Вышедшие номера
Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в n-GaAs, обусловленной остыванием электронов
Алешкин В.Я.1,2, Морозов С.В.1,2, Румянцев В.В.1,2, Тузов И.В.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Проведено экспериментальное исследование временной зависимости примесной фотопроводимости в n-GaAs при импульсном оптическом возбуждении. Показано, что в первые 20 нс после фотовозбуждения изменение фотопроводимости определяется в основном процессами остывания электронов. Предложена теоретическая модель для описания наблюдаемых зависимостей.