Влияние электродов на параметры солнечно-слепых детекторов УФ излучения
Российский научный фонд, «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых» Президентской программы исследовательских проектов, 20-79-10043
Калыгина В.М.1, Цымбалов А.В.1, Алмаев А.В.1, Петрова Ю.С.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: Kalygina@ngs.ru, zoldmine@gmail.com, almaev_alex@mail.ru, petrovays@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 3 ноября 2020 г.
Принята к печати: 3 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2020 г.
Исследовано влияние топологии электродов на электрические и фотоэлектрические характеристики структур металл/полупроводник/металл. Пленки оксида галлия получали высокочастотным магнетронным распылением мишени Ga2O3 на сапфировые подложки с ориентацией (0001). На поверхности оксидных пленок были сформированы два типа электродов: два параллельных электрода, с межэлектродным расстоянием 250 мкм и встречно-штырьевые. В электродах второго типа расстояние между "пальцами" составляло 50, 30, 10 и 5 мкм. Независимо от типа контактов структуры обнаруживают чувствительность к ультрафиолетовому излучению с длиной волны λ=254 нм. Детекторы второго типа с межэлектродным расстоянием 5 мкм демонстрируют наибольшие значения фототока Iph=3.8 мА и удельную обнаружительную способность D^*=5.54·1015 см·Гц0.5·Вт-1. Ключевые слова: оксид галлия, RFMS, детекторы, ультрафиолет, электроды.
- S. Lee, Y. Ito, K. Kaneko, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 54, 3 (2015)
- A.A. Dakhel. Sol. St. Sci., 20, 54 (2013)
- S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 44, 63 (2016)
- I. Cora, F. Mezzadri, F. Boschi, M. Bosi, M. Caplovicova, G. Calestani, I. Dodony, B. Pecza, R. Fornari. Cryst. Eng. Commun., 19, 1509 (2017)
- K. Li, Xun Yang, Y. Tian, Y. Chen, C. Lin, Z. Zhang, Z. Xu, J. Zang, C. Shan. Sci. China Phys., Mech., 63, 117312 (2020)
- D. Guo, X. Qin, M. Lv, H. Shi, Y. Su, G. Yao, S. Wang, C. Li, P. Li, W. Tang. Electron. Mater. Lett., 13, 483 (2017)
- L. Qian, Z. Wu, Y. Zhang, P. Lai, X. Liu, Y. Li. ACS Photonics, 4, 2203 (2017)
- J.W. Roberts, P.R. Chalker, B. Ding, R.A. Oliver, J.T. Gibbon, L.A.H. Jones, V.R. Dhanak, L.J. Phillips, L.J. Major, F.C. Massabuau. J. Cryst. Growth, 528, 125254 (2019)
- X. Wang, Z. Chen, D. Guo, X. Zhang, Z. Wu, P. Li, W. Tang. Optical Mater. Express, 8, 2918 (2018)
- A.K. Saikumar, S. Nehate, K.B. Sundaram. ECS J. Solid State Sci. Technol., 8, 3064 (2019)
- P. Schurig, F. Michel, A. Beyer, K. Volz, M. Becker, A. Polity, P. Klar. Phys. Status Solidi A, 217, 1901009 (2020)
- V.M. Kalygina, T.Z. Lygdenova, V.A. Novikov, Yu.S. Petrova, A.V. Tsymbalov, T.M. Yaskevich. Semiconductors, 53, 388 (2019)
- S. Han, X. Huang, M. Fang, W. Zhao, S. Xu, D. Zhu, W. Xu, M. Fang, W. Liu, P. Caoa, Y. Lua. J. Mater. Chem. C, 7, 11834 (2019)
- S. Cui, Z. Mei, Y. Zhang, H. Liang, X. Du. Adv. Opt. Mater., 5, 1700454 (2017)
- S. Cui, Z. Mei, Y. Hou, Q. Chen, H. Liang, Y. Zhang, W. Huo, X. Du. Chin. Physics B, 27, 067301 (2018)
- Y. An, X. Chu, Y. Huang, Y. Zhi, D. Guo, P. Li, Z. Wu, W. Tang. Progr. Nat. Sci., 26, 65 (2016)
- G.C. Hu, C.X. Shan, Nan Zhang, M.M. Jiang, S.P. Wang, D.Z. Shen. Opt. Express, 23, 13554 (2015)
- T. Oshima, T. Okuno, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 46, 11 (2007)
- F. Yu, S. Ou, D. Wuu. Optical Mater. Express, 5, 1240 (2015)
- S. Rafique, L. Han, H. Zhao. Phys. Status Solidi A, 214, 1700063 (2017)
- W. Jia, W.M. Yen. J. Raman Spectrosc., 20, 785 (1989)
- M.G. Mynbaeva, P.S. Shirshnev, A.V. Kremleva, A.N. Smirnov, E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya, I.P. Nikitina, A.A. Lavrent'ev, K.D. Mynbaeva, M.A. Odnoblyudov, D.A. Bauman, H. Lipsanen, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 57, 97 (2019)
- C. Kranert, C. Sturm, R. Grund, M. Grundmann. Scientific Rep., 6, 35964 (2016)
- M. Kadleikova, J. Breza, M. Vesely. Microelectronics J., 32, 955 (2001)
- А.В. Войцеховский, И.И. Ижнин, В.П. Савчин, Н.М. Вакив. Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники (Томск, Томский гос. ун-т, 2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
