Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние интенсивности ионизирующего облучения на отклик МОП-структур

DOI: 10.21883/FTP.2021.02.50502.9533

Переводная версия: 10.1134/S1063782621020068

Александров О.В.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: Aleksandr_ov@mail.ru

Поступила в редакцию: 8 октября 2020 г.

В окончательной редакции: 10 октября 2020 г.

Принята к печати: 19 октября 2020 г.

Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено моделирование влияния интенсивности ионизирующего облучения на объемный заряд и плотность поверхностных состояний МОП-структур с тонким подзатворным диоксидом кремния. Показано, что зависимости плотности поверхностных состояний и объемного заряда от суммарного времени ионизирующего облучения и последующей выдержки при разных интенсивностях ионизирующего облучения ложатся на соответствующие общие кривые N_it(t) и Q_ot(t). Общая кривая N_it(t) обусловлена дисперсионным характером транспорта ионов водорода H⁺. Наблюдаемые отклонения от общей кривой N_it(t) непосредственно после окончания ионизирующего облучения связаны с переходным процессом перераспределения ионов H⁺. Общая кривая Q_ot(t) обусловлена релаксацией объемного заряда по механизму термоэмиссии с системы уровней с энергиями 0.3-1.0 эВ. Показано, что повышенная чувствительность к малым дозам ионизирующего облучения (ELDRS) МОП-структур с толстым базовым оксидом при низких интенсивностях определяется дисперсионным характером транспорта ионов H⁺. Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП-структура, поверхностные состояния, объемный заряд, дисперсионный транспорт, моделирование.

D.M. Fleetwood. IEEE Trans. Nucl. Sci., 65 (8), 1465 (2018)
К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения (М., БИНОМ, 2012)
T.R. Oldham, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 483 (2003)
F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 27 (6), 1651 (1980)
E. Cartier, J.H. Stathis, D.A. Buchanan. Appl. Phys. Lett., 63 (11), 1510 (1993)
P.J. McWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37 (6), 1682 (1990)
В.А. Гуртов, П.А. Райкерус, А.А. Сарен. Зарядоперенос в структурах с диэлектрическими слоями (Петрозаводск, Изд-во ПетрГУ, 2010)
N.S. Saks, D.B. Brown. IEEE Trans. Nucl. Sci., 36 (6), 1848 (1989)
D.B. Brown, N.S. Saks. J. Appl. Phys., 70 (7), 3734 (1991)
D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, J.R. Schwank. IEEE Trans. Nucl. Sci., 35 (6), 1497 (1988)
M.R. Shaneyfelt, J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, K.L.Hughes, G.L. Hash, M.P. Connors. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39 (6), 2244 (1992)
R.L. Pease, R.D. Schrimpf, D.M. Fleetwood. IEEE Trans. Nucl. Sci., 56 (4), 1894 (2009)
S.C. Witczak, R.C. Lacoe, D.C. Mayer, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, K.F. Galloway. IEEE Trans. Nucl. Sci., 45 (6), 2339 (1998)
R.J. Graves, C.R. Cirba, R.D. Schrimpf, R.J. Milanowski, A. Michez, D.M. Fleetwood, S.C. Witczak, F. Saigne. IEEE Trans. Nucl. Sci., 45 (6), 2352 (1998)
S.N. Rashkeev, C.R. Cirba, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.C. Witczak, A. Michez, S.T. Pantelides. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49 (6), 2650 (2002)
H.P. Hjalmarson, R.L. Pease, R.A.B. Devine. IEEE Trans. Nucl. Sci., 55 (6), 3009 (2008)
J. Boch, F. Saigne, A.D. Touboul, S. Ducret, J.-F. Carlotti, M. Bernard, R.D. Schrimpf, F. Wrobel, G. Sarrabayrouse. Appl. Phys. Lett., 88, 232113 (2006)
О.В. Александров. ФТП, 49 (6), 793 (2015)
О.В. Александров. ФТП, 55 (10), 1029 (2020)
J. Noolandi. Phys. Rev. B, 16 (10), 4466, 4474 (1977)
R.C. Huges. Phys. Rev. Lett., 30, 1333 (1973)
R.C. Hughes. Phys. Rev. B, 15 (4), 2012 (1977)
J.M. Benedetto, H.E. Boesch. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1318 (1986)
V.I. Arkhipov, A.I. Rudenko. Phill. Mag. B, 45 (2), 189, 209 (1982)
S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron Dev., 14 (11), 749 (1967)
J.J. Tzou, J.Y.-C. Sun, C.-T. Sah. Appl. Phys. Lett., 43 (9), 861 (1983)
R.J. Krantz, L.W. Aukerman, T.C. Zietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., 34 (6), 1196 (1987)
H.E. Boesch, F.B. McLean, J.M. Benedetto, J.M. McGarrity. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1191 (1986)
A.J. Lelis, T.R. Oldham, H.E. Boesch, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 36 (6), 1808 (1989)
О.В. Александров. ФТП, 54 (2), 181 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель