"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1-xAs со вставками InAs
Кульбачинский В.А.1,2, Овешников Л.Н.1, Лунин Р.А.1, Юзеева Н.А.3, Галиев Г.Б.3, Климов Е.А.3, Мальцев П.П.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

С помощью молекулярно-лучевой эпитаксии на InP подложках синтезированы HEMT-структуры с квантовой ямой In0.53Ga0.47As, двусторонне delta-легированные Si таким образом, что заполняются две подзоны размерного квантования. Изучено влияние центральной нановставки InAs в квантовую яму на эффективные массы m* и подвижности электронов в каждой подзоне. Для экспериментального определения m*, квантовой muq и транспортной mut подвижностей двумерного электронного газа в каждой из подзон размерного квантования измерялся эффект Шубникова--де Гааза при двух температурах 4.2 и 8.4 K. По температурной зависимости амплитуд осцилляций, разделяя осцилляции каждой из подзон размерного квантования, определялись эффективные массы электронов. По фурье-спектрам осцилляций определялись muq и mut подвижности электронов в каждой из подзон размерного квантования. Установлено, что m* уменьшается с ростом толщины d нановставки InAs в квантовую яму In0.53Ga0.47As, а подвижности электронов возрастают. Максимальная электронная подвижность наблюдается при толщине вставки d=3.4 нм.
  1. H. Zhao, Y-T. Chen, J.H. Yum, Y. Wang, F. Zhou, F. Xue, J.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 96, 102 101 (2010)
  2. Jesus A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
  3. X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. J. Appl. Phys., 97, 053 706 (2005)
  4. Dae-Hyun Kim, Jesus A. del Alamo. IEEE Electron. Dev. Lett., 31, 806 (2010)
  5. Dong-Wan Roh, H.G. Lee, D.W. Lee. J. Cryst. Growth, 167, 468 (1996)
  6. G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, E.A. Klimov, V.G. Mokerov, A.A. Cherechukin. Semiconductors, 40, (12), 1445 (2006)
  7. K. Pov zela, A. v Silenas, J. Pov zela, V. Juciene, G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, E.A. Klimov. Appl. Phys. A, 109, (1), 233 (2012)
  8. V.A. Kulbachinskii, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasil'evskii, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev. Semicond. Sci. Technol., 27, 035 021 (2012)
  9. J. Pov zela, K. Pov zela, V. Jucien e, A. Shkolnic. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 025 (2011)
  10. Theodore Zhu, Herbert Goronkin, George N. Maracas, Ravi Droopad, Michail A. Stroscio. Appl. Phys. Lett., 60 (17), 2141 (1992)
  11. D. Xu, H.G. Heiss, S.A. Kraus, M. Sex, G. Bohm, G. Trankle, G. Weimann, G. Abstreiter. IEEE Trans. Electron. Dev., 45 (1), 21 (1998)
  12. T. Akazaki, K. Arai, T. Enoki, Y. Ishii. IEEE Electron Dev. Lett., 13 (6), 325 (1992)
  13. M. Sexl, G. Bohm, D. Xu, H. Heib, S. Kraus, G. Trankle, G. Weimann. J. Cryst. Growth, 175/176, 915 (1997)
  14. S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune, T. Parenty, H. Happy, A. Cappy. Ann. Telecommun., 56, (1--2), 15 (2001)
  15. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  16. S. Ahmed, K.D. Holland, N. Paydavosi, C.M.S. Rogers, A.U. Alam, N. Neophytou, D. Kienle, M. Vaidyanathan. IEEE Trans. Nanotechn., 11, 1160 (2012)
  17. D. Shoenberg. Magnetic Oscillations in Metals (Cambridge University Press, Cambridge, 1984) [Д. Шенберг. Магнитные осцилляции в металлах (М., Мир, 1986)]
  18. T.W. Kim, D.U. Lee, D.C. Choo, M. Jung, K.H. Yoo, M.S. Song, T. Yeo, G. Comanescu, B.D. McCombe, M.D. Kim. J. Appl. Phys., 89, 2649 (2001)
  19. P.T. Coleridge, M. Hayne, P. Zawadzki, A.S. Sachrajda. Surf. Sci., 361/362, 560 (1996)
  20. C. Diaz-Paniagua, M.A. Hidalgo, A.F. Brana, A. Urbina, F. Batallan, S. Fernandez de Avila, F. Gonzalez-Sanz. Sol. St. Commun., 109, 785 (1999)
  21. T.W. Kim, M. Jung. Sol. St. Commun., 111, 89 (1999)
  22. T. Akazaki, J. Nitta, H. Takayanagi, T. Enoki, K. Arai. J. Electron. Mater., 25, 745 (1996)
  23. Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева. ФТП, 46, 500 (2012)
  24. V.A. Kulbachinskii, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasil'evskii, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev. Semicond. Sci. Technol., 27, 035 021 (2012)
  25. B. Jonsson, S.T. Eng. J. Quant. Electron., 26, 2025 (1990)
  26. Ch. Jirauschek. IEEE J. Quant. Electron. 45, 1059 (2009)
  27. В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, В.Г. Кытин, А.С. Бугаев, А.П. Сеничкин. ЖЭТФ, 110, 1517 (1996)
  28. J.F. Kaiser, W.A. Reed. Rev. Sci. Instrum., 49, 1103 (1978)
  29. T. Ando, A. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
  30. A. Ishihara, L. Smrchka. J. Phys. C, 19, 6777 (1986)
  31. P.T. Coleridge. Phys. Rev. B, 44, 3793 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.