Вышедшие номера
Коэффициенты лавинного размножения носителей в p-n-структурах
Холоднов В.А.1
1Государственный научный центр НПО ''Орион'', Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Представлены аналитические выражения для коэффициентов лавинного размножения носителей в p-n-структурах. Рассмотрены наиболее характерные ситуации: ступенчатый (резкий) и плавный (линейный) p-n-переходы и тонкая p+-n(p)-n+-структура (типа p-i-n). Выведены формулы для напряжения лавинного пробоя и показателя степени в соотношении Миллера для зависимости коэффициента размножения носителей от приложенного напряжения. На примере полупроводников Ge, Si, GaAs, GaP, и InSb показано, что полученные аналитические результаты находятся в хорошем количественном согласии с проведенными ранее численными расчетами и экспериментальными данными. Эти результаты позволяют быстро и с хорошей точностью оценивать коэффициенты размножения электронов и дырок при заданном приложенном напряжении.