Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Some Aspects to the RHEED Behaviour of LT-GaAs Growth

Nemcsics Akos^1,2

¹Hungarian Academy of Sciences, Research Institute for Technical Physics and Materials Science, P.O. Box 49, Budapest, Hungary
²College of Engineering Budapest, Institute of Microelectronics and Technology, Budapest, Hungary

Поступила в редакцию: 3 марта 2005 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

The RHEED behaviour during MBE growth on GaAs (001) surface under low temperature (LT) growth conditions is examined in this work. The RHEED and its intensity oscillations of LT-GaAs growth have some particular behaviour. The intensity, phase and decay of oscillations depend on the beam equivalent pressure (BEP) ratio and substrate temperature etc. We examine here the intensity dependence of RHEED behaviour on BEP ratio, substrate temperature and the excess of As content in the layer. The change of the decay constant of the RHEED oscillations is also discussed.

M. Missous. Mater. Sci. Eng. B, 44, 304 (1997)
P. Kordos, A. Foster, J. Betko, M. Morvic, J. Novak. Appl. Phys. Lett., 67, 983 (1995)
J. Betko, M. Morvic, J. Novac, A. Foster, P. Kordos. J. Appl. Phys., 86, 6243 (1999)
D.C. Look. Thin Solid Films, 231, 61 (1993)
G.J. Witt. Mater. Sci. Eng. B, 22, 9 (1993)
X. Liu, A. Prasad, J. Nishino, E.R. Weber, Z.L. Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
A. Shuda, N. Otsuka. Surf. Sci., 458, 162 (2000)
R.P. Mirin, J.P. Ibbetson, U.K. Mishra, A. Gossard. Appl. Phys. Lett., 65, 2335 (1994)
M. Missous. J. Appl. Phys., 78, 4467 (1995)
A. Shen, H. Ohno, Y. Horikoshi, S.P. Guo, Y. Ohno, F. Matsukura. Appl. Phys. Surf. Sci., 130--132, 382 (1998)
A. Nemcsics. Phys. Status Solidi A, 155, 427 (1996)
A. Nemcsics. Thin Solid Films, 367, 302 (2000)
A. Nagashima, M. Tazima, A. Nishimura, Y. Takagi, J. Yoshino. Surf. Sci., 514, 350 (2002)
A. Nemcsics. In Quantum Dots: Fundamentals, Applications and Frontiers, ed. by B.A. Joyce, p. 221 (2005) Printed in the Netherlands
P.K. Larsen, J.H. Neave, J.F. van der Veen, P.J. Dobson, B.A. Joyce. Phys. Rev. B, 27, 4966 (1983)
V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201/202, 166 (1999)
A. Adachi. J. Appl. Phys., 53, 8775 (1982)
E. Villaggi, C. Bocchi, N. Armani, G. Carta, G. Rosetto, C. Ferrari. Jpn. J. Appl. Phys., 41, 1000 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель