Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 9 » Статья стр. 1243
<<<>>>
Фотолюминесцентные свойства модулированно-легированных структур InxAl1-xAs/InyGa1-yAs/InxAl1-xAs с напряженными нановставками InAs и GaAs в квантовой яме
Галиев Г.Б.1, Васильевский И.С.2, Климов Е.А.1, Клочков А.Н.1, Лаврухин Д.В.1, Пушкарёв С.С.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
PDF версия
Исследованы спектры фотолюминесценции модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми ямами InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащими тонкие напряженные вставки InAs и GaAs. Обнаружено, что введение в квантовую яму парных слоев InAs и (или) переходных барьеров GaAs толщиной 1 нм приводит к изменению формы и энергетического положения спектров фотолюминесценции по сравнению с однородной квантовой ямой In0.53Ga0.47As. Путем моделирования зонной структуры показано, что эти изменения происходят за счет вариации энергий и волновых функций дырок. Показано, что использование вставок InAs приводит к локализации тяжелых дырок в области слоев InAs и понижению энергии оптических переходов, а использование переходных барьеров GaAs может привести к инверсному положению подзон легких и тяжелых дырок в квантовой яме. Предложен способ раздельного управления состояниями легких и тяжелых дырок за счет варьирования толщины и положения вставок GaAs и InAs в квантовой яме.
  1. D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron Dev. Lett., 31 (8), 806 (2010)
  2. W. Knap, S. Rumyantsev, M.S. Vitiello, D. Coquillat, S. Blin, N. Dyakonova, M. Shur, F. Teppe1, A. Tredicucci, T. Nagatsuma. Nanotechnology, 24, 214002 (2013)
  3. T. Akazaki, K. Arai, T. Enoki, Y. Ishii. IEEE Electron Dev. Lett., 13, 325 (1992)
  4. А. Шиленас, Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, Е.А. Климов. ФТП, 47 (3), 348 (2013)
  5. T. Akazaki, J. Nitta, H. Takayanagi, T. Enoki, K. Arai. J. Electron. Mater., 25, 745 (1996)
  6. Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева. ФТП, 46 (4), 500 (2012)
  7. K. Pov zela, A. v Silenas, J. Pov zela, V. Juciene, G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, E.A. Klimov. Appl. Phys. A, 109 (1), 233 (2012)
  8. V.A. Kulbachinskii, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasil'evskii, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev. Semicond. Sci. Technol., 27, 035021 (2012)
  9. J. Pov zela, K. Pov zela, V. Juciene, A. Shkolnic. Semicond. Sci. Technol., 26, 014025 (2011)
  10. X. Theodore Zhu, Herbert Goronkin. Appl. Phys. Lett., 60 (17), 2141 (1992)
  11. И.С. Васильeвский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, К. Пожела, Ю. Пожела, В. Юцене, А. Сужеделис, Н. Жураускене, С. Кершулис, В. Станкевич. ФТП, 45 (9), 1214 (2011)
  12. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (2), 241 (2015)
  13. X. Wallart, J. Lastennet, D. Vignaud, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 87, 043504 (2005)
  14. H. Choi, J. Cho, M. Jeon, Y. Jeong. J. Korean Phys. Soc., 54 (2), 643 (2009)
  15. X.Z. Shang, Jing Wu, W.C. Wang, W.X. Wang, Q. Huang, J.M. Zhou. Solid-State Electron., 51, 85 (2007)
  16. X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. J. Appl. Phys., 97, 053706 (2005)
  17. M.J.S.P. Brasil, R.E. Nahory, W.E. Quinn, M.C. Tamargo, H.H. Farell. Appl. Phys. Lett., 60 (16), 1981 (1992)
  18. S.M. Olsthoorn, F.A.J.M. Driessen, L.J. Giling. J. Appl. Phys., 73 (11), 7804 (1993)
  19. D. Vignaud, X. Wallart, F. Mollot. J. Appl. Phys., 76 (4), 2324 (1994)
  20. D. Vignaud, X. Wallart, F. Mollot, B. Semage. J. Appl. Phys., 84 (4), 2138 (1998)
  21. V. Duez, O. Vanbesien, D. Lippens, D. Vignaud, X. Wallart, F. Mollot. J. Appl. Phys., 85 (4), 2202 (1999)
  22. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Wiley, 2009)
  23. Y. Liu, H. Wang. J. Appl. Phys., 100, 034505 (2006)
  24. T. Ando, S. Mori. J. Phys. Soc. Jpn., 47, 1518 (1979)
  25. H. Taguchi, H. Murakami, M. Oura. Jpn. J. Appl. Phys., 45 (11), 8549 (2006)
  26. J.P. Perdew, A. Zunger. Phys. Rev. B, 23, 5048 (1981)
  27. G. Hendorfer, M. Seto, H. Ruckser. Phys. Rev. B, 48 (4), 2328 (1993)
  28. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  29. Y. Nishio, T. Tange, N. Hirayama. Phys. Status Solidi A, 210 (11), 2423 (2013)
  30. M.P.C.M. Krijin. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  31. L.P. Avakyants, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasil'evskii, V.A. Kulbachinskii. Semicond. Sci. Technol., 21, 462 (2006)
  32. E. Tournie, K.H. Ploog, C. Alibert. Appl. Phys. Lett., 61, 2808 (1992)
  33. H. Xie, J. Katz, W.I. Wang. Appl. Phys. Lett., 59, 3601 (1991)
  34. Y.H. Wang, Sheng S. Li, J. Chu, Pin Ho. Appl. Phys. Lett., 64, 727 (1994)
  35. Г.Б. Галиев, А.Л. Васильев, Р.М. Имамов, Е.А. Климов, П.П. Мальцев, С.С. Пушкарев, М.Ю. Пресняков, И.Н. Трунькин. Кристаллография, 59, 990 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme