Вышедшие номера
Вольт-амперная характеристика мощных диодных структур с резкой асимметрией инжектирующей способности эмиттеров
Тандоев А.Г.1, Мнацаканов Т.Т.1, Юрков С.Н.1
1Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
Email: mnatt@yandex.ru
Поступила в редакцию: 18 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2021 г.

Рассмотрены диодные структуры с сильной асимметрией инжектирующей способности эмиттеров. В рассматриваемых структурах отношение толщины базового слоя к амбиполярной диффузионной длине было ~1. При большой плотности тока сильная асимметрия инжектирующей способности переходов приводит к реализации, наряду с обычно учитываемыми диффузионным и квазинейтральным дрейфовым режимами переноса носителей заряда, к возникновению и реализации недавно обнаруженного режима DSQD (диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом). В работе показано, что с ростом плотности тока область, в которой реализуется квазинейтральный дрейфовый режим переноса носителей заряда, схлопывается. При этом на вольт-амперной характеристике диода возникает S-образный участок даже при сравнительно небольших значениях отношения W/L (W - толщина базового слоя, L - амбиполярная диффузионная длина). Ключевые слова: перенос носителей заряда в полупроводниках, мощные полупроводниковые диоды, вольт-амперная характеристика диода.