"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния
Переводная версия: 10.1134/S106378262102007X
Баграев Н.Т.1,2, Кукушкин С.А. 1, Осипов А.В. 1, Романов В.В.3, Клячкин Л.Е.2, Маляренко А.М.2, Хромов В.С.1,2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com, bagraev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 24 октября 2020 г.
Принята к печати: 24 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

Выполнен цикл экспериментальных исследований, а именно, проведены измерения и выполнен анализ полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости в образцах тонких пленок монокристаллического SiC, выращенных на поверхностях (100), (110) и (111) монокристаллического Si методом согласованного замещения атомов за счет химической реакции Si с газом CO. В результате исследований в структурах SiC, выращенных на Si (110) и Si (111), обнаружено возникновение в слабых магнитных полях двух квантовых эффектов при комнатной температуре. Этими эффектами являются, во-первых, образование гистерезиса статической магнитной восприимчивости, а во-вторых, возникновение осцилляций Ааронова-Бома в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости. Первый эффект связывается нами с эффектом Мейснера-Оксенфельда, а второй - с присутствием в данных структурах под слоем SiC микродефектов в виде нанотрубок и микропор, формирующихся в процессе синтеза структур. В структурах SiC, выращенных на Si (100), эти эффекты обнаружены не были, что связывается нами с иным механизмом образования SiC на поверхности (100) Si. Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, дилатационные диполи, магнитная восприимчивость, диамагнетизм, эффект Ааронова-Бома.
  1. C.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ, 50, 1188 (2008)
  2. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ДАН, 444, 266 (2012)
  3. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Изв. РАН. Механика твердого тела, N 2, 122 (2013)
  4. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47 (31), 313001 (2014)
  5. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 56, 1457 (2014)
  6. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 50 (46), 464006 (2017)
  7. Л.М. Сорокин, Н.В. Веселов, М.П. Щеглов, А.Е. Калмыков, А.А. Ситникова, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. Письма ЖТФ, 34 (22), 88 (2008)
  8. F. Iacopi, G. Walker, L. Wang, L. Malesys, S. Ma, B.V. Cunning, A. Iacop. Appl. Phys. Lett., 102, 011908 (2013)
  9. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Physica B: Condens. Matter, 512, 26 (2017)
  10. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Письма ЖТФ, 46 (22), 3 (2020)
  11. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, I.P. Soshnikov. Rev. Adv. Mater. Sci., 52, 29 (2017)
  12. В.В. Романов, В.А. Кожевников, В.А. Машков, Н.Т. Баграев. ФТП, 54, 1331 (2020)
  13. N.T. Bagraev, V.Yu. Grigoryev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.A. Mashkov, V.V. Romanov, N.I. Rul'. Low Temp. Phys./Fizika Nizkikh Temperatur, 43, 132 (2017)
  14. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Solid State Commun., 51, 515 (1984)
  15. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Solid State Commun., 65, 1111 (1988)
  16. G. Landwehr, J. Gerschutz, S. Oehling, A. Pfeuffer-Jeschke, V. Latussek, C.R. Becker. Physica E, 6, 713 (2000)
  17. С.В. Вонсовский. Магнетизм (М., Наука, 1971)
  18. Й. Имри. Введение в мезоскопическую физику (М., Физматлит, 2002)
  19. S. Datta. Electronic transport in mesoscopic systems (University Press, Cambridge, 2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.