Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктуры Ge/GeSn, выращенные на Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Садофьев Ю.Г.1, Мартовицкий В.П.1, Базалевский М.А.1, Клековкин А.В.1, Аверьянов Д.В.2, Васильевский И.С.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2Национальный исследовательский ядерный университет "Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
Проведено исследование особенностей выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GeSn на пластинах кремния ориентации (100), покрытых буферным слоем германия. Дифракция быстрых электронов на отражение, атомно-силовая микроскопия, рентгеновская дифрактометрия, резерфордовское обратное рассеяние и комбинационное рассеяние использованы для контроля свойств выращенных структур. Показано, что слои GeSn с мольной долей олова до 0.073 и толщиной до 0.5 мкм не проявляют признаков пластической релаксации при эпитаксии. В плоскости роста размер кристаллической решетки GeSn в точности совпадает с размером решетки германия. Исследовано влияние быстрого термического отжига образцов на процесс перехода слоев GeSn из метастабильного упругонапряженного состояния к пластически релаксированному состоянию. Получены квантовые ямы Ge/GeSn с мольной долей олова до 0.11.
- S. Ogus, W. Paul, T.F. Deutsch, B.Y. Tsaur, D.V. Murphy. Appl. Phys. Lett., 43, 848 (1983)
- R.A. Sofer, L. Friedman. Superlat. Microstruct., 14, 189 (1993)
- O. Gurdal, P. Desjardins, J.R.A. Carlsson, N. Taylor, H.H. Radamson, J.-E. Sundgren, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 83, 162 (1998)
- G. He, H.A. Atwater. Phys. Rev. Lett., 79, 1937 (1997)
- J. Mathews, R.T. Beeler, J. Tolle, C. Xu, R. Roucka, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 97, 221 912 (2010)
- R. Ragan, H.A. Atwater. Appl. Phys. Lett., 77, 3418 (2000)
- G. Grzybowski, R.T. Beeler, L. Jiang, D.J. Smith, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 101, 072 105 (2012)
- J. Mathews, R. Roucka, J. Xie, S.-Q. Yu, J. Menendez, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 95, 133 506 (2009)
- S. Su, B. Cheng, C. Xue, W. Wang, Q. Cao, H. Xue, W. Hu, G. Zhang, Y. Zuo, Q. Wang. Opt. Express, 19, 6400 (2011)
- M.R. Bauer, C.S. Cook, P. Aella, J. Tolle, J. Kouvetakis, P.A. Crozier, A.V.G. Chizmeshya, D.J. Smith, S. Zollner. Appl. Phys. Lett., 83, 3489 (2003)
- H. Lin, R. Chen, W. Lu, Y. Huo, T.I. Kamins, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 100, 102 109 (2012)
- Ю.Г. Садофьев, В.П. Мартовицкий, М.А. Базалевский. Изв. РАН. Сер. физ., 78, 47 (2014)
- J.W. Mattehews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
- R. People, J. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
- F.Y. Huang. Phys. Rev. Lett., 85, 787 (2000)
- H. Lin, R. Chen, Y. Huo, T.I. Kamins, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 98, 261 917 (2011)
- V.G. Deibuk, Yu.G. Korolyuk. ФТП, 36, 1153 (2002)
- A. Krost, G. Bauer, J. Woitok. In: High Resolution X-ray Diffraction in Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers, ed. by G. Bauer, W. Richter (Springer, 1996) p. 287
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
