"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в n-GaAs, обусловленной остыванием электронов
Алешкин В.Я.1,2, Морозов С.В.1,2, Румянцев В.В.1,2, Тузов И.В.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Проведено экспериментальное исследование временной зависимости примесной фотопроводимости в n-GaAs при импульсном оптическом возбуждении. Показано, что в первые 20 нс после фотовозбуждения изменение фотопроводимости определяется в основном процессами остывания электронов. Предложена теоретическая модель для описания наблюдаемых зависимостей.
  1. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  2. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., 1997)
  3. А.Ф. Полупанов. ФТП, 11, 2044 (1977)
  4. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 72, 674 (1977)
  5. Б.И. Шкловский, И.Я. Панчев. ФТП, 6, 1616 (1972)
  6. В.Я. Алешкин, Д.И. Бурдейный. ФТТ, 56, 883 (2014)
  7. A. Dargys, J. Kundrotas. Handbok on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Science and Encyclopedia Publ., Vilnius, 1994)
  8. Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.