Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Подавление эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов

DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51141.9658

Алексеев Р.П.¹, Черных М.И.¹, Цоцорин А.Н.¹, Семейкин И.В.¹, Быкадорова Г.В.²

¹Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники", Воронеж, Россия Joint-stock company «Scientific research institute of electronic», Voronezh, Russia

Joint-stock company «Scientific research institute of electronic», Voronezh, Russia

²Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

Email: arp@niiet.ru

Поступила в редакцию: 5 апреля 2021 г.

В окончательной редакции: 12 апреля 2021 г.

Принята к печати: 12 апреля 2021 г.

Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен анализ электропараметров нового поколения СВЧ LDMOS-транзисторов, разработанных АО "НИИЭТ". Выявлено существенное подавление эффекта квазинасыщения переходной и выходной вольт-амперной характеристики по сравнению с приборами предыдущего поколения. Сравнение с прибором зарубежного производства показывает, что достигнутые результаты близки к мировому уровню. Ключевые слова: мощные СВЧ транзисторы, LDMOS-технология, квазинасыщение вольт-амперной характеристики.

S.J.C.H. Theeuwen, H. Mollee, R. Heeres, F. Van Rijs. EDI CON 2019 Beijing, April 2
B.K. Sampath, M. Shrivastava. IEEE Trans. Electron Dev., 65 (1), 191 (2018)
Р.П. Алексеев, А.Н. Цоцорин, Е.Н. Бормонтов, Г.В. Быкадорова. Электрон. техн., сер. 1, СВЧ-техника, 543 (4), 6 (2019)
Р.П. Алексеев, А.Н. Цоцорин, Е.Н. Бормонтов, Г.В. Быкадорова. Электрон. техн., сер. 1, СВЧ-техника, 543 (4), 15 (2019)
Р.П. Алексеев, А.Н. Цоцорин, М.И. Черных. Электроника НТБ, 00195 (4), 98 (2020)
Р.П. Алексеев, Е.Н. Бормонтов, Г.В. Быкадорова, А.Н. Цоцорин. В сб.: Радиолокация, навигация, связь. Матер. 24-й Междунар. науч.-техн. конф. (Воронеж, Изд-во Вэлборн, 2018) т. 5, с. 257
Сайт фирмы Ampleon [Электронный ресурс]. --- (https://www.ampleon.com) (дата обращения 31.03.2021)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель