Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния

DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44423.8458

Гращенко А.С.¹, Феоктистов Н.А.^1,2, Осипов А.В.^1,3, Калинина Е.В.², Кукушкин С.А.^1,3,4

¹Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: asgrashchenko@bk.ru, sergey.a.kukushkin@gmail. com

Поступила в редакцию: 22 ноября 2016 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены данные экспериментальных исследований фотоэлектрических характеристик структур кремний-карбид кремния, выращенных методом замещения атомов на подложках кремния ориентаций (100) и (111). Установлено, что максимальная эффективность преобразования солнечного света для гетероперехода кремний-карбид кремния (карбид кремния-кремний) составила 5.4%. С использованием теории образования дилатационных диполей при синтезе методом замещения атомов объяснен механизм формирования электрического барьера на границе раздела кремний-карбид кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44423.8458

A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. Патент на изобретение N2363067 (2008)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ, 50 (7), 1188 (2008)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ДАН, 444 (3), 266 (2012)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys., 113 (2), 4909 (2013)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313001 (2014)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 56, 1457 (2014)
A.С. Гращенко, С.A. Кукушкин, A.В. Oсипов. Письма ЖТФ, 40 (24), 53 (2014)
A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Mat. Phys. Mech., 24, 35 (2015)
А.П. Беляев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, В.П. Рубец, С.К. Гордеев, С.Б. Корчагина. Письма ЖТФ, 32 (10), 1 (2006)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.К. Гордеев, С.Б. Корчагина. Письма ЖТФ, 31 (20), 6 (2005)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Письма ЖТФ, 42 (4), 16 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель