Вышедшие номера
Обратимые и необратимые изменения диэлектрических свойств кристаллов ZnSe, вызванные излучением CO 2-лазера
Загоруйко Ю.А.1, Комарь В.К.1, Мигаль В.П.1, Чугай О.Н.1
1Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 10 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Показано, что возникшие в результате лазерного воздействия дефекты структуры и неоднородности, породив электрическое и упругое поля, существенно влияют на характер температурных зависимостей действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости кристаллов ZnSe. Изменение этих зависимостей при термоциклировании характеризует эволюцию внутренних полей.