"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного Y
Ромака В.А.1,2, Rogl P.3, Ромака В.В.2, Kaczorowski D.4, Крайовский В.Я.2, Стаднык Ю.В., Горынь А.М.
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
Email: vromaka@polynet.lviv.ua
Поступила в редакцию: 15 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y, в диапазонах: T=80-400 K, NAY~1.9·1020-5.721 см-3 (x=0.01-0.30) и H≤10 кГс. Установлена природа механизма генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения ~1% атомов Ni из позиции Hf (4 a) и генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Hf в позиции 4 a атомами Y. Результаты расчета электронной структуры Hf1-xYxNiSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44095.8129
  1. В.А.Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, Р.О. Корж, D. Kaczorowski, В.Я. Крайовський, О.И. Лах. Термоэлектрика, 2, 42 (2014)
  2. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  3. В.А. Ромака, P. Rogl, В.В. Ромака, D. Kaczorowski, Ю.В. Стаднык, Р.О. Корж, В.Я. Крайовский, Т.М. Ковбасюк. ФТП, 49 (3), 299 (2015)
  4. В.В. Ромака, E.K. Hlil, О.В. Бовгира, Л.П. Ромака, В.М. Давидов, Р.В. Крайовський. Укр. физ. журн., 54 (11), 1120 (2009)
  5. Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Киев, Наук. думка, 1979)
  6. T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7, 378--381, 118 (2001)
  7. M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
  8. V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculated electronic properties of metals (N.Y., Pergamon Press, 1978)
  9. R. Ferro, A. Saccone. Intermetallic Chemistry (Amsterdam, Elsevier, 2008)
  10. V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky. Intermetallics, 35, 45 (2013)
  11. В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.