышкис. \it Элементы прикладной математики (М., Наука 1972)
  25. Х. Кейси, М. Пашин. \it Лазеры на гетероструктурах (М. Мир, 1981) т. 2
  26. В.А. Холоднов. Оптический журнал, N 12 (1995)
  27. А.П. Шотов. ЖТФ, 28, 437 (1958)
  28. В.А. Кузьмин, Н.Н. Крюкова, А.С. Кюрегян, Т.Т. Мнацаканов. 9, 735 (1975)
  29. R.D. Baertsch. J. Appl. Phys., 38, 4267 (1967)
  30. В.В. Гаврюшко, О.В. Косогов, В.Д. Лебедев. ФТП, 12, 2351 (1978)
  31. A.P. Dmitriev, M.P. Mikhailova, J.N. Yassievich. Phys. St. Sol. (b), 113, 125 (1982)
  32. А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 17, 875 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.