"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термодинамическая стабильность и перераспределение зарядов в тройных твердых растворах нитридов элементов III группы
Дейбук В.Г.1, Возный А.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 14 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

В модели дельта-параметра решетки исследована термодинамика твердых растворов AlGaN, InGaN и InAlN. Полученные фазовые диаграммы указывают на стабильность AlxGa1-xN во всем диапазоне концентрации x, в то время как для InxGa1-xN область спинодального распада составляет 0.2<x<0.69, для InxAl1-xN 0.16<x<0.7 при 1000 K. Учет биаксиальных деформаций ведет к понижению критической температуры и сужению области нестабильности. Анализ распределения плотности заряда, проведенный методом псевдопотенциала в приближении 32-атомных суперячеек, показал, что стабильность твердого раствора определяется соотношением дестабилизирующего вклада деформаций, связанных с рассогласованием постоянных решетки, и стабилизирующего обмена зарядом между различными химическими связями. Биаксиальная деформация уменьшает перераспределение заряда, вызванное деформациями, таким образом повышая стабильность твердого раствора.
  1. S. Nakamura. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (London, Taylor \& Francis, 2000)
  2. J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu. Sol. St. Commun., 127, 411 (2003)
  3. S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten. J. Appl. Phys., 87, 965 (2000)
  4. M.J. Paisley, Z. Sitar, J.B. Posthil, R.F. Davis. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 701 (1989)
  5. A. Chen, A. Sher. Semiconductor Alloys: Physics and Material Engineering (N. Y., Plenum Press, 1995)
  6. L.K. Teles, J. Furthmuller, L.M. Scolfaro, J.R. Leite, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 62, 2475 (2000)
  7. T. Ito. Phys. Status Solidi B, 217, R7 (2000)
  8. D. Doppalapudi, S.N. Basu, K.F. Ludwig, T.D. Moustakas. J. Appl. Phys., 84, 1389 (1998)
  9. V.A. Elyukhin, S.A. Nikishin. Semicond. Sci. Technol., 11, 917 (1996)
  10. В.Г. Дейбук. ФТП, 37, 1179 (2003)
  11. I. Akasaki, H. Amano. In: GaN, ed. by J.I. Pankove, T.D. Moustakas (Academic, N. Y., 1998) v. 1, p. 459
  12. A.N. Wistmeyer, S. Mahajan. Phys. Status Solidi B, 228, 161 (2001)
  13. A. Kashner, A. Hoffmann, C. Thomsen, T. Bottcher, S. Einfeldt, D. Hommel. Phys. Status Solidi, A, 179, R4 (2000)
  14. Y.-T. Moon, D.J. Kim, K.-M. Song. Phys. Status Solidi B, 210, 167 (1999)
  15. I. Ho, G.B. Stringfellow. Appl. Phys. Lett., 69, 2701 (1996)
  16. T. Matsuoka. J. Cryst. Growth, 189, 19 (1998)
  17. R. Singh, T.D. Moustakas. First Int. Symp. "Gallium Nitride and Related Materials" [Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (Pittsburgh, PA, 1996)] p. 163
  18. K. Murano, T. Inushima, Y. Ono, T. Shiraishi, S. Ohoya, S. Yasaka. Phys. Status Solidi B, 228, 31 (2001)
  19. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta. J. Cryst. Growth, 195, 309 (1998)
  20. L.K. Teles, L.M.R. Scolfaro, J. Furthmuller, F. Bechstedt, J.R. Leite. Phys. Status Solidi B, 234, 956 (2002)
  21. В.Г. Дейбук, А.В. Возный, М.М. Слетов, А.М. Слетов. ФТП, 36, 420 (2002)
  22. А.В. Возный, В.Г. Дейбук. ФТП, 38, 316 (2004)
  23. J.L. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. B, 30, 6217 (1984)
  24. G.P. Srivastava, J.L. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. B, 31, 2561 (1985)
  25. A. Garcia, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 47, 4215 (1993)
  26. K. Karch, J.-M. Wagner, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 57, 7043 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.