Вышедшие номера
Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782621020123
Газизулина А.С.1, Насиров А.А.1, Небесный А.А.1, Парчинский П.Б.1, Kim Dojin2
1Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
2Chungnam National University, Taejon, Korea
Email: alice.galashina@gmail.com, aanasirov1962@mail.ru, nebesny-andrey@yandex.ru, pavelphys@mail.ru, dojin@cnu.ac.kr
Поступила в редакцию: 10 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 22 октября 2020 г.
Принята к печати: 22 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

Исследована температурная зависимость анизотропии магнитотранспортных свойств эпитаксиальных слоев GaMnAs, находящихся в состоянии ферромагнитного упорядочения. Показано, что в исследуемых слоях наблюдается анизотропия отрицательного магнетосопротивления, не связанная с наличием одноосной анизотропии и ориентацией оси жесткого намагничивания. Данная анизотропия может быть связана с наличием в слое GaMnAs пространственно-ориентированных структур, возникающих в объеме эпитаксиального слоя в процессе его роста. Ключевые слова: анизотропия, отрицательное магнетосопротивление, эпитаксиальные слои, ферромагнитное упорядочение.