Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

4H-SiC p-i-n-диод, полученный совмещением сублимационной и газофазной эпитаксии

Богданова Е.В.¹, Волкова А.А.¹, Черенков А.Е.¹, Лебедев А.А.¹, Каканаков Р.Д.², Колаклиева Л.П.², Саров Г.А.², Чолакова Т.М.², Кириллов А.В.³, Романов Л.П.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт прикладной физики, Пловдив, Болгария
³"Светлана--Электроприбор", Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 25 октября 2004 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

PDF версия

Показана возможность получения сублимационной эпитаксией в вакууме сильно легированных (N_a-N_d>=q 1· 10¹⁹ см^-3) слоев p⁺-4H-SiC на основе выращенных методом CVD слабо легированных слоев n-4H-SiC. Показано, что оптимальным контактом к p-4H-SiC является контакт Au/Pd/Ti/Pd, который совмещает низкое удельное сопротивление (~ 2· 10^-5 Ом·см²) с высокой термической стабильностью (до 700^oC). На основе полученных p-n-структур были изготовлены корпусированные диоды с напряжением пробоя до 1400 В.

А.С. Тагер. Изв. вузов СССР, 22 (10), 6 (1979)
J. Crofton, P.A. Barnes, J.R. Williams. Appl. Phys. Lett., 62, 384 (1993)
Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов. ФТТ, 41 (5), 822 (1999)
N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davidov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng., B61-- 62, 165 (1999)
А.А. Лебедев, А.А. Мальцев, Н.К. Полетаев, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. ФТП, 30, 1805 (1996)
В.А. Соловьев, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 1300 (1998)
D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.G. Matus. Appl. Phys. Lett., 65, 1659, (1994)
X. Li, K.Tone, L. Hui, P. Alexandrov, L. Fursin, J.H. Zhao. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 1375 (2000)
G. Sarov, T. Cholakova, R. Kakanakov. Mater. Sci. Forum, 457-- 460, 1005 (2004)
L. Kassamakova, R. Kakanakov, I. Kassamakov, N. Nordel, S. Savage, B. Hjorvarsson, E. Svedberg, L. Abom, L. Madsen. IEEE Trans. Electr. Dev., 46, 605 (1999)
E.V. Kalinina, G.F. Kholuyanov, A.V. Shchukarev, N.S. Savkina, A.I. Babanin, M.A. Yagovkina, N.I. Kuznetsov. Diamond and Related Materials, 8, 1114, (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель