Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Аспиранты, 20-38-90037
Верхолетов М.Г.
1, Прудаев И.А.
1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
Email: verkhmaks@yandex.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 15 апреля 2021 г.
Принята к печати: 15 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.
Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорные EL2 центры и акцепторные уровни Cr. Исследованы структуры в трех конфигурациях: p-i-n-, n-i-n- и p-i-p-типов. Решалась система дифференциальных уравнений для температуры носителей заряда, уравнений Пуассона и непрерывности с использованием коммерческого пакета проектирования. Установлено, что выбор типа барьерного слоя позволяет контролировать однородность напряженности электрического поля в структурах. Показано, что наилучшей однородностью напряженности поля обладают структуры p-i-p-типа. Ключевые слова: детекторы ионизирующего излучения, фотоэлектрические коммутаторы, арсенид галлия, глубокие уровни, транспорт носителей заряда.
- A.V. Tyazhev, D.L. Budnitsky, O.B. Koretskay, V.A. Novikov, L.S. Okaevich, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov, A.P. Vorobiev. Nucl. Instr. Meth. A, 509, 34 (2003)
- M. Rogalla, K. Runge. Nucl. Instr. Meth. A, 434, 44 (1999)
- A. Cola, L. Reggiani, L. Vasanelli. Semicond. Sci. Technol., 12, 1358 (1997)
- Hanmin Zhao, P. Hadizad, Jung H. Hur, Martin A. Gundersen. J. Appl. Phys., 73, 1807 (1993)
- R.P. Joshi, P. Kayasit. J. Appl. Phys., 86, 3833 (1999)
- G.M. Loubriel, F.J. Zutavern, A. Mar, M.W. O'Malley, W.D. Helgeson, D.J. Brown, H.P. Hjalmarson, A.G. Baca. 11th IEEE Int. Pulsed Power Conf. (29 June-2 July, 1997, Baltimore, MD, USA)
- C.M. Buttar. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 395 (1), 1 (1997)
- D.S. McGregor, R.A. Rojeskia, G.F. Knolla, F.L. Terry, jr, J. East, Y. Eisen. Methods Phys. Res. A, 343, 527 (1994)
- R. Irsigler, R. Geppert, R. Goppert, J. Ludwig, M. Rogalla, K. Runge, Th. Schmid, M. Webel, C. Weber. Methods Phys. Res. B, 395 (1), 71 (1997)
- M. Alietti, C. Canali, A. Castaldini, A. Cavallini, A. Cetronio, C. Chiossi, S. D'Auria, C. del Papa, C. Lanzieri, F. Nava, P. Vanni. Methods Phys. Res. B, 362 (2-3), 344 (1995)
- I.A. Prudaev, S.N. Vainshtein, M.G. Verkholetov, V.L. Oleinik, V.V. Kopyev. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 57 (2021)
- K. Berwick, M. Brozel, C. Butiar, M. Cowperthwaite, Y. Hou. MRS Online. Proc. Library, 302, 363 (1993)
- И.А. Прудаев, М.Г. Верхолетов. Письма ЖТФ, 45 (11), 37 (2019)
- I.A. Prudaev, V.L. Oleinik, T.E. Smirnova, V.V. Kopyev, M.G. Verkholetov, E.V. Balzovsky, O.P. Tolbanov. IEEE Trans. Electron Dev., 65, 3339 (2018)
- Sentaurus Device User Guide. www.sentaurus.dsod.pl/manuals/data/sdevice\_ug.pdf
- И.А. Прудаев, М.Г. Верхолетов, А.Д. Королёва, О.П. Толбанов. Письма в ЖТФ, 44 (6), 465 (2018)
- V.Y. Prinz, S.N. Rechkunov. Phys. Status Solidi B, 118 (1), 159 (1983)
- D.S. McGregor, R.A. Rojeski, G.F. Knoll. J. Appl. Phys., 75, 7910 (1994)
- L.L. Bonilla, P.J. Hernando, M. Kindelan. Appl. Phys. Lett., 74, 988 (1999)
- F. Piazza, P. Christianen, J. Maan. Appl. Phys. Lett., 69, 1909 (1996)
- В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во Томск. ун-та, 1989) гл. 2, с. 67.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
