Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 9 » Статья стр. 1254
<<<>>>
Фотолюминесценция гетероструктур с квантовой ямой InxGa1-xAs с высоким содержанием индия при разной мощности возбуждения
Лаврухин Д.В.1, Хабибуллин Р.А.1, Пономарев Д.С.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
PDF версия
Приведены результаты исследований спектров фотолюминесценции гетероструктур с квантовой ямой InxGa1-xAs с высоким содержанием индия x при разной мощности лазерного излучения. Обнаружено, что для гетероструктур с квантовой ямой In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As наблюдается уменьшение полуширины спектра фотолюминесценции, а также смещение его максимума в сторону бoльших энергий по мере увеличения плотности мощности излучения. Показано, что для гетероструктур с квантовой ямой Al0.27Ga0.73As/In0.20Ga0.80As смещения максимума и изменения формы спектра не наблюдается. Установлено, что интегральная интенсивность фотолюминесценции связана с плотностью мощности лазерного излучения степенным законом с показателем alpha~1.3 для гетероструктур с x~0.76, что свидетельствует о преимущественно экситонном характере излучательной рекомбинации носителей заряда.
  1. Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, Ю.В. Федоров, П.П. Мальцев. ФТП, 48 (1), 73 (2014)
  2. T. Kim, J.A. del Alamo. Electron. Lett., 47 (6), 406 (2011)
  3. J. Schneider, J. Pietralla, H. Heinecke. Cryst. Growth, 175/176, 184 (1997)
  4. T. Sauncy, M. Holtz, O. Brafman, D. Fekete, Y. Finkelstein. Phys. Rev. B, 59 (7), 5049 (1999)
  5. L. Yang, J. Motohisa, K. Tomioka, J. Takeda, T. Fukui, M. Geng, L. Jia, L. Zhang, Y.L. Liu. Nanotechnology, 19, 275 304 (2008)
  6. J. Hu, K. Saraswa, H. Philip Wong. Appl. Phys. Lett., 98, 062 107 (2011)
  7. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Л. Кванин, С.С. Пушкарев, М.А. Пушкин. ФТП, 45 (9), 1203 (2011)
  8. Y. Cordier. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 1164 (1999)
  9. Р.А. Хабибуллин, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, В.А. Кульбачинский, П.Ю. Боков, Л.П. Авакянц, А.В. Червяков, П.П. Мальцев. ФТП, 47 (9), 1215 (2013)
  10. Д.В. Гуляев, К.С. Журавлев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов. ФТП, 49 (2), 230 (2015)
  11. А.С. Игнатьев, В.Г. Мокеров, Г.З. Немцев, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. ФТП, 28 (7), 1211 (1994)
  12. L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75 (10), 4779 (1994)
  13. C. Liu, J. Kauffman. Appl. Phys. Lett., 66 (25), 3504 (1995)
  14. Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
  15. Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 48 (5), 658 (2014)
  16. S. Mendach, C.M. Hu, Ch. Heyn, S. Schnull, H.P. Oepen, R. Anton, W. Hansen. Physica E, 13, 1204 (2002)
  17. R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, I.S. Vasil'evskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov, L.P. Avakyanz, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov. J. Phys.: Conf. Ser., 345, 012 015 (2012)
  18. J. Hellara, F. Hassen, H. Maaref, H. Dumont, V. Souliere, Y. Monteil. Microelectronics J., 35, 207 (2004)
  19. M. Notomi, M. Okamoto, T. Tamamura. J. Appl. Phys., 75, 4161 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme