Вышедшие номера
Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs
Романова Ю.Ю.1,2, Додин Е.П.1, Ноздрин Ю.Н.1, Бирюков А.А.3, Байдусь Н.В.3, Павлов Д.А.2, Малехонова Н.В.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Приведены результаты комплексного анализа параметров полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AlGaAs со сложной элементарной ячейкой с использованием математического моделирования и экспериментальных методов просвечивающей электронной микроскопии, энергодисперсионного анализа, спектроскопии фотолюминесценции и фототока. Показано подавление внутризонной статической отрицательной дифференциальной проводимости в условиях сильного взаимодействия между мини-зонами и негармонического закона дисперсии электронов.