"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Обратимые и необратимые изменения диэлектрических свойств кристаллов ZnSe, вызванные излучением CO 2-лазера
Загоруйко Ю.А.1, Комарь В.К.1, Мигаль В.П.1, Чугай О.Н.1
1Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 10 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Показано, что возникшие в результате лазерного воздействия дефекты структуры и неоднородности, породив электрическое и упругое поля, существенно влияют на характер температурных зависимостей действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости кристаллов ZnSe. Изменение этих зависимостей при термоциклировании характеризует эволюцию внутренних полей.
  1. В.С. Голубев, А.Н. Кокора, В.А. Ульянов. Препринт НИЦТЛ АН СССР 86--14 (Троицк Московской обл., 1986)
  2. Ю.А. Загоруйко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, О.Н. Чугай. Изв. РАН, 57, 180 (1993)
  3. В.П. Мигаль, А.Л. Рвачев, О.Н. Чугай. ФТП, 19, 1517 (1985)
  4. J. Strzalkowski, S. Jozhi, C.R. Crowell. Appl. Phys. Lett., 28, 350 (1976)
  5. Ю.М. Поплавко. Физика диэлектриков (Киев, 1980)
  6. В.П. Мигаль, О.Н. Чугай. Изв. АН СССР. Неорг. матер. вып. 6, 1315 (1991)
  7. А.А. Маненков, Г.А. Матюхин, В.С. Нечитайленко, А.М. Прохоров, А.С. Цаприлов. Квант. электрон., 10, 2426 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.