Разработана модель диффузионно-сегрегационного перераспределения фосфора в системе SiO₂-Si при термическом окислении сильно легированных слоев кремния, учитывающая образование приповерхностного пика концентрации примеси на межфазной границе. Образование приповерхностного пика концентрации связывается с изменением свободной энергии атомов примеси вблизи поверхности кремния и моделируется с помощью диффузионно-сегрегационного уравнения. Показана адекватность модели для описания перераспределения фосфора при окислении однородно легированных слоев кремния. В случае окисления имплантированных слоев кремния установлено, что коэффициент сегрегации фосфора на межфазной границе SiO₂/Si не является постоянным, а зависит от времени таким же образом, как и переходная ускоренная диффузия в кремнии. Явление объясняется реакционным характером сегрегации примесей в процессе термического окисления кремния, при котором избыточные собственные точечные дефекты в имплантированном слое кремния оказывают влияние на процесс окисления и захвата атомов примеси растущим диоксидом кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.