Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром
Кочман И.В.1, Михайлова М.П.1, Вейнгер А.И.1, Парфеньев Р.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: kochman@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 11 декабря 2020 г.
Принята к печати: 11 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 10 января 2021 г.
Впервые из спектров микроволнового поглощения в магнитном поле в структуре с квантовой ямой InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром выявлены осцилляции магнитосопротивления, обусловленные резонансным рассеянием двумерных электронов на акустических фононах. Индуцированные взаимодействием с акустическими фононами магнитофононные осцилляции магнитосопротивления проявляются в широком интервале температур 2.7-270 K и достигают максимума по амплитуде при 120 K. Рассматриваются электронные переходы между уровнями Ландау с энергией акустических фононов, равной энергии двумерных электронов в InAs с импульсом 2kF. Спектры магнитосопротивления получены на установке электронного парамагнитного резонанса на образцах квантовых ям InAs/GaSb с полуизолирующей подложкой без контактов. Ключевые слова: квантовая яма InAs/GaSb, инвертированный зонный спектр, магнитофононные осцилляции магнитосопротивления, акустические фононы.
- H. Kroemer. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostr., 20, 196 (2004)
- I. Knez, R.-R. Du, G. Sullivan. Phys. Rev. Lett., 107, 136603 (2011)
- M.J. Yang, C.H. Yang, B.R. Bennett, B.V. Shanabrook. Phys. Rev. Lett., 78, 4613 (1997)
- C. Liu, T.L. Hughes, X.-L. Qi, K. Wang, S.-C. Zhang. Phys. Rev. Lett., 100, 236601 (2008)
- I.A. Dmitriev, A.D. Mirlin, D.G. Polyakov, M.A. Zudov. Rev. Mod. Phys., 84, 1709 (2012)
- D.C. Tsui, T. Englert, A.Y. Cho, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 44, 341 (1980)
- P. Kumaravadivel, M.T. Greenaway, D. Perello, A. Berdyugin, J. Birkbeck, J. Wengraf, S. Liu, J.H. Edgar, A.K. Geim, L. Eaves, R. Krishna Kumar. Nature Commun., 10, 3334 (2019)
- M.A. Zudov, I.V. Ponomarev, A.L. Efros, R.R. Du, J.A. Simmons, J.L. Reno. Phys. Rev. Lett., 86, 3617 (2001)
- A.T. Hatke, M.A. Zudov, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 102, 086808 (2009)
- A. Firsov, V.L. Gurevich, R.V. Parfeniev, S.S. Shalyt. Phys. Rev. Lett., 12, 660 (1964)
- M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman, P.V. Semenikhin, K.V. Kalinina, R.V. Parfeniev, V.A. Berezovets, M.O. Safonchik, A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zikova, E. Hulicius. J. Nanophot., 10, 046013 (2016)
- A. Hospodkova, E. Hulicius, J. Pangrac, F. Dominec, M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman. J. Cryst. Growth, 464, 206 (2017)
- A.I. Veinger, A.G. Zabrodskii, T.V. Tisnek, G. Biskupski. Semiconductors, 32, 497 (1998)
- А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов. ФТП, 45, 1314 (2011)
- H. Linke, P. Omling, P. Ramvall, B.K. Meyer, M. Drechsler, C. Wetzel, R. Rudeloff, F. Scholz. J. Appl. Phys., 73, 7533 (1993)
- М.П. Михайлова, В.А. Березовец, Р.В. Парфеньев, Л.В. Данилов, М.О. Сафончик, A. Hospodkova, J. Pangrac, E. Hulicius. ФТП, 51, 1393 (2017)
- M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters (World Scientific, 1996)
- Н.С. Аверкиев, В.А. Березовец, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.И. Нижанковский, Р.В. Парфеньев, К.С. Романов. ФТП, 46, 2083 (2004)
- K. Nilsson, A. Zakharova, I. Lapushkin, S.T. Yen, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 74, 075308 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
