"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN
Лебедев А.А., Белов С.В., Мынбаева М.Г., Стрельчук А.М., Богданова Е.В., Макаров Ю.Н.1, Усиков А.С.2,3, Курин С.Ю.1, Бараш И.С.1, Роенков А.Д.1, Козловский В.В.4
1Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
2Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Диоды Шоттки диаметром ~10 мкм изготовлены на основе эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных хлор-гидридной эпитаксией (HVPE) на сапфировых подложках. Исследованы изменения параметров диодов при облучении протонами с энергией 15 МэВ. Определена скорость удаления носителей, которая составила 130-145 см-1. Линейный характер зависимости N=f(D) (N - концентрация носителей, D - доза облучения) показывает, что компенсация связана с переходом электронов с мелких доноров на глубокие уровни, созданные первичными радиационными дефектами.
  1. A.A. Lebedev. J. Wide Bandgap Mater., 8, 129 (2000)
  2. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons Inc., 2001)
  3. T. Boles, C. Varmazis, D. Carlson, L. Xia, D. Jin, T. Palacios, G.W. Turner, R.J. Molnar. Proc CS MANTECH Conf. (New Orleans, Lousiana, 2013) p. 297
  4. P. Roussel. Semiconductor Today, 2, 52 (2007)
  5. I.C. Kizilyalli, A. Edwards, D. Bour, H. Shah, H. Nie, D. Disney. How2Power Today (March 2013). www.how2power.com
  6. А.В. Соломонов, С.А. Тарасов, Е.А. Менькович, И.А. Ламкин, С.Ю. Курин, А.А. Aнтипов, И.С. Бараш, А.Д. Роенков, Х. Хелава, Ю.Н. Макаров. ФТП, 48, 259 (2014)
  7. Lei Yong, Shi Hongbiao, Lu Hai, Chen Dunjun, Zhang Rong, Zheng Youdou. J. Semiconductors, 34, 054 007 (2012)
  8. A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.I. Veinger, N.S. Savkina, А.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  9. В.В. Козловский, А.Е. Васильев, В.В. Емцев, А.А. Лебедев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 101 (2014)
  10. А.И. Титов, П.А. Карасев, С.О. Кучеев. ФТП, 38, 1215 (2004)
  11. A.I. Titov, S.O. Kucheyev. J. Appl. Phys., 92, 5740 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.