"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероструктуры Ge/GeSn, выращенные на Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Садофьев Ю.Г.1, Мартовицкий В.П.1, Базалевский М.А.1, Клековкин А.В.1, Аверьянов Д.В.2, Васильевский И.С.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Проведено исследование особенностей выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GeSn на пластинах кремния ориентации (100), покрытых буферным слоем германия. Дифракция быстрых электронов на отражение, атомно-силовая микроскопия, рентгеновская дифрактометрия, резерфордовское обратное рассеяние и комбинационное рассеяние использованы для контроля свойств выращенных структур. Показано, что слои GeSn с мольной долей олова до 0.073 и толщиной до 0.5 мкм не проявляют признаков пластической релаксации при эпитаксии. В плоскости роста размер кристаллической решетки GeSn в точности совпадает с размером решетки германия. Исследовано влияние быстрого термического отжига образцов на процесс перехода слоев GeSn из метастабильного упругонапряженного состояния к пластически релаксированному состоянию. Получены квантовые ямы Ge/GeSn с мольной долей олова до 0.11.
  1. S. Ogus, W. Paul, T.F. Deutsch, B.Y. Tsaur, D.V. Murphy. Appl. Phys. Lett., 43, 848 (1983)
  2. R.A. Sofer, L. Friedman. Superlat. Microstruct., 14, 189 (1993)
  3. O. Gurdal, P. Desjardins, J.R.A. Carlsson, N. Taylor, H.H. Radamson, J.-E. Sundgren, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 83, 162 (1998)
  4. G. He, H.A. Atwater. Phys. Rev. Lett., 79, 1937 (1997)
  5. J. Mathews, R.T. Beeler, J. Tolle, C. Xu, R. Roucka, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 97, 221 912 (2010)
  6. R. Ragan, H.A. Atwater. Appl. Phys. Lett., 77, 3418 (2000)
  7. G. Grzybowski, R.T. Beeler, L. Jiang, D.J. Smith, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 101, 072 105 (2012)
  8. J. Mathews, R. Roucka, J. Xie, S.-Q. Yu, J. Menendez, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 95, 133 506 (2009)
  9. S. Su, B. Cheng, C. Xue, W. Wang, Q. Cao, H. Xue, W. Hu, G. Zhang, Y. Zuo, Q. Wang. Opt. Express, 19, 6400 (2011)
  10. M.R. Bauer, C.S. Cook, P. Aella, J. Tolle, J. Kouvetakis, P.A. Crozier, A.V.G. Chizmeshya, D.J. Smith, S. Zollner. Appl. Phys. Lett., 83, 3489 (2003)
  11. H. Lin, R. Chen, W. Lu, Y. Huo, T.I. Kamins, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 100, 102 109 (2012)
  12. Ю.Г. Садофьев, В.П. Мартовицкий, М.А. Базалевский. Изв. РАН. Сер. физ., 78, 47 (2014)
  13. J.W. Mattehews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  14. R. People, J. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
  15. F.Y. Huang. Phys. Rev. Lett., 85, 787 (2000)
  16. H. Lin, R. Chen, Y. Huo, T.I. Kamins, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 98, 261 917 (2011)
  17. V.G. Deibuk, Yu.G. Korolyuk. ФТП, 36, 1153 (2002)
  18. A. Krost, G. Bauer, J. Woitok. In: High Resolution X-ray Diffraction in Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers, ed. by G. Bauer, W. Richter (Springer, 1996) p. 287

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.