Особенности переноса заряда в диодах Шоттки на основе полуизолирующего CdTe
Косяченко Л.А.1, Маслянчук Е.Л.1, Склярчук В.М.1
1Черновицкий национальный университет Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 4 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.
Исследованы электрические характеристики детекторов рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe с диодами Шоттки. Экспериментальные данные получены на диодах Al/p-CdTe с удельным сопротивлением подложки в пределах от 102 до 109 Ом·см (300 K). Полученные результаты интерпретируются в рамках теории генерации-рекомбинации Саа-Нойса-Шокли с учетом особенностей диода Шоттки. Показано, что в случае использования полуизолирующего CdTe наблюдаемые значительные прямые токи обусловлены инжекцией электронов в подложку.
- Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, С.М. Рывкин, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 36, 1146 (1966)
- Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, С.М. Рывкин, Ю.В. Рудь. ФТП, 1, 805 (1967)
- P. Siffert, B. Rabin, H.Y. Tabatabai, R. Stuck. Nucl. Instrum. Meth., 150, 31 (1978)
- A.J. Dabrovski, J. Iwanczyk, W.M. Shymczyk, P. Kokoschinego, J. Stelzhammer. Nucl. Instrum. Meth., 150, 25 (1978)
- T. Takahashi, K. Hirose, C. Matsumoto, K. Takizawa, R. Ohno, T. Ozaki, K. Mori, Y. Tomita. Proc. SPIE, 3446, 29 (1998)
- C. Matsumoto, T. Takahashi, K. Takizawa, R. Ohno, T. Ozaki, K. Mori. IEEE Trans Nucl. Sci., 45, 428 (1998)
- T. Takahashi, B. Paul, K. Hirose, C. Matsumoto, R. Ohno, T. Ozaki, K. Mori, Y. Tomita. Nucl. Instrum. Meth. A, 436, 111 (2000)
- T. Takahasi, S. Watanabe, G. Sato, Y. Okada, S. Kubo, Y. Kuroda, M. Onishi, R. Ohno. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 287 (2001)
- T. Takahasi, S. Watanabe, IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 950 (2001)
- Home page of Amptek Inc.: www.amptek.com
- C. Sah, R. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
- L.A. Kosyachenko, I.M. Rarenko, Z.I. Zakharuk, V.M. Sklyarchuk, Ye.F. Sklyarchuk, I.V. Solonchuk, I.S. Kabanova. Semiconductors, 37, 238 (2003)
- L.A. Kosyachenko, O.L. Maskyanchuk, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Sol. Energy Meter. and Solar Cells, 82 (1/2), 65 (2004)
- D.M. Hofmann, W. Stadler, P. Chrismann, B.K. Meyer. Nucl. Instrum. Meth. A, 380, 117 (1996)
- M. Zha, E. Gombia, F. Bissoli, A. Zappettini, L. Zanotti. Phys. Status Solidi B, 229, 15 (2002)
- M. Fiederle, C. Eiche, M. Salk. J. Cryst. Growth, 146, 142 (1995)
- L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, I.M. Rarenko, V.M. Sklyarchuk. Phys. Status Solidi C, 1, 925 (2004)
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук