"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и "тыльным" отражателем
Малевская А.В. 1, Калюжный Н.А. 1, Малевский Д.А. 1, Минтаиров С.А. 1, Надточий А.М. 2, Нахимович М.В.1, Солдатенков Ф.Ю. 1, Шварц М.З. 1, Андреев В.М. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru, mintairov@scell.ioffe.ru, al.nadtochy@mail.ioffe.ru, NMar@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru, shvarts@scell.ioffe.ru, vmandreev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.

Поведены исследования инфракрасных светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии и имеющих множественные квантовые ямы InGaAs в области, генерирующей излучение. Разработаны постростовые приемы по удалению подложки GaAs и переносу гетероструктуры на инородный носитель с оптическим отражателем. Оптимизированы технологические режимы изготовления отражателя, и достигнуто увеличение коэффициента отражения инфракрасного излучения до 92-93%. Изготовлены светодиоды с внешней квантовой эффективностью 28.5%. Ключевые слова: светодиод, гетероструктуры AlGaAs/GaAs, квантовые ямы InGaAs, текстурирование, отражатели.
  1. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, Б.В. Егоров, Б.В. Пушный, Л.Т. Чичуа. ФТП, 48 (4), 809 (1978)
  2. У. Бекирев, С. Бабенко, В. Крюков, Б. Потапов, А. Скипер. Электроника НТБ, 00137, 137 (2014)
  3. Электронный ресурс АО "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" https://www.niipp.ru/
  4. S. Ilelek, A. Plossol, K. Streubel, W. Wegleiter, R. Wirth. Patent US 2006/0180820 A1 (2006)
  5. https://www.epistar.com/EpistarEn/prodInfo
  6. Su-Chang Ahn, Byung-Teak Lee, Won-Chan An, Dae-Kwang Kim, In-Kyu Jang, Jin-Su So, Hyung-Joo Lee. Phys. Soc., 69 (1), 91 (2016)
  7. C.G. Van de Walle. Phys. Rev., 39, 1871 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.