"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
Байдакова Н.А.1, Вербус В.А.1,2, Морозова Е.Е.1, Новиков А.В.1,3, Скороходов Е.В.1, Шалеев М.В.1, Юрасов Д.В.1, Hombe A.4, Kurokawa Y.4, Usami N.4
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2НИУ "Высшая школа экономики", Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Nagoya University, Furocho, Chikusa-ku, 46 Nagoya, Japan
Email: anov@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 17 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

В работе для растворов КОН и HF:H2O2:CH3COOH исследована селективность травления SiGe-структур в зависимости от их состава. Полученные результаты предложено использовать для создания на кремнии субмикронного рельефа поверхности за счет селективного травления структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). В предлагаемом подходе наноостровки Ge(Si) служат маской для селективного травления Si в водном растворе KOH с добавлением изопропилового спирта, а затем удаляются с поверхности селективным травлением в HF:H2O2:CH3COOH. Экспериментально показано, что подобный подход позволяет создавать на кремнии субмикронный рельеф поверхности, который приводит к существенному уменьшению коэффициента отражения в широком спектральном диапазоне. Полагается, что предлагаемый метод создания рельефа поверхности может быть использован для повышения эффективности тонкопленочных солнечных элементов на основе кристаллического кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45170.33
  1. M.S.B. Castro, S. Barnola, B. Gluck. J. Integr. Circuits Systems, 8, 104 (2013)
  2. T.K. Carns, M.O. Tanner, K.L. Wang. J. Electrochem. Soc., 142, 1260 (1995)
  3. M. Stoffel, A. Malachias, T. Merdzhanova, F. Cavallo, G. Isella, D. Chrastina, H. von Kanel, A Rastelli, O.G. Schmidt. Semicond. Sci. Technol., 23, 085021 (2008)
  4. F. Sebaai, L. Witters, F. Holsteyns, K. Wostyn, J. Rip, Y. Yukifumi, R. Lieten, S. Bilodeau, E. Cooper. Sol. St. Phenomena, 225, 3 (2016)
  5. N. Usami, W. Pan, T. Tayagaki, S.T. Chu, J. Li, T. Feng, Y. Hoshi, T. Kiguchi. Nanotechnology, 23, 185401 (2012)
  6. Y. Hoshi, W. Pan, T. Kiguchi, K. Ooi, T. Tayagaki, N. Usami. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 080202 (2013)
  7. X. Liu, P.R. Coxon, M. Peters, B. Hoex, J.M. Cole, D.J. Fray. Energy Environ. Sci., 7, 3223 (2014)
  8. W.L. Bailey, M.G. Coleman, C.B. Harris, I.A. Lesk. US patent: 4137123 (1979)
  9. O. Aonuma, Y. Hoshi, T. Tayagaki, A. Novikov, D. Yurasov, N. Usami. Jpn. J. Appl. Phys., 54, 08KA01 (2015)
  10. B. Hollander, D. Buca, S. Mantl, J.M. Hartmann. J. Electrochem. Soc., 157, H643 (2010)
  11. A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami. 16th Intern. Conf. Nanotechnology ( IEEE NANO 2016) (Sendai, 2016) TuPM17
  12. A.V. Novikov, B.A. Andreev, N.V. Vostokov, Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasil'nik, D.N. Lobanov, L.D. Moldavskaya, A.N. Yablonskiy, M. Miura, N. Usami, Y. Shiraki, M.Ya. Valakh, N. Mesters, J. Pascual. Mater. Sci. Engin. B, 89, 62 (2002)
  13. K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
  14. D.F. Edwards. In: Handbook of optical constants of solids, ed. by E.D. Palik (Academic Press, 1998) v. 1, p. 552
  15. O. Powell, H.B. Harrison. J. Micromech. Microeng., 11, 217 (2001)
  16. K.P. Rola, I. Zubel. Mater. Sci. (Poland), 29, 278 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.