"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности сегрегационного перераспределения фосфора при термическом окислении сильно легированных слоев кремния
Александров О.В.1, Афонин Н.Н.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 25 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Разработана модель диффузионно-сегрегационного перераспределения фосфора в системе SiO2--Si при термическом окислении сильно легированных слоев кремния, учитывающая образование приповерхностного пика концентрации примеси на межфазной границе. Образование приповерхностного пика концентрации связывается с изменением свободной энергии атомов примеси вблизи поверхности кремния и моделируется с помощью диффузионно-сегрегационного уравнения. Показана адекватность модели для описания перераспределения фосфора при окислении однородно легированных слоев кремния. В случае окисления имплантированных слоев кремния установлено, что коэффициент сегрегации фосфора на межфазной границе SiO2/Si не является постоянным, а зависит от времени таким же образом, как и переходная ускоренная диффузия в кремнии. Явление объясняется реакционным характером сегрегации примесей в процессе термического окисления кремния, при котором избыточные собственные точечные дефекты в имплантированном слое кремния оказывают влияние на процесс окисления и захвата атомов примеси растущим диоксидом кремния.
  1. R.B. Fair. In: Impurity doping processes in silicon, ed. by F.F.Y. Wang. (North-Holland Publising Company, 1981)
  2. О.В. Александров. ФТП, 35, 1289 (2001)
  3. О.В. Александров, Н.В. Ашкинадзе, Р.З. Тумаров. ФТТ, 26, 632 (1984)
  4. S.M. Hu. J. Appl. Phys., 45, 1567 (1974)
  5. R.B. Fair, J.J. Wortman, J. Lin, J. Electrochem. Soc., 131, 2387 (1984)
  6. О.В. Александров, Н.Н. Афонин. Изв. вузов. Физика, N 12, 97 (1990)
  7. N.J. Chou, Y.J. Van Der Meulen, R. Hammer, J. Cahill. Appl. Phys. Lett., 24, 200 (1974)
  8. J.S. Johannessen, W.E. Spicer, J.F. Gibbons, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 48, 4453 (1978)
  9. S.A. Schwarz, R.W. Barton, C.P. Ho, C.R. Helms. J. Electrochem. Soc., 128, 1101 (1981)
  10. О.В. Александров, Н.Н. Афонин, А.П. Коварский. Электрон. техн. Cер. 6, Материалы, вып. 4 (241), 73 (1989)
  11. О.В. Александров, Н.Н. Афонин. ФТП, 30, 1570 (1996)
  12. K. Sakamoto, K. Nishi, F. Ichikawa, S. Ushio. J. Appl. Phys., 61, 1553 (1987)
  13. F. Lau, L. Mader, C. Mazure, Ch. Werner, M. Orlowski. Appl. Phys. A, 49, 671 (1989)
  14. M. Orlowski. Appl. Phys. Lett., 55, 1762 (1989)
  15. C.P. Ho, J.D. Plummer, S.E. Hansen, R.W. Dutton. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-30, 1438 (1983)
  16. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
  17. N. Jeng, S.T. Dunham. J. Appl. Phys., 72, 2049 (1992)
  18. О.В. Александров, Д.С. Федоров. Изв. СПбГЭТУ, вып. 1, 16 (2002)
  19. H.M. You, U. Gosele, T.Y. Tan. J. Appl. Phys., 74, 2461 (1993)
  20. E.A. Taft. J. Electrochem. Soc., 136, 3476 (1989)
  21. А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах (М., Энергоиздат, 1985)
  22. А.А. Самарский. Теория разностных схем (М., Наука, 1983) гл. 3, с. 141
  23. J.Y. Wang, A. Zalar, E.J. Mittemeijer. Appl. Surf. Sci., 222, 171 (2004)
  24. О.В. Александров, Н.Н. Афонин. ЖТФ, 73, 57 (2003).
  25. Y. Sato, K. Imai, N. Yabumoto. J. Electrochem. Soc., 144, 2548 (1997)
  26. P.B. Griffin, S.W. Crowder, J.M. Knight. Appl. Phys. Lett., 67, 482 (1995)
  27. С.М. Репинский. ФТП, 35, 1050 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.