"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром
Кочман И.В.1, Михайлова М.П.1, Вейнгер А.И.1, Парфеньев Р.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kochman@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 11 декабря 2020 г.
Принята к печати: 11 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 10 января 2021 г.

Впервые из спектров микроволнового поглощения в магнитном поле в структуре с квантовой ямой InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром выявлены осцилляции магнитосопротивления, обусловленные резонансным рассеянием двумерных электронов на акустических фононах. Индуцированные взаимодействием с акустическими фононами магнитофононные осцилляции магнитосопротивления проявляются в широком интервале температур 2.7-270 K и достигают максимума по амплитуде при 120 K. Рассматриваются электронные переходы между уровнями Ландау с энергией акустических фононов, равной энергии двумерных электронов в InAs с импульсом 2kF. Спектры магнитосопротивления получены на установке электронного парамагнитного резонанса на образцах квантовых ям InAs/GaSb с полуизолирующей подложкой без контактов. Ключевые слова: квантовая яма InAs/GaSb, инвертированный зонный спектр, магнитофононные осцилляции магнитосопротивления, акустические фононы.
  1. H. Kroemer. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostr., 20, 196 (2004)
  2. I. Knez, R.-R. Du, G. Sullivan. Phys. Rev. Lett., 107, 136603 (2011)
  3. M.J. Yang, C.H. Yang, B.R. Bennett, B.V. Shanabrook. Phys. Rev. Lett., 78, 4613 (1997)
  4. C. Liu, T.L. Hughes, X.-L. Qi, K. Wang, S.-C. Zhang. Phys. Rev. Lett., 100, 236601 (2008)
  5. I.A. Dmitriev, A.D. Mirlin, D.G. Polyakov, M.A. Zudov. Rev. Mod. Phys., 84, 1709 (2012)
  6. D.C. Tsui, T. Englert, A.Y. Cho, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 44, 341 (1980)
  7. P. Kumaravadivel, M.T. Greenaway, D. Perello, A. Berdyugin, J. Birkbeck, J. Wengraf, S. Liu, J.H. Edgar, A.K. Geim, L. Eaves, R. Krishna Kumar. Nature Commun., 10, 3334 (2019)
  8. M.A. Zudov, I.V. Ponomarev, A.L. Efros, R.R. Du, J.A. Simmons, J.L. Reno. Phys. Rev. Lett., 86, 3617 (2001)
  9. A.T. Hatke, M.A. Zudov, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 102, 086808 (2009)
  10. A. Firsov, V.L. Gurevich, R.V. Parfeniev, S.S. Shalyt. Phys. Rev. Lett., 12, 660 (1964)
  11. M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman, P.V. Semenikhin, K.V. Kalinina, R.V. Parfeniev, V.A. Berezovets, M.O. Safonchik, A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zikova, E. Hulicius. J. Nanophot., 10, 046013 (2016)
  12. A. Hospodkova, E. Hulicius, J. Pangrac, F. Dominec, M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman. J. Cryst. Growth, 464, 206 (2017)
  13. A.I. Veinger, A.G. Zabrodskii, T.V. Tisnek, G. Biskupski. Semiconductors, 32, 497 (1998)
  14. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов. ФТП, 45, 1314 (2011)
  15. H. Linke, P. Omling, P. Ramvall, B.K. Meyer, M. Drechsler, C. Wetzel, R. Rudeloff, F. Scholz. J. Appl. Phys., 73, 7533 (1993)
  16. М.П. Михайлова, В.А. Березовец, Р.В. Парфеньев, Л.В. Данилов, М.О. Сафончик, A. Hospodkova, J. Pangrac, E. Hulicius. ФТП, 51, 1393 (2017)
  17. M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters (World Scientific, 1996)
  18. Н.С. Аверкиев, В.А. Березовец, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.И. Нижанковский, Р.В. Парфеньев, К.С. Романов. ФТП, 46, 2083 (2004)
  19. K. Nilsson, A. Zakharova, I. Lapushkin, S.T. Yen, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 74, 075308 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.