"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Усиление интенсивности спонтанного излучения эрбия вблизи края фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей на основе a-Si : H/a-SiOx : H
Медведев А.В.1, Феоктистов Н.А.1, Певцов А.Б.1, Голубев В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований спонтанной эмиссии ионов эрбия в спектральной области края нижайшей фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей (одномерных фотонных кристаллов). Фотонные кристаллы состояли из чередующихся четвертьволновых слоев a-Si : H и a-SiOx : H, выращенных методом плазмохимического газофазного осаждения (plasma enhancement chemical vapor deposition). Эрбий вводился в слои a-Si : H магнетронным распылением эрбиевой мишени в процессе роста структуры. Наблюдаемое изменение интенсивности спонтанного излучения обусловлено немонотонным поведением плотности оптических мод вблизи края фотонной зоны.
  1. Р. Лоудон. Квантовая теория света. (М., Мир, 1976). [Пер. с англ.: R. Loudon. The Quantum Theory of Light (Clarendon, Oxford, 1973)]
  2. E.M. Purcell. Phys. Rev., 69, 681 (1946)
  3. E. Yablonovitch. Phys. Rev. Lett., 58, 2059 (1987)
  4. S. John. Phys. Rev. Lett., 58, 2486 (1987)
  5. A. Polman, P. Wiltzius. MRS Bulletin, 26, 608 (2001)
  6. S.Y. Lin, J.G. Fleming, I. El-Kady. Appl. Phys. Lett., 83, 593 (2003)
  7. M. Woldeyohannes, S. John. J. Optics B: Quant. Semiclass. Opt., 5, R43 (2003)
  8. P. Lodahl, A.F. van Driel, I.S. Nikolaev, A. Irman, K. Overgaag, D. Vanmaekelbergh, W. Vos. Nature, 430, 654 (2003)
  9. M.J.A. de Dood, A. Polman, J.G. Fleming. Phys. Rev. B, 67, 115 106 (2003)
  10. C. Weisbuch, H. Benisty, R. Houdre. J. Luminesc., 85, 271 (2000)
  11. M.D. Tocci, M. Scalora, M.J. Bloemer, J.P. Dowling, C. Bowden. Phys. Rev. A, 53, 2799 (1996)
  12. V.I. Kopp, B. Fan, H.K.M. Vithana, A.Z. Genack. Opt. Lett., 23, 1707 (1998)
  13. F. Girgis. Appl. Phys. Lett., 77, 522 (2000)
  14. A. Serpenguzel, S. Tanriseven. Appl. Phys. Lett., 78, 1388 (2000)
  15. E. Ozbay, I. Bulu, K. Aydin, H. Gaglayan, K. Guven. Photonics and Nanostructures --- Fundamentals and Applications, 2, 87 (2004)
  16. A. Polman. J. Appl. Phys., 82, 1 (1997)
  17. A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin. Appl. Phys. Lett., 77, 3009 (2000)
  18. В.Г. Голубев, А.А. Дукин, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Н.А. Феоктистов. ФТП, 35, 1266 (2001)
  19. A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin. Phys. Rev. E, 67, 046 602 (2003)
  20. А. Ярив, П.Юх. Оптические волны в кристаллах (М., Мир, 1987). [Пер. с англ.: A. Yariv, P. Yeh. Optical waves in crystals (N.Y., Wiley, 1984)]
  21. J.M. Bendickson, J. Dowling, M. Scalora. Phys. Rev. E, 53, 4107 (1996)
  22. J.D. Joannopoulos, R.D. Meade, J.N. Winn. Photonic Crystals: Molding the Flow of Light (Princeton University Press, Princeton, NJ, 1995)
  23. В.Г. Голубев, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 41, 153 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.