"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе
Наумова О.В.1, Зайцева Э.Г.1, Фомин Б.И.1, Ильницкий М.А.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Исследована подвижность электронов в режиме обогащения mueff в необедняемых и полностью обедняемых двухзатворных n+-n-n+-транзисторах со слоями кремний-на-изоляторе (КНИ). Предложена замена полевой зависимости подвижности mueff зависимостью от плотности индуцированных носителей заряда Ne для определения диапазона возможных значений подвижности и доминирующих механизмов рассеяния в тонкопленочных структурах. Показано, что зависимости mueff(Ne) могут быть аппроксимированы степенными функциями mueff(Ne) propto Ne-n, где показатель n, как и в полевой зависимости подвижности, определяется механизмом рассеяния носителей заряда. Определены значения показателя n для зависимостей mueff(Ne) при изменении режима пленки КНИ со стороны одной из ее поверхностей от инверсии до обогащения. Дано объяснение полученных результатов с точки зрения перераспределения плотности электронов по толщине пленки КНИ и изменения механизмов рассеяния.
  1. G.K. Celler, S. Cristoloveanu. J. Appl. Phys., 93 (9), 4955 (2003)
  2. R. Kuroda, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi. Jpn. J. Appl. Phys., 47 (4), 2668 (2008)
  3. О.В. Наумова, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, В.П. Попов. ФTП, 41 (1), 104 (2007)
  4. J.-P. Colinge, C.-W. Lee, A. Afzalian, N.D. Akhavan, R. Yan, I. Ferain, P. Razavi, B. O'Neill, A. Blake, M. White, A.-M. Kelleher, B. McCarthy, R. Murphy. Nature Nanotechnology, 5, 225 (2010)
  5. O.V. Naumova, B.I. Fomin, L.N. Safronov, D.A. Nasimov, M.A. Ilnitskii, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 45 (4), 287 (2009)
  6. O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov. Semocond. Sci. Technol., 25, 055 004 (2010)
  7. N. Elfstrom, R. Juhasz, I. Sychugov, T. Engfeldt, A. Eriksson Karlstrom, J. Linnros. Nano Lett., 7 (9), 2608 (2007)
  8. H.K. Lim, J.G. Fossum. IEEE Trans. Electron Dev., 30 (10), 1244 (1983)
  9. J.-P. Colinge. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI, 3-rd edn. (Boston, Kluwer, 2004)
  10. T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre, V. Popov, M. Ilnitsky, V. Lysenko. Semicond. Physics, Quant. Electron. \& Optoelectron., 16 (3), 300 (2013)
  11. В.П. Попов, М.А. Ильницкий, О.В. Наумова, А.Н. Назаров. ФТП, 48 (10), 1348 (2014)
  12. S. Takagi, A. Toriumi, M. Iwase, H. Tango. IEEE Trans. Electron Dev., 41 (12), 2357 (1994)
  13. K. Chen, H. Clement Wann, J. Dunster, P.K. Ko, C. Hu. Solid-State Electron., 39 (10), 1515 (1996)
  14. M. Mastrapasqua, D. Esseni, G.K. Celler, C. Fiegna, L. Selmi, E. Sangiorgi. Microelectron. Eng., 59, 409 (2001)
  15. J. Koga, S. Takagi. IEEE Trans. Electron Dev., 49 (6), 1042 (2002)
  16. A. Ortiz-Conde, F.J. Garcia Sanchez, J.J. Liou, A. Cerdeira, M. Estrada, Y. Yue. Microelectron. Reliab., 42, 583 (2002)
  17. С.М. Зи. Физика полупроводниковых устройств (М., Энергия, 1973)
  18. S. Mudanai, G.L. Chindalore, W.-K. Shih, H. Wang, Q. Ouyang, A.F. Tasch, C.M. Maziar, S.K. Banerjee. IEEE Trans. Electron Dev., 46 (8), 1749 (1999)
  19. Sentaurus Device User Guide. Version E-2010.12 (2010), p. 276
  20. B.A. Гуртов. Твердотельная электроника (М., Техносфера, 2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.