Вышедшие номера
Фотолюминесценция гетероструктур с квантовой ямой InxGa1-xAs с высоким содержанием индия при разной мощности возбуждения
Лаврухин Д.В.1, Хабибуллин Р.А.1, Пономарев Д.С.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Приведены результаты исследований спектров фотолюминесценции гетероструктур с квантовой ямой InxGa1-xAs с высоким содержанием индия x при разной мощности лазерного излучения. Обнаружено, что для гетероструктур с квантовой ямой In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As наблюдается уменьшение полуширины спектра фотолюминесценции, а также смещение его максимума в сторону бoльших энергий по мере увеличения плотности мощности излучения. Показано, что для гетероструктур с квантовой ямой Al0.27Ga0.73As/In0.20Ga0.80As смещения максимума и изменения формы спектра не наблюдается. Установлено, что интегральная интенсивность фотолюминесценции связана с плотностью мощности лазерного излучения степенным законом с показателем alpha~1.3 для гетероструктур с x~0.76, что свидетельствует о преимущественно экситонном характере излучательной рекомбинации носителей заряда.