Вышедшие номера
Люминесценция дефектов в кремниевых p+-n-переходах
Кузьмин Р.В.1, Баграев Н.Т.1,2, Клячкин Л.Е., Маляренко А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Исследуются сверхмелкие p+-n-переходы, полученные в рамках кремниевой планарной технологии, основанной на кратковременной неравновесной диффузии бора из газовой фазы в подложки n-Si (100) после их предварительного окисления и вскрытия окон в SiO2 с помощью электронной литографии и реактивного ионного травления. Измеренные спектры электро- и фотолюминесценции демонстрируют излучение в диапазоне 1-1.6 мкм, что свидетельствует о наличии большой концентрации дефектов, возникающих, вероятно, вследствие аморфизирующего действия ионов на стадии травления.