Методом аппроксимации вольт-амперных характеристик коллоидных квантовых точек узкозонных полупроводников InSb и PbS показано, что в одноэлектронном режиме транспорт электронов в разных интервалах напряжения определяется одним из конкурирующих процессов - эмиссией из квантовой точки, инжекцией в нее и пролeтом в ней с ограничением тока пространственным зарядом. При напряжении >0.5 B для одиночных квантовых точек на вольт-амперных характеристиках наблюдались участки нестабильности и провала тока, подобные кулоновской щели. Качественные и числовые сравнительные оценки позволяют считать, что в структуре сегрегированного множества квантовых точек наблюдаются одноэлектронный транспорт и ограничение тока, подобное кулоновской блокаде. Воздействие светом при измерении вольт-амперных характеристик срывает или усиливает эффект, увеличивая или уменьшая ток в зависимости от спектра возбуждающего излучения. Ключевые слова: коллоидная квантовая точка, одноэлектронный транспорт, электронная эмиссия, электронная инжекция, конкурирующий электронный процесс, ограничение тока пространственным зарядом, кулоновская блокада, кулоновская щель.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.