"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние электродов на параметры солнечно-слепых детекторов УФ излучения
Переводная версия: 10.1134/S1063782621030118
Российский научный фонд, «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых» Президентской программы исследовательских проектов, 20-79-10043
Калыгина В.М.1, Цымбалов А.В.1, Алмаев А.В.1, Петрова Ю.С.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: Kalygina@ngs.ru, zoldmine@gmail.com, almaev_alex@mail.ru, petrovays@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 3 ноября 2020 г.
Принята к печати: 3 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2020 г.

Исследовано влияние топологии электродов на электрические и фотоэлектрические характеристики структур металл/полупроводник/металл. Пленки оксида галлия получали высокочастотным магнетронным распылением мишени Ga2O3 на сапфировые подложки с ориентацией (0001). На поверхности оксидных пленок были сформированы два типа электродов: два параллельных электрода, с межэлектродным расстоянием 250 мкм и встречно-штырьевые. В электродах второго типа расстояние между "пальцами" составляло 50, 30, 10 и 5 мкм. Независимо от типа контактов структуры обнаруживают чувствительность к ультрафиолетовому излучению с длиной волны λ=254 нм. Детекторы второго типа с межэлектродным расстоянием 5 мкм демонстрируют наибольшие значения фототока Iph=3.8 мА и удельную обнаружительную способность D^*=5.54·1015 см·Гц0.5·Вт-1. Ключевые слова: оксид галлия, RFMS, детекторы, ультрафиолет, электроды.
  1. S. Lee, Y. Ito, K. Kaneko, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 54, 3 (2015)
  2. A.A. Dakhel. Sol. St. Sci., 20, 54 (2013)
  3. S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 44, 63 (2016)
  4. I. Cora, F. Mezzadri, F. Boschi, M. Bosi, M. Caplovicova, G. Calestani, I. Dodony, B. Pecza, R. Fornari. Cryst. Eng. Commun., 19, 1509 (2017)
  5. K. Li, Xun Yang, Y. Tian, Y. Chen, C. Lin, Z. Zhang, Z. Xu, J. Zang, C. Shan. Sci. China Phys., Mech., 63, 117312 (2020)
  6. D. Guo, X. Qin, M. Lv, H. Shi, Y. Su, G. Yao,  S. Wang,  C. Li,  P. Li, W. Tang. Electron. Mater. Lett., 13, 483 (2017)
  7. L. Qian, Z. Wu, Y. Zhang, P. Lai, X. Liu, Y. Li. ACS Photonics, 4, 2203 (2017)
  8. J.W. Roberts, P.R. Chalker, B. Ding, R.A. Oliver, J.T. Gibbon, L.A.H. Jones, V.R. Dhanak, L.J. Phillips, L.J. Major, F.C. Massabuau. J. Cryst. Growth, 528, 125254 (2019)
  9. X. Wang, Z. Chen, D. Guo, X. Zhang, Z. Wu, P. Li, W. Tang. Optical Mater. Express, 8, 2918 (2018)
  10. A.K. Saikumar, S. Nehate, K.B. Sundaram. ECS J. Solid State Sci. Technol., 8, 3064 (2019)
  11. P. Schurig, F. Michel, A. Beyer, K. Volz, M. Becker, A. Polity, P. Klar. Phys. Status Solidi A, 217, 1901009 (2020)
  12. V.M. Kalygina, T.Z. Lygdenova, V.A. Novikov, Yu.S. Petrova, A.V. Tsymbalov, T.M. Yaskevich. Semiconductors, 53, 388 (2019)
  13. S. Han, X. Huang, M. Fang, W. Zhao, S. Xu, D. Zhu, W. Xu, M. Fang, W. Liu, P. Caoa, Y. Lua. J. Mater. Chem. C, 7, 11834 (2019)
  14. S. Cui, Z. Mei, Y. Zhang, H. Liang, X. Du. Adv. Opt. Mater., 5, 1700454 (2017)
  15. S. Cui, Z. Mei, Y. Hou, Q. Chen, H. Liang, Y. Zhang, W. Huo, X. Du. Chin. Physics B, 27, 067301 (2018)
  16. Y. An, X. Chu, Y. Huang, Y. Zhi, D. Guo, P. Li, Z. Wu, W. Tang. Progr. Nat. Sci., 26, 65 (2016)
  17. G.C. Hu, C.X. Shan, Nan Zhang, M.M. Jiang, S.P. Wang, D.Z. Shen. Opt. Express, 23, 13554 (2015)
  18. T. Oshima, T. Okuno, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 46, 11 (2007)
  19. F. Yu, S. Ou, D. Wuu. Optical Mater. Express, 5, 1240 (2015)
  20. S. Rafique, L. Han, H. Zhao. Phys. Status Solidi A, 214, 1700063 (2017)
  21. W. Jia, W.M. Yen. J. Raman Spectrosc., 20, 785 (1989)
  22. M.G. Mynbaeva, P.S. Shirshnev, A.V. Kremleva, A.N. Smirnov, E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya, I.P. Nikitina, A.A. Lavrent'ev, K.D. Mynbaeva, M.A. Odnoblyudov, D.A. Bauman, H. Lipsanen, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 57, 97 (2019)
  23. C. Kranert, C. Sturm, R. Grund, M. Grundmann. Scientific Rep., 6, 35964 (2016)
  24. M. Kadleikova, J. Breza, M. Vesely. Microelectronics J., 32, 955 (2001)
  25. А.В. Войцеховский, И.И. Ижнин, В.П. Савчин, Н.М. Вакив. Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники (Томск, Томский гос. ун-т, 2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.