Вышедшие номера
Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
Малевская А.В. 1, Ильинская Н.Д. 1, Калюжный Н.А. 1, Малевский Д.А. 1, Задиранов Ю.М. 1, Покровский П.В. 1, Блохин А.А. 1, Андреева А.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, Natalya.Ilynskaya@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru, zadiranov@mail.ioffe.ru, P.Pokrovskiy@mail.ioffe.ru, bloalex91@yandex.ru
Поступила в редакцию: 13 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 31 мая 2021 г.
Принята к печати: 31 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

Проведены исследования методов текстурирования световыводящей поверхности ИК-светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с брегговскими отражателями. Разработаны методы жидкостного и плазмохимического травления твердого раствора для создания пиков (пирамид) различной формы высотой 0.2-1.5 мкм. Проведена оценка влияния методов текстурирования, а также конфигурации пиков на интенсивность электролюминесценции светодиодов. Достигнуто увеличение интенсивности электролюминесценции на 25%. Ключевые слова: светодиод, текстурирование, методы травления, электролюминесценция.
  1. Y. Qin, X. Guo, W.J. Jiang, R. Fang, G.Di Shen. Proc. SPIE-OSA-IEEE Asia Communication and Photonics (Shanghai, China, 2009) v. 7635, p. 763505-1
  2. E.F. Shubert. Light-emitting diodes (Rensselaer Polyt. Inst., N.Y., USA, 2018) ed. 3, p. 660
  3. R. Windisch, B. Dutta, M. Kuijk, A. Knobloch, S. Meinlschmidt, S. Schoberth, P. Kiesel, G. Borghs, G.H. Dohler, P. Heremans. IEEE Trans. Electron Dev., 47 (7), 1492 (2000)
  4. Патент RU25054867, 20.07.2013
  5. I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 63, 2174 (1993)
  6. J. Rybczynski, U. Ebels, M. Giersig. Colloids Surf. A: Physicochem. Eng. Aspects, 219, 1 (2003)
  7. R. Windisch, S. Schoberth, S. Meinlschmidt, P. Kiesel, A. Knobloch, P. Heremans, B. Dutta, G. Borghs, G.H. Dohler. J. Opt. A: Pure Appl. Opt., 1, 512 (1999)
  8. V.M. Lantratov, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts. Adv. Sci. Techn., 74, 225 (2010)
  9. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, А.Н. Паньчак, П.В. Покровский, Н.С. Потапович, В.М. Андреев. ФТП, 55 (7), 614 (2021)
  10. F.F. Chen, J.P. Chang. Lecture Notes on Principles of Plasma Processing (N.Y., Kluwer/Plenum, 2002) p. 249
  11. Н.Н. Berger. Solid State Electron., 15, 145 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.