Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063782621010140 
Середин П.В.1,2, Голощапов Д.Л.1, Худяков Ю.Ю.1, Арсентьев И.Н.3, Николаев Д.Н.3, Пихтин Н.А.3, Слипченко С.О.3, Leiste Harald4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Karlsruhe Nano Micro Facility H.-von-Helmholtz-Platz 1 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Karlsruhe Nano Micro Facility H.-von-Helmholtz-Platz 1 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 3 сентября 2020 г.
В окончательной редакции: 10 сентября 2020 г.
Принята к печати: 10 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.
Цель работы заключалась в исследовании влияния нового типа податливых подложек на основе сверхструктурного слоя (SL) AlGaAs и слоя протопористого кремния (proto-Si), сформированного на c-Si, на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоя GaAs в методе MOCVD. Впервые показано, что низкотемпературный рост эпитаксиальных пленок GaAs высокого кристаллического качества может быть реализован за счет использования податливых подложек SL/proto-Si. Введение SL в состав податливой подложки в дополнение к proto-Si позволяет нивелировать ряд негативных эффектов низкотемпературного роста, снизить уровень напряжений в эпитаксиальном слое, защитить от автолегирования атомами кремния, сократить число технологических операций по росту переходных буферных слоев, улучшить структурные и морфологические характеристики эпитаксиального слоя. Ключевые слова: GaAs, Si, por-Si, сверхструктурный слой.
- A. Ballabio, S. Bietti, A. Scaccabarozzi, L. Esposito, S. Vichi, A. Fedorov, A. Vinattieri, C. Mannucci, F. Biccari, A. Nemcsis, L. Toth, L. Miglio, M. Gurioli, G. Isella, S. Sanguinetti. Sci. Rep., 9, (2019). doi: 10.1038/s41598-019-53949-x
- A.G. Taboada, T. Kreiliger, C.V. Falub, F. Isa, M. Salvalaglio, L. Wewior, D. Fuster, M. Richter, E. Uccelli, P. Niedermann, A. Neels, F. Mancarella, B. Alen, L. Miglio, A. Dommann, G. Isella, H. von Kanel. Appl. Phys. Lett., 104, 022112 (2014). doi: 10.1063/1.4861864
- Q. Li, K.W. Ng, K.M. Lau. Appl. Phys. Lett., 106, 072105 (2015). doi: 10.1063/1.4913432
- I. Prieto, R. Kozak, O. Skibitzki, M.D. Rossell, T. Schroeder, R. Erni, H. von Kanel. Small, 13, 1603122 (2017). doi: 10.1002/smll.201603122
- A. Ohtake, T. Mano, Y. Sakuma. Sci. Rep., 10, (2020). doi: 10.1038/s41598-020-61527-9
- Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, ed. by H.S. Nalwa (American Scientific Publishers, Stevenson Ranch, Calif, 2004)
- F. Schaffler. Semicond. Sci. Technol., 12, 1515 (1997). doi: 10.1088/0268-1242/12/12/001
- V. Sivadasan, S. Rhead, D. Leadley, M. Myronov. Semicond. Sci. Technol., 33, 024002 (2018). doi: 10.1088/1361-6641/aaa329
- P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, D.S. Zolotukhin. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostructures, 104, 101 (2018). doi: 10.1016/j.physe.2018.07.024
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostructures, 97, 218 (2018). doi: 10.1016/j.physe.2017.11.018
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, D.N. Nikolaev, A.V. Zhabotinskiy. Phys. B: Condens. Matter, 530, 30 (2018). doi: 10.1016/j.physb.2017.11.028
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, H. Leiste, M. Rinke. Appl. Surf. Sci., 476, 1049 (2019). doi: 10.1016/j.apsusc.2019.01.239
- A. Zunger. MRS Bull., 22, 20 (1997). doi: 10.1557/S0883769400033364
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 4607 (2010). doi: 10.1016/j.physb.2010.07.026
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015). doi: 10.1016/j.mssp.2015.05.067
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013). doi: 10.1016/j.apsusc.2012.09.053
- E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interface Anal., 38, 828 (2006). doi: 10.1002/sia.2306
- P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, Yu.Yu. Khudyakov, A.S. Lenshin, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, Т. Prutskij. Phys. B: Condens. Matter, 509, 1 (2017). doi: 10.1016/j.physb.2016.12.030
- T. Prutskij, P. Seredin, G. Attolini. J. Luminesc., 195, 334 (2018). doi: 10.1016/j.jlumin.2017.11.016
- Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors, 1st edn, ed. by Sadao Adachi (Wiley, Chichester, UK, 2009)
- P.V. Seredin, P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, T. Prutskij. Semiconductors, 47, 1 (2013). doi: 10.1134/S106378261301020X
- S. Laref, S. Me cabih, B. Abbar, B. Bouhafs, A. Laref. Phys. B: Condens. Matter, 396, 169 (2007). doi: 10.1016/j.physb.2007.03.033
- C.S. Wong, N.S. Bennett, B. Galiana, P. Tejedor, M. Benedicto, J.M. Molina-Aldareguia, P.J. Mc Nally. Semicond. Sci. Technol., 27, 115012 (2012). doi: 10.1088/0268-1242/27/11/115012
- D.K. Bowen, B.K. Tanner. High Resolution X-Ray Diffractometry and Topography (Taylor \& Francis, London-Bristol, PA, 1998)
- H. Fitouri, M.M. Habchi, A. Rebey. In: X-Ray Scatt., ed. by A.E. Ares (InTech, 2017) doi: 10.5772/65404
- V. Lashkaryov. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 16, 265 (2013). doi: 10.15407/spqeo16.03.265
- Characterization of Semiconductor Heterostructures and Nanostructures (Elsevier, 2008)
- V. Bellani, C. Bocchi, T. Ciabattoni, S. Franchi, P. Frigeri, P. Galinetto, M. Geddo, F. Germini, G. Guizzetti, L. Nasi, M. Patrini, L. Seravalli, G. Trevisi. Eur. Phys. J. B, 56, 217 (2007). doi: 10.1140/epjb/e2007-00105-8
- P.S. Dobal, H.D. Bist, S.K. Mehta, R.K. Jain. Semicond. Sci. Technol., 11, 315 (1996). doi: 10.1088/0268-1242/11/3/008
- G. Zhao, H. Li, L. Wang, Y. Meng, Z. Ji, F. Li, H. Wei, S. Yang, Z. Wang. Sci. Rep., 7, (2017). doi: 10.1038/s41598-017-04854-8
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 2694 (2010). doi: 10.1016/j.physb.2010.03.049
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
