Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782621020123 
1Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан 
2Chungnam National University, Taejon, Korea
2Chungnam National University, Taejon, Korea
Email: alice.galashina@gmail.com, aanasirov1962@mail.ru, nebesny-andrey@yandex.ru, pavelphys@mail.ru, dojin@cnu.ac.kr
Поступила в редакцию: 10 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 22 октября 2020 г.
Принята к печати: 22 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.
Исследована температурная зависимость анизотропии магнитотранспортных свойств эпитаксиальных слоев GaMnAs, находящихся в состоянии ферромагнитного упорядочения. Показано, что в исследуемых слоях наблюдается анизотропия отрицательного магнетосопротивления, не связанная с наличием одноосной анизотропии и ориентацией оси жесткого намагничивания. Данная анизотропия может быть связана с наличием в слое GaMnAs пространственно-ориентированных структур, возникающих в объеме эпитаксиального слоя в процессе его роста. Ключевые слова: анизотропия, отрицательное магнетосопротивление, эпитаксиальные слои, ферромагнитное упорядочение.
- Ch. Song, B. Cui, F. Li, X. Zhou, F. Pan. Progr. Mater. Sci., 87, 33 (2017)
- H. Munekata. In: Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics, ed. by H. Asahi Y. Horikoshi (Hoboken, N. J., John Wiley \& Sons, 2019)
- Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, А.В. Кудрин, И.Л. Калентьева, Е.А. Ларионова, В.А. Ковальский, О.А. Солтанович. ФТП, 53 (3), 351 (2019)
- T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand. Scince, 287, 1019 (2000)
- T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura. Phys. Rev. B, 63, 195205-1 (2001)
- В.А. Иванов, Т.Г. Аминов, В.М. Новоторцев, В.Т. Калинников. Изв. АН. Сер. хим., 11, 2255 (2004)
- T. Hayashi, M. Tanaka, H. Shimada, N. Tsuchiya, Y. Otuka. J. Cryst. Growth, 175/176, 1063 (1997)
- Y. Iye, F. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, F. Matsukura, A. Shen, H. Ohno, H. Munekata. Mater. Sci. Eng. B, 63, 88 (1999)
- A. Pross, S. Bending, K. Edmonds, R.P. Campion, C.T. Foxon, B. Gallaher. J. Appl. Phys., 95, 3325 (2004)
- J. Daeubler, M. Glunk, W. Schoch, W. Limmer, R. Sauer. Appl. Phys. Lett., 88, 051904 (2006)
- P. Juszynski, M. Gryglas-Borysiewicz, J. Szczytko, M. Tokarczyk, G. Kowalski, J. Sadowski, D. Wasik. J. Magn. Magn. Mater., 396, 48 (2015)
- J. Chang, S. Choi, K. Jae Lee, S.-K. Bac, S. Choi, P. Chongthanaphisut, S. Lee, X. Liu, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. J. Cryst. Growth, 512, 112 (2019)
- T. Dietl. J. Appl. Phys., 9, 7437 (2001)
- M. Sawicki, F. Marsukura, A. Idiaszek, T. Dietl, G.M. Schott, C. Ruester, C. Gold, G. Karczewski, G. Schmidt, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 70, 245325 (2004)
- K. Hamaya, T. Taniyama, Y. Kitamoto, Y. Yamazaki, R. Moriya, H. Munekata. IEEE Trans. Magnetics, 40, 2682 (2004)
- П.Б. Парчинский, А.С. Галашина, D. Kim. Узб. физ. журн., 19 (3), 143 (2017). (P.B. Parchinskiy, A.S. Galashina, D. Kim. Uzbek J. Phys., 19 (3), 143 (2017)
- S.Chung, H.C. Kim, S. Leea, X. Liu, J.K. Furdyna. Solid-State Commun., 149, 1739 (2009)
- V. Stanciu, P. Svedlindh. Appl. Phys. Lett., 87, 242509 (2005)
- U. Welp, V.K. Vlasko-Vlasov, A. Menzel, H.D. You, X. Liu, J.K. Furdyna, T. Wojtowicz. Appl. Phys. Lett., 85, 260 (2004)
- S. Piano, X. Marti, A.W. Rushforth, K.W. Edmonds, R.P. Campion, M. Wang, O. Caha, T.U. Scholli, V. Holy, B.L. Gallagher. Appl. Phys. Lett., 98, 152503 (2011)
- U. Welp, V.K. Vlasko-Vlasov, X. Liu, J.K. Furdyna, T. Wojtowicz. Phys. Rev. Lett., 90, 167206 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
