"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Лазерно-интерференционный метод определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниках
Манухов В.В.1, Федорцов А.Б.2, Иванов А.С.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный минерально-сырьевой университет "Горный", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Предложен новый лазерно-интерферометрический метод измерения диффузионной длины носителей заряда в полупроводниках. Метод основан на интерференционно-абсорбционном взаимодействии в полупроводнике двух лазерных излучений. Инжектирующее излучение генерирует в полупроводнике дополнительные носители заряда, что приводит к изменению оптических констант материала и модуляции прошедшего через образец зондирующего излучения. При изменении расстояния между точками генерации носителей и зондирования регистрируют уменьшение концентрации носителей заряда, зависящее от длины диффузии, которая устанавливается сравнением экспериментальной и теоретической зависимостей величины сигнала зондирования от рассовмещения лучей инжектора и зонда. Метод успешно апробирован на полупроводниковых образцах разной толщины с различным состоянием поверхности и может быть использован при проведении научных исследований и в электронной промышленности.
  1. В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
  2. Т. Мосс, Г. Барелл, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника, пер. с англ. под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1976)
  3. Л.П. Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
  4. Н.Ф. Ковтонюк, Ю.А. Концевой. Измерение параметров полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1970)
  5. П. Блад, Дж.В. Ортон. Зарубеж. радиоэлектрон., 1, 3 (1981)
  6. П. Блад, Дж.В. Ортон. Зарубеж. радиоэлектрон., 2, 3 (1981)
  7. A. Flat, A.G. Milnes. Int. J. Electron., 44, 629 (1978)
  8. Г.П. Пека, С.А. Спектор, Л.Г. Шекель. ФТП, 9 (10), 1920 (1975)
  9. Г.П. Пека, Л.Г. Шекель. ФТП, 10 (10), 1911 (1976)
  10. А.Ф. Кравченко, А.Б. Конаныхин, Б.В. Морозов. ФТП, 14 (2), 311 (1980)
  11. А.Б. Федорцов, Ю.В. Чуркин. Письма ЖТФ, 14 (4), 321 (1988)
  12. В.Б. Воронков, А.С. Иванов, К.Ф. Комаровских, Д.Г. Летенко, А.Б. Федорцов, Ю.В. Чуркин. ЖТФ, 61 (2), 104 (1991)
  13. А.Г. Арешкин, Л.Е. Воробьев, А.С. Иванов, К.Ф. Комаровских, Д.Г. Летенко, А.Б. Федорцов, Ю.В. Чуркин. Изв. РАН. Сер. физ., 56 (12), 121 (1992)
  14. D.G. Letenko, A.B. Fedortsov, V.N. Savvateyev, Yu.V. Churkin. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 3 (3), 203 (1993)
  15. A.B. Fedortsov, D.G. Letenko, Yu.V. Churkin, L.V. Tsentsiper, J. Vedde. Proc. Electrochem. Soc., 96 (13), 481 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.