"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In0.4Ga0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства
Алешин А.Н.1, Бугаев А.С.1, Ермакова М.А.2, Рубан О.А.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума Федерального агенства по техническому регулированию и метрологии, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

На основе построения карт обратного пространства были определены кристаллографические характеристики элементов конструкции MHEMT гетероструктуры с каналом In0.4Ga0.6As. Гетероструктура была выращена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности подложки GaAs с углом отклонения от плоскости (001) на 2o и состояла из ступенчатого метаморфного буфера, содержащего 6 слоев, включая инверсную ступень, высокотемпературного буферного слоя постоянного состава и активных HEMT слоев. Содержание InAs в слоях метаморфного буфера варьировалось от 0.1 до 0.48. Карты обратного пространства строились для симметричного отражения (004) и асимметричного отражения (224)+. Было обнаружено, что слои гетероструктуры характеризуются как углом наклона по отношению к плоскости подложки (001), так и углом поворота вокруг оси [001]. По мере увеличения концентрации InAs в слое угол наклона слоя увеличивается. Показано, что высокотемпературный буферный слой постоянного состава имеет наибольшую степень релаксации по сравнению со всеми другими слоями гетероструктуры.
  • M. Zaknoune, M. Ardouion, Y. Cordier, S. Bollaert, B. Bonte, D. Theron. IEEE Electron Dev. Lett., 24, 724 (2003)
  • M. Boudrissa, E. Delos, C. Gaquiere, M. Rousseau, Y. Cordier, D. Theron, J.C. Jaeger. IEEE Trans. Electron Dev., 48, 1037 (2001)
  • S. Bollaert, Y. Cordier, V. Hoel, M. Zaknoune, H. Happy, S. Lepilliet, A. Cappy. IEEE Electron Dev. Lett., 20, 123 (1999)
  • Sung-Won Kim, Kang-Min Lee, Sae-Hak Lee, Kwang-Seok Seo. IEEE Electron Dev. Lett., 26, 787 (2005)
  • А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, П.П. Мальцев, С.С. Пушкарев, Ю.В. Федоров. НМСТ, 10, 14 (2012)
  • V.A. Kulbachinskii, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasil'evskii, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev. Semicond. Sci. Technol., 27, 035021 (2012)
  • D.V. Lavrukhin, A.E. Yachmenev, R.R. Galiev, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, Yu.V. Fedorov, P.P. Maltsev. Semiconductors, 48, 69 (2014)
  • Hyonkwang Choi, Joongseok Cho, Minhyon Jeon. J. Korean Phys. Soc., 54, 643 (2009)
  • Y. Cordier, D. Ferre. J. Cryst. Growth, 201/202, 263 (1999)
  • Ю.П. Хапачев, Ф.Н. Чухновский. Кристаллография, 34, 776 (1989)
  • D. Lee, M.S. Park, Z. Tang, H. Luo, R. Beresford. J. Appl. Phys., 101, 063 523 (2007)
  • В.А. Бушуев, Р.Н. Кютт, Ю.П. Хапачев. Физические принципы рентгенодифрактометрического определения параметров реальной структуры многослойных эпитаксиальных пленок (Нальчик, Кабардино-Балкарский гос. ун-т, 1996)
  • Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
  • J.-M. Chauveau, Y. Androussi, A. Lefebvre, J. Di Persio, Y. Cordier. J. Appl. Phys., 93, 4219 (2003)
  • J.W. Eldredge, K.M. Matney, M.S. Goorsky, H.C. Chui, J.S. Harris, jr. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 689 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.