Вышедшие номера
Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063782621020020
РФФИ и Министерство науки и инновационной политики Новосибирской области, Регионгальные проекты, конкурс р-мол-а, № 19-42-54300
РНФ (поддержка в части ВРЭМ исследований), 19-72-30023
Абрамкин Д.С.1,2, Петрушков М.О. 1, Емельянов Е.А.1, Ненашев А.В.1,2, Есин М.Ю.1, Васев А.В.1, Путято М.А.1, Богомолов Д.Б.1, Гутаковский А.К.1,2, Преображенский В.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: dalamber.07@mail.ru, maikdi@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 13 октября 2020 г.
Принята к печати: 13 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

Продемонстрирована возможность формирования псевдоморфно-напряженной квантовой ямы, состоящей из четверного твердого раствора InxGa1-xAsyP1-y, при осаждении InAs на поверхность GaP/Si эпитаксиального слоя с развитым рельефом поверхности. Проведены исследования квантовой ямы методами просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии стационарной фотолюминесценции. Обнаружено формирование двух различных сегментов квантовой ямы, отличающихся толщиной и составом твердого раствора InxGa1-xAsyP1-y, при этом увеличение толщины квантовой ямы сопровождается снижением содержания атомов In и As. Латеральные размеры сегментов квантовой ямы составляют не менее 20 нм. Сегментам квантовой ямы соответствуют две различные полосы низкотемпературной фотолюминесценции. Наблюдаемые явления объяснены в рамках предположения о перестройке поверхности под действием упругих деформаций при гетероэпитаксии InAs на террасированной поверхности GaP. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, InAs/GaP-квантовые ямы, AIIIBV на кремнии, морфология поверхности, фотолюминесценция, перемешивание материалов, упругие деформации.