"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Одноэлектронный эмиссионно-инжекционный транспорт в микроструктуре с коллоидными квантовыми точками узкозонных полупроводников
РФФИ, 19-07-00087-а
Жуков Н.Д.1, Гавриков М.В.1,2, Кабанов В.Ф.2, Ягудин И.Т.1
1Общество с ограниченной ответственностью "НПП Волга", Саратов, Россия
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru, maks.gavrikov.96@gmail.com, v7021961@yandex.ru, invoker9000@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 8 декабря 2020 г.
Принята к печати: 18 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 10 января 2021 г.

Методом аппроксимации вольт-амперных характеристик коллоидных квантовых точек узкозонных полупроводников InSb и PbS показано, что в одноэлектронном режиме транспорт электронов в разных интервалах напряжения определяется одним из конкурирующих процессов - эмиссией из квантовой точки, инжекцией в нее и пролeтом в ней с ограничением тока пространственным зарядом. При напряжении >0.5 B для одиночных квантовых точек на вольт-амперных характеристиках наблюдались участки нестабильности и провала тока, подобные кулоновской щели. Качественные и числовые сравнительные оценки позволяют считать, что в структуре сегрегированного множества квантовых точек наблюдаются одноэлектронный транспорт и ограничение тока, подобное кулоновской блокаде. Воздействие светом при измерении вольт-амперных характеристик срывает или усиливает эффект, увеличивая или уменьшая ток в зависимости от спектра возбуждающего излучения. Ключевые слова: коллоидная квантовая точка, одноэлектронный транспорт, электронная эмиссия, электронная инжекция, конкурирующий электронный процесс, ограничение тока пространственным зарядом, кулоновская блокада, кулоновская щель.
  1. Е.С. Солдатов, В.В. Колесов. Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии, 4 (2), 71 (2012)
  2. A. Kurzmann, P. Stegmann, J. Kerski, R. Schott, A. Ludwig, A.D. Wieck, J. Konig, A. Lorke, M. Geller. Phys. Rev. Lett., 122, 247403 (2019)
  3. А.А. Щука. Наноэлектроника (М.,Физматкнига, 2007)
  4. Y. Imry.  Introduction to Mesoscopic Physics (N. Y., Oxford, 1997)
  5. B.О. Залунин. Автореф. канд. дис. (М., МГУ, 2012)
  6. В.В .Шорохов. Автореф. канд. дис. (М., МГУ, 2007)
  7. C. Wasshuber. Diss. (Wien, Technische Universitat Wien, 1997)
  8. С.А. Дагесян, В.В. Шорохов, Д.Е. Преснов, Е.С. Солдатов, А.С. Трифонов, В.А. Крупенин, О.В. Снигирев. Вестн. Моск. ун-та, 3 (5), 32 (2017)
  9. М.В. Максимов, А.Е. Жуков. [Электронный ресурс] URL -- http://wmw-magazine.ru/uploads/volumes/11/maksimov.pdf
  10. Н.Д. Жуков, М.В. Гавриков, Д.В. Крыльский. Письма ЖТФ, 46 (17), 47 (2020)
  11. Н.Д. Жуков, И.Т. Ягудин, Н.П. Абаньшин, Д.С. Мосияш. Письма ЖТФ, 46 (21), 40 (2020)
  12. Д.В. Крыльский, Н.Д. Жуков. Письма ЖТФ, 45 (16), 10 (2019)
  13. С.В. Дежуров, А.Ю. Трифонов, М.В. Ловыгин, А.В. Рыбакова, Д.В. Крыльский. Росс. нанотехнологии, 11 (5), 54 (2016)
  14. V.F. Kabanov, Y.E. Pereverzev, I.A. Gorbachev, M.V. Gavrikov, E.G. Glukhovskoy. 1st International Conference on Advanced Energy Materials, AEM 2016 (Guildford, England, 2016) v. 1, p. 40
  15. С.А. Рыков. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и нано-структур (СПб., Наука, 2001)
  16. Н.Д. Жуков, Д.С. Мосияш, И.В. Синёв, А.А. Хазанов, А.В. Смирнов, И.В. Лапшин. Письма ЖТФ, 43 (24), 72 (2017)
  17. Н.Д. Жуков, В.Ф. Кабанов, А.И. Михайлов, Д.С. Мосияш, А.А. Хазанов, М.И. Шишкин. ФТП, 52 (1), 83 (2018)
  18. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  19. Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской, А.А. Хазанов. ФТП, 50 (6), 772 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.