"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In0.4Ga0.6As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства
Алешин А.Н.1, Бугаев А.С.1, Ермакова М.А.2, Рубан О.А.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума Федерального агенства по техническому регулированию и метрологии, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

На основе построения карт обратного пространства были определены кристаллографические характеристики элементов конструкции MHEMT гетероструктуры с каналом In0.4Ga0.6As. Гетероструктура была выращена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности подложки GaAs с углом отклонения от плоскости (001) на 2o и состояла из ступенчатого метаморфного буфера, содержащего 6 слоев, включая инверсную ступень, высокотемпературного буферного слоя постоянного состава и активных HEMT слоев. Содержание InAs в слоях метаморфного буфера варьировалось от 0.1 до 0.48. Карты обратного пространства строились для симметричного отражения (004) и асимметричного отражения (224)+. Было обнаружено, что слои гетероструктуры характеризуются как углом наклона по отношению к плоскости подложки (001), так и углом поворота вокруг оси [001]. По мере увеличения концентрации InAs в слое угол наклона слоя увеличивается. Показано, что высокотемпературный буферный слой постоянного состава имеет наибольшую степень релаксации по сравнению со всеми другими слоями гетероструктуры.
  1. M. Zaknoune, M. Ardouion, Y. Cordier, S. Bollaert, B. Bonte, D. Theron. IEEE Electron Dev. Lett., 24, 724 (2003)
  2. M. Boudrissa, E. Delos, C. Gaquiere, M. Rousseau, Y. Cordier, D. Theron, J.C. Jaeger. IEEE Trans. Electron Dev., 48, 1037 (2001)
  3. S. Bollaert, Y. Cordier, V. Hoel, M. Zaknoune, H. Happy, S. Lepilliet, A. Cappy. IEEE Electron Dev. Lett., 20, 123 (1999)
  4. Sung-Won Kim, Kang-Min Lee, Sae-Hak Lee, Kwang-Seok Seo. IEEE Electron Dev. Lett., 26, 787 (2005)
  5. А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, П.П. Мальцев, С.С. Пушкарев, Ю.В. Федоров. НМСТ, 10, 14 (2012)
  6. V.A. Kulbachinskii, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasil'evskii, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev. Semicond. Sci. Technol., 27, 035021 (2012)
  7. D.V. Lavrukhin, A.E. Yachmenev, R.R. Galiev, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, Yu.V. Fedorov, P.P. Maltsev. Semiconductors, 48, 69 (2014)
  8. Hyonkwang Choi, Joongseok Cho, Minhyon Jeon. J. Korean Phys. Soc., 54, 643 (2009)
  9. Y. Cordier, D. Ferre. J. Cryst. Growth, 201/202, 263 (1999)
  10. Ю.П. Хапачев, Ф.Н. Чухновский. Кристаллография, 34, 776 (1989)
  11. D. Lee, M.S. Park, Z. Tang, H. Luo, R. Beresford. J. Appl. Phys., 101, 063 523 (2007)
  12. В.А. Бушуев, Р.Н. Кютт, Ю.П. Хапачев. Физические принципы рентгенодифрактометрического определения параметров реальной структуры многослойных эпитаксиальных пленок (Нальчик, Кабардино-Балкарский гос. ун-т, 1996)
  13. Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
  14. J.-M. Chauveau, Y. Androussi, A. Lefebvre, J. Di Persio, Y. Cordier. J. Appl. Phys., 93, 4219 (2003)
  15. J.W. Eldredge, K.M. Matney, M.S. Goorsky, H.C. Chui, J.S. Harris, jr. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 689 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.