Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного Y

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44095.8129

Ромака В.А.^1,2, Rogl P.³, Ромака В.В.², Kaczorowski D.⁴, Крайовский В.Я.², Стаднык Ю.В., Горынь А.М.

¹Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, Lviv, Ukraine

Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, Lviv, Ukraine

²Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine

³Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия Institut für Physikalische Chemie, Universität Wien, Wien, Austria

⁴Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша Institute of Low Temperature and Structure Research, Academy of Sciences, Wroclaw, Poland

Institute of Low Temperature and Structure Research, Academy of Sciences, Wroclaw, Poland

Email: vromaka@polynet.lviv.ua

Поступила в редакцию: 15 марта 2015 г.

Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y, в диапазонах: T=80-400 K, N_A^Y~1.9·10²⁰-5.7²¹ см^-3 (x=0.01-0.30) и H≤10 кГс. Установлена природа механизма генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения ~1% атомов Ni из позиции Hf (4 a) и генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Hf в позиции 4 a атомами Y. Результаты расчета электронной структуры Hf_1-xY_xNiSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44095.8129

В.А.Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, Р.О. Корж, D. Kaczorowski, В.Я. Крайовський, О.И. Лах. Термоэлектрика, 2, 42 (2014)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
В.А. Ромака, P. Rogl, В.В. Ромака, D. Kaczorowski, Ю.В. Стаднык, Р.О. Корж, В.Я. Крайовский, Т.М. Ковбасюк. ФТП, 49 (3), 299 (2015)
В.В. Ромака, E.K. Hlil, О.В. Бовгира, Л.П. Ромака, В.М. Давидов, Р.В. Крайовський. Укр. физ. журн., 54 (11), 1120 (2009)
Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Киев, Наук. думка, 1979)
T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7, 378--381, 118 (2001)
M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculated electronic properties of metals (N.Y., Pergamon Press, 1978)
R. Ferro, A. Saccone. Intermetallic Chemistry (Amsterdam, Elsevier, 2008)
V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky. Intermetallics, 35, 45 (2013)
В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель