Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Определение концентрации глубоких уровней в полуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии
1Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь 
Поступила в редакцию: 13 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.
Методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии (PICTS) исследовались глубокие уровни в полуизолирующих монокристаллах CdS, выращенных с варьированием стехиометрического состава. Обнаружен ряд глубоких уровней с энергией термической активации 0.066-0.54 эВ. Обнаружено, что соотношение сигнала в наборе спектров не соответствует базовой модели PICTS. Разработана методика оценки концентрации глубоких уровней в данной ситуации.
- Ch. Hurter, M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett., 32, 821 (1978)
- G.M. Martin, D. Bois. In: Semiconductor Characterization Techniques, ed. by P.A. Barnes, G.A. Rozgonyi, PV 78-3, p. 32 (The Electrochemical Society, Inc., Princeton, NJ, 1978)
- В.П. Кузнецов, Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков, В.А. Фридман, Т.В. Шепекина. ФТП, 19, 735 (1985)
- А.П. Одринский. ФТП, 38, 310 (2004)
- O. Yoshie, M. Kamihara. Jap. J. Appl. Phys., 22 (4), 621 (1983)
- N. Benjelloun, M. Tapiero, J.P. Zielinger, J.C. Launay, F. Marsaud. J. Appl. Phys., 64 (8), 4013 (1988)
- A.Blondeel, P. Clauws. J. Appl. Phys., 86 (2), 940 (1999)
- S. Gariazzo, A. Serpi. Phys. Rev. B, 41 (11), 7718 (1990)
- R. Koz owski, P. Kaminski, E. Nossarzewska-Or owska. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., Section A, 476 (3), 639 (2002)
- Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков, Н.С. Рытова, В.И. Райхштейн. ФТП, 20, 1428 (1986)
- M. Ayoub, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, R. Regal, C. Rit, F. Klotz, A. Zumbiehli, P. Siffert. Mater. Sci. Engin. B, 83, 173 (2001)
- S.R. Blight, H. Thomas. J. Appl. Phys., 65 (1), 215 (1989)
- A. Zerrai, G. Marrakohi, G. Bremond. J. Appl. Phys., 87, 4294 (2000)
- A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, P. Fernandez, J. Piqueas. Phys. Rev. B, 56, 14 897 (1997)
- D. Seghier. J. Phys. D: Appl. Phys., 29, 1071 (1996)
- Е.В. Марков, А.А. Давыдов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 11 (10), 1755 (1975)
- О.В. Богданкевич, Н.Н. Костин, Е.М. Красавина, И.В. Крюкова, Е.В. Марков, Е.В. Матвиенко, В.А. Теплицкий. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 23 (10), 1618 (1987)
- О.Ф. Вывенко, И.А. Давыдов, А.П. Одринский, В.А. Теплицкий. ФТП, 28, 721 (1994)
- J.P. Zielinger, M. Tapiero. J. de Physique III France, 3, 1327 (1993)
- Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков, Н.С. Рытов, В.И. Райхштейн. ФТП, 20, 1428 (1986)
- R. Baubinas, B.P. Kietris, R. Reksnys, A. Sakalas. Phys. Status Solidi A, 50, K63 (1978)
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
- Kousuke Ikeda, Yoshikazu Ishii. Jap. J. Appl. Phys., 26, 377 (1987)
- J.C. Balland, J.P. Zielinger, M. Tapiro, J.G. Gross, C. Noguet. J. Phys. D: Appl. Phys., 19, 71 (1986)
- А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман. Физика соединений AIIBVI (М., Наука, 1986)
- H. Ashour, F. El Akkad. Phys. Status Solidi A, 184 (1), 175 (2001)
- М.К. Шейнкман, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.Г. Торчинская. ФТП, 14, 438 (1980)
- Ю.И. Эмиров, С.С. Остапенко, М.А. Ризаханов, М.К. Шейнкман. ФТП, 16, 1371 (1982)
- A.A. Istratov, O.F. Vyvenko, H. Hleslmair, E.R. Weber. Meas. Sci. Technol., 9, 477 (1998)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
