"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероэпитаксиальные структуры InAs1-xSbx на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb
US National Science Foundation, DMR1160843
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской Республики, EIF-2013-9(15)-46/06/1
Гусейнов Р.Р.1, Танрывердиев В.А.1, Kipshidze G.2, Алиева Е.H.1, Алигулиева Х.В.1, Абдуллаев Н.А.1, Мамедов Н.Т.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Stony Brook University, Stony Brook, New York, USA
Email: gela.kipshidze@stonybrook.edu, abnadir@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Получены нерелаксированные слои твердого раствора InAs1-xSbx (x=0.43 и 0.38) методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием градиентных буферных слоев GaInSb и AlGaInSb. Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается результатами исследований высокоразрешающей рентгеновской дифракции и микро-рамановского рассеяния. Выявлен двухмодовый тип перестройки фононных спектров твердых растворов InAs1-xSbx. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44351.8401
  1. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  2. Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 67, 7034 (1990)
  3. M.Y. Yen, R. People, K.W. Wecht, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 52, 489 (1988)
  4. S.P. Svensson, W.L. Sarney, H. Hier, Y. Lin, D. Wang, D. Donetsky, L. Shterengas, G. Kipshidze, G.L. Belenky. Phys. Rev. B, 86, 245205 (2012)
  5. E.A. Fitzgerald, Y.H. Xie, M.L. Green, D. Brasen, A.R. Kortan, J. Michel, Y.J. Mii, B.E. Weir. Appl. Phys. Lett., 59, 811 (1991)
  6. J. Tersoff. Appl. Phys. Lett., 62, 693 (1993)
  7. G.L. Belenky, D. Donetsky, G. Kipshidze, D. Wang, L. Shterengas, W.L. Sarney, S.P. Svensson. Appl. Phys. Lett., 99, 141116 (2011)
  8. M. Razeghi. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 23, 149 (2003)
  9. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  10. Y.B. Li, S.S. Dosandjh, I.T. Ferguson, A.G. Norman, A.G. de Oliveyra, R.A. Stradling, R. Zallen. Semicond. Sci. Technol., 7, 567 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.