Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 1 » Статья стр. 86
<<<
Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50394.9518
Переводная версия: 10.1134/S1063782621010140
Середин П.В.1,2, Голощапов Д.Л.1, Худяков Ю.Ю.1, Арсентьев И.Н.3, Николаев Д.Н.3, Пихтин Н.А.3, Слипченко С.О.3, Leiste Harald4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Karlsruhe Nano Micro Facility H.-von-Helmholtz-Platz 1 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 3 сентября 2020 г.
В окончательной редакции: 10 сентября 2020 г.
Принята к печати: 10 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.
PDF версия
Цель работы заключалась в исследовании влияния нового типа податливых подложек на основе сверхструктурного слоя (SL) AlGaAs и слоя протопористого кремния (proto-Si), сформированного на c-Si, на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоя GaAs в методе MOCVD. Впервые показано, что низкотемпературный рост эпитаксиальных пленок GaAs высокого кристаллического качества может быть реализован за счет использования податливых подложек SL/proto-Si. Введение SL в состав податливой подложки в дополнение к proto-Si позволяет нивелировать ряд негативных эффектов низкотемпературного роста, снизить уровень напряжений в эпитаксиальном слое, защитить от автолегирования атомами кремния, сократить число технологических операций по росту переходных буферных слоев, улучшить структурные и морфологические характеристики эпитаксиального слоя. Ключевые слова: GaAs, Si, por-Si, сверхструктурный слой.
  1. A. Ballabio, S. Bietti, A. Scaccabarozzi, L. Esposito, S. Vichi, A. Fedorov, A. Vinattieri, C. Mannucci, F. Biccari, A. Nemcsis, L. Toth, L. Miglio, M. Gurioli, G. Isella, S. Sanguinetti. Sci. Rep., 9, (2019). doi: 10.1038/s41598-019-53949-x
  2. A.G. Taboada, T. Kreiliger, C.V. Falub, F. Isa, M. Salvalaglio, L. Wewior, D. Fuster, M. Richter, E. Uccelli, P. Niedermann, A. Neels, F. Mancarella, B. Alen, L. Miglio, A. Dommann, G. Isella, H. von Kanel. Appl. Phys. Lett., 104, 022112 (2014). doi: 10.1063/1.4861864
  3. Q. Li, K.W. Ng, K.M. Lau. Appl. Phys. Lett., 106, 072105 (2015). doi: 10.1063/1.4913432
  4. I. Prieto, R. Kozak, O. Skibitzki, M.D. Rossell, T. Schroeder, R. Erni, H. von Kanel. Small, 13, 1603122 (2017). doi: 10.1002/smll.201603122
  5. A. Ohtake, T. Mano, Y. Sakuma. Sci. Rep., 10, (2020). doi: 10.1038/s41598-020-61527-9
  6. Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, ed. by H.S. Nalwa (American Scientific Publishers, Stevenson Ranch, Calif, 2004)
  7. F. Schaffler. Semicond. Sci. Technol., 12, 1515 (1997). doi: 10.1088/0268-1242/12/12/001
  8. V. Sivadasan, S. Rhead, D. Leadley, M. Myronov. Semicond. Sci. Technol., 33, 024002 (2018). doi: 10.1088/1361-6641/aaa329
  9. P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, D.S. Zolotukhin. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostructures, 104, 101 (2018). doi: 10.1016/j.physe.2018.07.024
  10. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostructures, 97, 218 (2018). doi: 10.1016/j.physe.2017.11.018
  11. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, D.N. Nikolaev, A.V. Zhabotinskiy. Phys. B: Condens. Matter, 530, 30 (2018). doi: 10.1016/j.physb.2017.11.028
  12. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, H. Leiste, M. Rinke. Appl. Surf. Sci., 476, 1049 (2019). doi: 10.1016/j.apsusc.2019.01.239
  13. A. Zunger. MRS Bull., 22, 20 (1997). doi: 10.1557/S0883769400033364
  14. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 4607 (2010). doi: 10.1016/j.physb.2010.07.026
  15. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015). doi: 10.1016/j.mssp.2015.05.067
  16. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013). doi: 10.1016/j.apsusc.2012.09.053
  17. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interface Anal., 38, 828 (2006). doi: 10.1002/sia.2306
  18. P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, Yu.Yu. Khudyakov, A.S. Lenshin, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, Т. Prutskij. Phys. B: Condens. Matter, 509, 1 (2017). doi: 10.1016/j.physb.2016.12.030
  19. T. Prutskij, P. Seredin, G. Attolini. J. Luminesc., 195, 334 (2018). doi: 10.1016/j.jlumin.2017.11.016
  20. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors, 1st edn, ed. by Sadao Adachi (Wiley, Chichester, UK, 2009)
  21. P.V. Seredin, P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, T. Prutskij. Semiconductors, 47, 1 (2013). doi: 10.1134/S106378261301020X
  22. S. Laref, S. Me cabih, B. Abbar, B. Bouhafs, A. Laref. Phys. B: Condens. Matter, 396, 169 (2007). doi: 10.1016/j.physb.2007.03.033
  23. C.S. Wong, N.S. Bennett, B. Galiana, P. Tejedor, M. Benedicto, J.M. Molina-Aldareguia, P.J. Mc Nally. Semicond. Sci. Technol., 27, 115012 (2012). doi: 10.1088/0268-1242/27/11/115012
  24. D.K. Bowen, B.K. Tanner. High Resolution X-Ray Diffractometry and Topography (Taylor \& Francis, London-Bristol, PA, 1998)
  25. H. Fitouri, M.M. Habchi, A. Rebey. In: X-Ray Scatt., ed. by A.E. Ares (InTech, 2017) doi: 10.5772/65404
  26. V. Lashkaryov. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 16, 265 (2013). doi: 10.15407/spqeo16.03.265
  27. Characterization of Semiconductor Heterostructures and Nanostructures (Elsevier, 2008)
  28. V. Bellani, C. Bocchi, T. Ciabattoni, S. Franchi, P. Frigeri, P. Galinetto, M. Geddo, F. Germini, G. Guizzetti, L. Nasi, M. Patrini, L. Seravalli, G. Trevisi. Eur. Phys. J. B, 56, 217 (2007). doi: 10.1140/epjb/e2007-00105-8
  29. P.S. Dobal, H.D. Bist, S.K. Mehta, R.K. Jain. Semicond. Sci. Technol., 11, 315 (1996). doi: 10.1088/0268-1242/11/3/008
  30. G. Zhao, H. Li, L. Wang, Y. Meng, Z. Ji, F. Li, H. Wei, S. Yang, Z. Wang. Sci. Rep., 7, (2017). doi: 10.1038/s41598-017-04854-8
  31. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 2694 (2010). doi: 10.1016/j.physb.2010.03.049

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme