"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Аспиранты, 20-38-90037
Верхолетов М.Г. 1, Прудаев И.А. 1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: verkhmaks@yandex.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 15 апреля 2021 г.
Принята к печати: 15 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.

Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорные EL2 центры и акцепторные уровни Cr. Исследованы структуры в трех конфигурациях: p-i-n-, n-i-n- и p-i-p-типов. Решалась система дифференциальных уравнений для температуры носителей заряда, уравнений Пуассона и непрерывности с использованием коммерческого пакета проектирования. Установлено, что выбор типа барьерного слоя позволяет контролировать однородность напряженности электрического поля в структурах. Показано, что наилучшей однородностью напряженности поля обладают структуры p-i-p-типа. Ключевые слова: детекторы ионизирующего излучения, фотоэлектрические коммутаторы, арсенид галлия, глубокие уровни, транспорт носителей заряда.
  1. A.V. Tyazhev, D.L. Budnitsky, O.B. Koretskay, V.A. Novikov, L.S. Okaevich, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov, A.P. Vorobiev. Nucl. Instr. Meth. A, 509, 34 (2003)
  2. M. Rogalla, K. Runge. Nucl. Instr. Meth. A, 434, 44 (1999)
  3. A. Cola, L. Reggiani, L. Vasanelli. Semicond. Sci. Technol., 12, 1358 (1997)
  4. Hanmin Zhao, P. Hadizad, Jung H. Hur, Martin A. Gundersen. J. Appl. Phys., 73, 1807 (1993)
  5. R.P. Joshi, P. Kayasit. J. Appl. Phys., 86, 3833 (1999)
  6. G.M. Loubriel, F.J. Zutavern, A. Mar, M.W. O'Malley, W.D. Helgeson, D.J. Brown, H.P. Hjalmarson, A.G. Baca. 11th IEEE Int. Pulsed Power Conf. (29 June-2 July, 1997, Baltimore, MD, USA)
  7. C.M. Buttar. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 395 (1), 1 (1997)
  8. D.S. McGregor, R.A. Rojeskia, G.F. Knolla, F.L. Terry, jr, J. East, Y. Eisen. Methods Phys. Res. A, 343, 527 (1994)
  9. R. Irsigler, R. Geppert, R. Goppert, J. Ludwig, M. Rogalla, K. Runge, Th. Schmid, M. Webel, C. Weber. Methods Phys. Res. B, 395 (1), 71 (1997)
  10. M. Alietti, C. Canali, A. Castaldini, A. Cavallini, A. Cetronio, C. Chiossi, S. D'Auria, C. del Papa, C. Lanzieri, F. Nava, P. Vanni. Methods Phys. Res. B, 362 (2-3), 344 (1995)
  11. I.A. Prudaev, S.N. Vainshtein, M.G. Verkholetov, V.L. Oleinik, V.V. Kopyev. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 57 (2021)
  12. K. Berwick, M. Brozel, C. Butiar, M. Cowperthwaite, Y. Hou. MRS Online. Proc. Library, 302, 363 (1993)
  13. И.А. Прудаев, М.Г. Верхолетов. Письма ЖТФ, 45 (11), 37 (2019)
  14. I.A. Prudaev, V.L. Oleinik, T.E. Smirnova, V.V. Kopyev, M.G. Verkholetov, E.V. Balzovsky, O.P. Tolbanov. IEEE Trans. Electron Dev., 65, 3339 (2018)
  15. Sentaurus Device User Guide. www.sentaurus.dsod.pl/manuals/data/sdevice\_ug.pdf
  16. И.А. Прудаев, М.Г. Верхолетов, А.Д. Королёва, О.П. Толбанов. Письма в ЖТФ, 44 (6), 465 (2018)
  17. V.Y. Prinz, S.N. Rechkunov. Phys. Status Solidi B, 118 (1), 159 (1983)
  18. D.S. McGregor, R.A. Rojeski, G.F. Knoll. J. Appl. Phys., 75, 7910 (1994)
  19. L.L. Bonilla, P.J. Hernando, M. Kindelan. Appl. Phys. Lett., 74, 988 (1999)
  20. F. Piazza, P. Christianen, J. Maan. Appl. Phys. Lett., 69, 1909 (1996)
  21. В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во Томск. ун-та, 1989) гл. 2, с. 67.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.