Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и "тыльным" отражателем
Малевская А.В.
1, Калюжный Н.А.
1, Малевский Д.А.
1, Минтаиров С.А.
1, Надточий А.М.
2, Нахимович М.В.1, Солдатенков Ф.Ю.
1, Шварц М.З.
1, Андреев В.М.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru, mintairov@scell.ioffe.ru, al.nadtochy@mail.ioffe.ru, NMar@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru, shvarts@scell.ioffe.ru, vmandreev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.
Поведены исследования инфракрасных светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии и имеющих множественные квантовые ямы InGaAs в области, генерирующей излучение. Разработаны постростовые приемы по удалению подложки GaAs и переносу гетероструктуры на инородный носитель с оптическим отражателем. Оптимизированы технологические режимы изготовления отражателя, и достигнуто увеличение коэффициента отражения инфракрасного излучения до 92-93%. Изготовлены светодиоды с внешней квантовой эффективностью 28.5%. Ключевые слова: светодиод, гетероструктуры AlGaAs/GaAs, квантовые ямы InGaAs, текстурирование, отражатели.
- Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, Б.В. Егоров, Б.В. Пушный, Л.Т. Чичуа. ФТП, 48 (4), 809 (1978)
- У. Бекирев, С. Бабенко, В. Крюков, Б. Потапов, А. Скипер. Электроника НТБ, 00137, 137 (2014)
- Электронный ресурс АО "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" https://www.niipp.ru/
- S. Ilelek, A. Plossol, K. Streubel, W. Wegleiter, R. Wirth. Patent US 2006/0180820 A1 (2006)
- https://www.epistar.com/EpistarEn/prodInfo
- Su-Chang Ahn, Byung-Teak Lee, Won-Chan An, Dae-Kwang Kim, In-Kyu Jang, Jin-Su So, Hyung-Joo Lee. Phys. Soc., 69 (1), 91 (2016)
- C.G. Van de Walle. Phys. Rev., 39, 1871 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
