Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция гетероструктур с квантовой ямой InxGa1-xAs с высоким содержанием индия при разной мощности возбуждения
Лаврухин Д.В.1, Хабибуллин Р.А.1, Пономарев Д.С.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 25 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
Приведены результаты исследований спектров фотолюминесценции гетероструктур с квантовой ямой InxGa1-xAs с высоким содержанием индия x при разной мощности лазерного излучения. Обнаружено, что для гетероструктур с квантовой ямой In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As наблюдается уменьшение полуширины спектра фотолюминесценции, а также смещение его максимума в сторону бoльших энергий по мере увеличения плотности мощности излучения. Показано, что для гетероструктур с квантовой ямой Al0.27Ga0.73As/In0.20Ga0.80As смещения максимума и изменения формы спектра не наблюдается. Установлено, что интегральная интенсивность фотолюминесценции связана с плотностью мощности лазерного излучения степенным законом с показателем alpha~1.3 для гетероструктур с x~0.76, что свидетельствует о преимущественно экситонном характере излучательной рекомбинации носителей заряда.
- Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, Ю.В. Федоров, П.П. Мальцев. ФТП, 48 (1), 73 (2014)
- T. Kim, J.A. del Alamo. Electron. Lett., 47 (6), 406 (2011)
- J. Schneider, J. Pietralla, H. Heinecke. Cryst. Growth, 175/176, 184 (1997)
- T. Sauncy, M. Holtz, O. Brafman, D. Fekete, Y. Finkelstein. Phys. Rev. B, 59 (7), 5049 (1999)
- L. Yang, J. Motohisa, K. Tomioka, J. Takeda, T. Fukui, M. Geng, L. Jia, L. Zhang, Y.L. Liu. Nanotechnology, 19, 275 304 (2008)
- J. Hu, K. Saraswa, H. Philip Wong. Appl. Phys. Lett., 98, 062 107 (2011)
- И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Л. Кванин, С.С. Пушкарев, М.А. Пушкин. ФТП, 45 (9), 1203 (2011)
- Y. Cordier. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 1164 (1999)
- Р.А. Хабибуллин, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, В.А. Кульбачинский, П.Ю. Боков, Л.П. Авакянц, А.В. Червяков, П.П. Мальцев. ФТП, 47 (9), 1215 (2013)
- Д.В. Гуляев, К.С. Журавлев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов. ФТП, 49 (2), 230 (2015)
- А.С. Игнатьев, В.Г. Мокеров, Г.З. Немцев, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. ФТП, 28 (7), 1211 (1994)
- L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75 (10), 4779 (1994)
- C. Liu, J. Kauffman. Appl. Phys. Lett., 66 (25), 3504 (1995)
- Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
- Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 48 (5), 658 (2014)
- S. Mendach, C.M. Hu, Ch. Heyn, S. Schnull, H.P. Oepen, R. Anton, W. Hansen. Physica E, 13, 1204 (2002)
- R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, I.S. Vasil'evskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov, L.P. Avakyanz, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov. J. Phys.: Conf. Ser., 345, 012 015 (2012)
- J. Hellara, F. Hassen, H. Maaref, H. Dumont, V. Souliere, Y. Monteil. Microelectronics J., 35, 207 (2004)
- M. Notomi, M. Okamoto, T. Tamamura. J. Appl. Phys., 75, 4161 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
