"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb2Te3
Министерство образования и науки Российской Федерации, Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы, 14.578.21.0085 (RFMEFI57814X0085)
Шерченков А.А. 1, Козюхин С.А. 2, Лазаренко П.И. 1, Бабич А.В. 1, Богословский Н.А. 3, Сагунова И.В. 1, Редичев Е.Н. 1
1Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: aa_sherchenkov@rambler.ru, sergkoz@igic.ras.ru, aka.jum@gmail.com, drent@yandex.ru, nikitabogoslovskiy@gmail.com, sagunova@list.ru , jack_71@front.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик тонких пленок материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb2Te3: Ge2Sb2Te5, GeSb2Te4 и GeSb4Te7. Изучено влияние изменения состава по линии квазибинарного разреза на электрофизические характеристики и механизмы переноса тонких пленок. Установлено наличие трех диапазонов с различной зависимостью между током и напряжением. Оценено положение и концентрация энергетических уровней, контролирующих перенос носителей. Полученные результаты показывают, что электрофизические свойства тонких пленок могут существенно изменяться при движении вдоль линии квазибинарного разреза GeTe-Sb2Te3, что важно для целенаправленной оптимизации технологии фазовой памяти. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44096.8270
  1. G.W. Burr, M.J. Breitwisch, M. Franceschini, D. Garetto, K. Gopalakrishnan, B. Jackson, B. Kurdi, C. Lam, L.A. Lastras, A. Padilla, B. Rajendran, S. Raoux, R.S. Shenoy. J. Vac. Sci. Technol. B, 28 (2), 223 (2010)
  2. S. Raoux, W. We nic, D. Ielmini. Chem. Rev., 110, 240 (2010)
  3. N.F. Mott, E.A. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Materials. (Oxford. Clarendon Press, 1979)
  4. N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira, M. Takao. J. Appl. Phys., 69, 2849 (1991)
  5. С.А. Козюхин, А.А. Шерченков, Е.В. Горшкова и др. Неорг. матер., 45 (4), 408 (2009)
  6. M. Nardone, M. Simon, I.V. Karpov, V.G. Karpov. J. Appl. Phys., 112, 071101 (2012)
  7. P. Lazarenko, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, Y. Shtern, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, E.N. Redichev. SPIE Proc., 9440, 944006 (2014)
  8. Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 43 (10), 1378 (2009)
  9. Э.А. Лебедев, С.А. Козюхин, Н.Н. Константинова, Л.П. Казакова. ФТП, 43 (10), 1383 (2009)
  10. H.-S.P. Wong, S. Raoux, S.-B. Kim, J. Liang, J.P. Reifenberg, B. Rajendran, M. Asheghi, K.E. Goodson. Proc. IEEE, 98 (12), 2201 (2010)
  11. J.A. Dean. Lange's handbook of chemistry (15th edn) (McGraw-Hill Inc., 1999) p. 4.1--4.84
  12. С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, Х.Ф. Нгуен, В.В. Козик. Изв. вузов. Физика, 57 (7/2), 67 (2014)
  13. Y. Zhang, D. Ielminia. Appl. Phys. Lett., 90, 192102, (2007)
  14. Н. Мотт. Электроны в неупорядоченных структурах под ред. А.А. Бонч-Бруевича (М., Мир, 1967) с. 172
  15. S. Kozyukhin, A. Sherchenkov, A. Babich, P. Lazarenko, H.P. Nguyen, O. Prikhodko. Canadian J. Phys., 92 (7/8), 684 (2014)
  16. M.H. Brodskiy. Topics Appl. Phys., 36 (1979)
  17. A. Van der Plass, R.H. Bube. J. Non-Cryst. Sol., 24, 377 (1976)
  18. P. Nagels, R. Callaerts, M. Denayer. Proc. 5th Int. Conf. Amorphous and Liquid Semiconductors, eds J. Stuke, W. Brenig (Taylor and Francis, London, 1973)
  19. G. Nicolescu, I. O'Connor, C. Piguet. Springer, 339 (2012)
  20. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973) c. 656 [пер. с англ. под ред. А.Ф. Трутко]
  21. М. Ламперт. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) с. 416 [пер. с англ. под ред. С.М. Рывкина]
  22. A. Rose. Phys. Rev. 97 (6), 1538 (1955)
  23. L.F. Marsal, J. Pallare`s, X. Correig. Appl. Phys., 79 (11), 8493 (1996)
  24. А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова. ФТП, 45 (12), 1599 (2011)
  25. J. Weisfield. J. Appl. Phys., 54, 6401 (1983)
  26. Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров. ФТП, 43 (11), 1521 (2009)
  27. E. Prokhorov, J.J. Gervacio-Arciniega, G. Luna-Barcenas, Y. Kovalenko, F.J. Espinoza-Beltran, G. Trapaga. J. Appl. Phys., 113, 113705, (2013)
  28. J.M. Yahez-Limon, J. Gonzalez-Hernandez, J.J. Alvarado-Gil, I. Delgadillo, H. Vargas. Phys. Rev. B, 52 (23), 16321 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.