"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов
государственное задание Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского , 0729-2020-0035
Волкова Е.В.1, Логинов А.Б. 2, Логинов Б.А. 3, Тарасова Е.А. 1, Пузанов А.С. 1, Королев С.А. 4, Семёновых Е.С.1, Хазанова С.В.1, Оболенский С.В. 1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ), Зеленоград, Москва, Россия
4Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: loginov.ab15@physics.msu.ru, b-loginov@mail.ru, tarasova@rf.unn.ru, puzanov@rf.unn.ru, pesh@ipm.sci-nnov.ru, khazanova@phys.unn.ru, obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

Исследуются электрофизические параметры и морфология поверхности структур n/n- GaAs с контактами Шоттки до и после воздействия нейтронов со средней энергией ~1 МэВ. Методом вольт-фарадных измерений определены изменения профилей концентрации и подвижности электронов в структурах. Методом атомно-силовой микроскопии выявлены возникающие при облучении кластеры радиационных дефектов, предложен комплексный подход к определению их параметров. Ключевые слова: GaAs-структура, контакты Шоттки, быстрые нейтроны.
  1. Т.М. Агаханян, Е.Р. Аствацатурьян, П.К. Скоробогатов. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах (М., Энергоатомиздат, 1989)
  2. Ф.Ф. Комаров. УФН, 187 (5), 465 (2017)
  3. Ф.Ф. Комаров. УФН, 173(12), 1288 (2003)
  4. C.В. Оболенский. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 7, 53 (2003)
  5. Е.А. Тарасова, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, Ю.Н. Свешников, В.И. Егоркин, В.А. Иванов, Г.В. Медведев, Д.С. Смотрин. ФТП, 50 (3), 331 (2016)
  6. A.B. Loginov, R.R. Ismagilov. J. Nanophotonics, 11 (3), 1 (2017)
  7. A.B. Loginov, R.R. Ismagilov, A.N. Obraztsov, I.V. Bozhev, S.N. Bokova-Sirosh, E.D. Obraztsova, B.A. Loginov. Appl. Surf. Sci., 494, 1030 (2019)
  8. Б.А. Логинов, П.Б. Логинов, В.Б. Логинов, А.Б. Логинов. Наноиндустрия, 12 (6) [92], 352 (2019)
  9. Р. Гонсалес, Р. Вудс. Цифровая обработка изображений (М., Техносфера, 2012)
  10. В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники (М., Физматгиз, 1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.