"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение концентрации глубоких уровней в полуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии
Одринский А.П.1
1Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
Поступила в редакцию: 13 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии (PICTS) исследовались глубокие уровни в полуизолирующих монокристаллах CdS, выращенных с варьированием стехиометрического состава. Обнаружен ряд глубоких уровней с энергией термической активации 0.066-0.54 эВ. Обнаружено, что соотношение сигнала в наборе спектров не соответствует базовой модели PICTS. Разработана методика оценки концентрации глубоких уровней в данной ситуации.
  1. Ch. Hurter, M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett., 32, 821 (1978)
  2. G.M. Martin, D. Bois. In: Semiconductor Characterization Techniques, ed. by P.A. Barnes, G.A. Rozgonyi, PV 78-3, p. 32 (The Electrochemical Society, Inc., Princeton, NJ, 1978)
  3. В.П. Кузнецов, Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков, В.А. Фридман, Т.В. Шепекина. ФТП, 19, 735 (1985)
  4. А.П. Одринский. ФТП, 38, 310 (2004)
  5. O. Yoshie, M. Kamihara. Jap. J. Appl. Phys., 22 (4), 621 (1983)
  6. N. Benjelloun, M. Tapiero, J.P. Zielinger, J.C. Launay, F. Marsaud. J. Appl. Phys., 64 (8), 4013 (1988)
  7. A.Blondeel, P. Clauws. J. Appl. Phys., 86 (2), 940 (1999)
  8. S. Gariazzo, A. Serpi. Phys. Rev. B, 41 (11), 7718 (1990)
  9. R. Koz owski, P. Kaminski, E. Nossarzewska-Or owska. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., Section A, 476 (3), 639 (2002)
  10. Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков, Н.С. Рытова, В.И. Райхштейн. ФТП, 20, 1428 (1986)
  11. M. Ayoub, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, R. Regal, C. Rit, F. Klotz, A. Zumbiehli, P. Siffert. Mater. Sci. Engin. B, 83, 173 (2001)
  12. S.R. Blight, H. Thomas. J. Appl. Phys., 65 (1), 215 (1989)
  13. A. Zerrai, G. Marrakohi, G. Bremond. J. Appl. Phys., 87, 4294 (2000)
  14. A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, P. Fernandez, J. Piqueas. Phys. Rev. B, 56, 14 897 (1997)
  15. D. Seghier. J. Phys. D: Appl. Phys., 29, 1071 (1996)
  16. Е.В. Марков, А.А. Давыдов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 11 (10), 1755 (1975)
  17. О.В. Богданкевич, Н.Н. Костин, Е.М. Красавина, И.В. Крюкова, Е.В. Марков, Е.В. Матвиенко, В.А. Теплицкий. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 23 (10), 1618 (1987)
  18. О.Ф. Вывенко, И.А. Давыдов, А.П. Одринский, В.А. Теплицкий. ФТП, 28, 721 (1994)
  19. J.P. Zielinger, M. Tapiero. J. de Physique III France, 3, 1327 (1993)
  20. Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков, Н.С. Рытов, В.И. Райхштейн. ФТП, 20, 1428 (1986)
  21. R. Baubinas, B.P. Kietris, R. Reksnys, A. Sakalas. Phys. Status Solidi A, 50, K63 (1978)
  22. В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  23. Kousuke Ikeda, Yoshikazu Ishii. Jap. J. Appl. Phys., 26, 377 (1987)
  24. J.C. Balland, J.P. Zielinger, M. Tapiro, J.G. Gross, C. Noguet. J. Phys. D: Appl. Phys., 19, 71 (1986)
  25. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман. Физика соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Наука, 1986)
  26. H. Ashour, F. El Akkad. Phys. Status Solidi A, 184 (1), 175 (2001)
  27. М.К. Шейнкман, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.Г. Торчинская. ФТП, 14, 438 (1980)
  28. Ю.И. Эмиров, С.С. Остапенко, М.А. Ризаханов, М.К. Шейнкман. ФТП, 16, 1371 (1982)
  29. A.A. Istratov, O.F. Vyvenko, H. Hleslmair, E.R. Weber. Meas. Sci. Technol., 9, 477 (1998)
  30. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.