Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Comparative Investigation of InGaP/GaAs/GaAsBi and InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors

Wu Yi-Chen¹, Tsai Jung-Hui², Chiang Te-Kuang¹, Wang Fu-Min¹

¹Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, 700, Kaohsiung University Rd., 811 Kaohsiung, Taiwan
²Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, 802 Kaohsiung, Taiwan

Поступила в редакцию: 4 февраля 2015 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

In this article the characteristics of In_0.49Ga_0.51P/GaAs/GaAs_0.975Bi_0.025 and In_0.49Ga_0.51P/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBTs) are demonstrated and compared by two-dimensional simulated analysis. As compared to the traditional InGaP/GaAs HBT, the studied InGaP/GaAs/GaAsBi HBT exhibits a higher collector current, a lower base-emitter (B-E) turn-on voltage, and a relatively lower collector-emitter offset voltage of only 7 mV. Because the more electrons stored in the base is further increased in the InGaP/GaAs/GaAsBi HBT, it introduces the collector current to increase and the B-E turn-on voltage to decrease for low input power applications. However, the current gain is slightly smaller than the traditional InGaP/GaAs HBT attributed to the increase of base current for the minority carriers stored in the GaAsBi base.

P.M. Asbeck, M.F. Chang, K.C. Wang, G.J. Sullivan, D.T. Cheung. Proc. IEEE, 81, 1709 (1993)
K. Runge, P.J. Zampardi, R.L. Pierson, P.B. Thomas, S.M. Beccue, R. Yu, K.C. Wang. IEEE GaAs IC Symposium (1997) c. 211
S.I. Fu, T.P. Chen, R.C. Liu, S.Y. Cheng, P.H. Lai, Y.Y. Tsai, C.W. Hung, W.C. Liu. J. Electrochem. Soc., 154, H289 (2007)
J.H. Tsai, Y.H. Lee, N.F. Dale, J.S. Sheng, Y.C. Ma, S.S. Ye. Appl. Phys. Lett., 96, 063 505 (2010)
D.A. Ahmari, M.T. Fresina, Q.J. Hartmann, D.W. Barlage, P.J. Mares, M. Feng. IEEE Electron. Dev. Lett., 17, 226 (1996)
S.S. Lu, C.C. Hung. IEEE Electron. Dev. Lett., 13, 214 (1992)
J.H. Tsai, C.S. Lee, W.S. Lour, Y.C. Ma, S.S. Ye. Semiconductors, 45, 646 (2011)
G. Pettinari, A. Polimeni, M. Capizzi, J.H. Blokland, P.C.M. Christianen, J.C. Maan, E.C. Young, T. Tiedje. Appl. Phys. Lett., 92, 262 105 (2008)
A.J. Ptak, R. France, D.A. Beaton, K. Alberi, J. Simon, A. Mascarenhas, C.S. Jiang. J. Cryst. Growth, 338, 107 (2012)
Z.D. Marks. IEEE Trans. Electron Dev., 60, 200 (2013)
SILVACO 2013 Atals User's Manual Editor I (SILVACO Int. Santa Clara, CA, USA)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель