"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Деградация электрофизических характеристик МОП структур с оксидами эрбия, гадолиния, диспрозия под действием электрического поля
Шалимова М.Б.1, Сачук Н.В.1
1Самарский государственный университет, Самара, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Исследовалась деградация характеристик кремниевых МОП структур с оксидами редкоземельных элементов под влиянием электрических полей (0.1-4) МВ/см в процессе электроформовки. Особенность электроформовки состоит в возможности многократного переключения структур из диэлектрического состояния в низкоомное и обратно. Временные характеристики деградации МОП структур при электроформовке описываются экспоненциальными зависимостями. Вольт-амперные характеристики представляют собой степенной закон в интервале 0.2-3 В, действие электрического поля приводит к изменению распределения энергетической плотности ловушек, ответственных за токи, ограниченные пространственным зарядом. Установлено, что множественные циклы электроформовки приводят к увеличению плотности поверхностных состояний на границе раздела Si-оксид и изменению энергетического положения уровней ловушек, что ведет к изменению их зарядового состояния.
  1. P.H. Caplan, E.H. Poindexter, B.E. Deal, R.R. Razouk. J. Appl. Phys., 50, 5847 (1979)
  2. G.J. Gerardi, E.H. Poindexter, P.J. Caplan, N.M. Johnson. Appl. Phys. Lett., 49, 348 (1986)
  3. D.L. Griscom, E.J. Friebele, G.H. Sigel. Solid State Commun., 15, 479 (1974)
  4. S. Ling, A. El-Sayed, F. Lopez-Gejo, M.B. Watkins, V.V. Afanas'ev, A.L. Shluger. Microelectronic Engineering, 109, 310 (2013)
  5. D.L. Griscom. J. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)
  6. В.А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.В. Шапошников, Ю.Н. Мороков. ФТП, 35, 1041 (2001)
  7. B.L. Yang, H. Wonga, K. Kakushima, H. Iwai. Microelectronics Reliability, 52, 1613 (2012)
  8. A.N. Nazarov, Y.V. Gomeniuk, Y.Y. Gomeniuk, H.D.B. Gottlob, M. Schmidt, M.C. Lemme, M. Czernohorsky, H.J. Osten. Microelectronic Engineering, 84, 1968 (2007)
  9. H.J. Quah, K.Y. Cheong. Mater. Chem. Phys., 130, 1007 (2011)
  10. M. Kouda. Doctor thesis (Tokyo Institute of Technology, 2011)
  11. М.Б. Шалимова, В.С. Афанасков, Е.Н. Хавдей. Вестник СамГУ, 104, 107 (2013)
  12. В.А. Рожков, А.И. Петров. Письма ЖТФ, 11, 49 (1985)
  13. K.B. Jinesh, Y. Lamy, E. Tois, W.F.A. Besling. Appl. Phys. Lett., 94, 252906 (2009)
  14. D.K. Schroder, J.A. Babcock. J. Appl. Phys., 94, 1 (2003)
  15. D.S. Ang, C.J. Gu, Z.Y. Tung, A.A. Boo, Y. Gao. Microelectronics Reliability, 54, 663 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.