"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782621020123
Газизулина А.С.1, Насиров А.А.1, Небесный А.А.1, Парчинский П.Б.1, Kim Dojin2
1Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
2Chungnam National University, Taejon, Korea
Email: alice.galashina@gmail.com, aanasirov1962@mail.ru, nebesny-andrey@yandex.ru, pavelphys@mail.ru, dojin@cnu.ac.kr
Поступила в редакцию: 10 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 22 октября 2020 г.
Принята к печати: 22 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

Исследована температурная зависимость анизотропии магнитотранспортных свойств эпитаксиальных слоев GaMnAs, находящихся в состоянии ферромагнитного упорядочения. Показано, что в исследуемых слоях наблюдается анизотропия отрицательного магнетосопротивления, не связанная с наличием одноосной анизотропии и ориентацией оси жесткого намагничивания. Данная анизотропия может быть связана с наличием в слое GaMnAs пространственно-ориентированных структур, возникающих в объеме эпитаксиального слоя в процессе его роста. Ключевые слова: анизотропия, отрицательное магнетосопротивление, эпитаксиальные слои, ферромагнитное упорядочение.
  1. Ch. Song, B. Cui, F. Li, X. Zhou, F. Pan. Progr. Mater. Sci., 87, 33 (2017)
  2. H. Munekata. In: Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics, ed. by H. Asahi Y. Horikoshi (Hoboken, N. J., John Wiley \& Sons, 2019)
  3. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, А.В. Кудрин, И.Л. Калентьева, Е.А. Ларионова, В.А. Ковальский, О.А. Солтанович. ФТП, 53 (3), 351 (2019)
  4. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand. Scince, 287, 1019 (2000)
  5. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura. Phys. Rev. B, 63, 195205-1 (2001)
  6. В.А. Иванов, Т.Г. Аминов, В.М. Новоторцев, В.Т. Калинников. Изв. АН. Сер. хим., 11, 2255 (2004)
  7. T. Hayashi, M. Tanaka, H. Shimada, N. Tsuchiya, Y. Otuka. J. Cryst. Growth, 175/176, 1063 (1997)
  8. Y. Iye, F. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, F. Matsukura, A. Shen, H. Ohno, H. Munekata. Mater. Sci. Eng. B, 63, 88 (1999)
  9. A. Pross, S. Bending, K. Edmonds, R.P. Campion, C.T. Foxon, B. Gallaher. J. Appl. Phys., 95, 3325 (2004)
  10. J. Daeubler, M. Glunk, W. Schoch, W. Limmer, R. Sauer. Appl. Phys. Lett., 88, 051904 (2006)
  11. P. Juszynski, M. Gryglas-Borysiewicz, J. Szczytko, M. Tokarczyk, G. Kowalski, J. Sadowski, D. Wasik. J. Magn. Magn. Mater., 396, 48 (2015)
  12. J. Chang, S. Choi, K. Jae Lee, S.-K. Bac, S. Choi, P. Chongthanaphisut, S. Lee, X. Liu, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. J. Cryst. Growth, 512, 112 (2019)
  13. T. Dietl. J. Appl. Phys., 9, 7437 (2001)
  14. M. Sawicki, F. Marsukura, A. Idiaszek, T. Dietl, G.M. Schott, C. Ruester, C. Gold, G. Karczewski, G. Schmidt, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 70, 245325 (2004)
  15. K. Hamaya, T. Taniyama, Y. Kitamoto, Y. Yamazaki, R. Moriya, H. Munekata. IEEE Trans. Magnetics, 40, 2682 (2004)
  16. П.Б. Парчинский, А.С. Галашина, D. Kim. Узб. физ. журн., 19 (3), 143 (2017). (P.B. Parchinskiy, A.S. Galashina, D. Kim. Uzbek J. Phys., 19 (3), 143 (2017)
  17. S.Chung, H.C. Kim, S. Leea, X. Liu, J.K. Furdyna. Solid-State Commun., 149, 1739 (2009)
  18. V. Stanciu, P. Svedlindh. Appl. Phys. Lett., 87, 242509 (2005)
  19. U. Welp, V.K. Vlasko-Vlasov, A. Menzel, H.D. You, X. Liu, J.K. Furdyna, T. Wojtowicz. Appl. Phys. Lett., 85, 260 (2004)
  20. S. Piano, X. Marti, A.W. Rushforth, K.W. Edmonds, R.P. Campion, M. Wang, O. Caha, T.U. Scholli, V. Holy, B.L. Gallagher. Appl. Phys. Lett., 98, 152503 (2011)
  21. U. Welp, V.K. Vlasko-Vlasov, X. Liu, J.K. Furdyna, T. Wojtowicz. Phys. Rev. Lett., 90, 167206 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.