Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A^IIIB^V

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.44001.8355

Мусалинов С.Б.¹, Анзулевич А.П.¹, Бычков И.В.¹, Гудовских А.С.², Шварц М.З.³

¹Челябинский государственный университет, Челябинск, Россия Chelyabinsk State University, Chelyabinsk, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: shvarts@scell.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 20 июня 2016 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты моделирования методом матриц переноса двухслойного, TiO₂/SiO₂, и трехслойного, TiO₂/Si₃N₄/SiO₂, просветляющих покрытий для многопереходных гетероструктурных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. Экспериментально получено и оптимизировано двухслойное просветляющее покрытие TiO₂/SiO₂. С использованием экспериментальных спектральных зависимостей квантового выхода фотоответа солнечного элемента InGaP/GaAs/Ge и оптических характеристик просветляющих покрытий, полученных при моделировании, определены значения плотностей фототоков отдельных каскадов трехпереходного солнечного элемента для условий облучения AM1.5D (1000 Вт/м²), а также для случая отсутствия потерь на отражение. В рамках моделирования показано, что оптимизированное трехслойное просветляющее покрытие TiO₂/Si₃N₄/SiO₂ дает выигрыш в величине плотности фототока на 2.3 мА/см² (AM1.5D) для Ge-субэлемента по сравнению с рассматриваемым вариантом двухслойного просветляющего покрытия TiO₂/SiO₂, обеспечивая тем самым рост коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики и выходной электрической мощности многопереходного солнечного элемента. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8355

Minwoo Nam, Kangho Kim, Jaejin Lee, Kee-Keun Lee, Sang Sik Yang. Solar Energy, 91, 374 (2013)
M. Stan, D. Aiken, B. Cho, A. Cornfeld, V. Ley, P. Patel, P. Sharps, T. Varghese. J. Cryst. Growth, 312 (8), 1370 (2010)
P. Patel, D. Aiken, D. Chumney, A. Cornfeld, Y. Lin, C. Mackos, J. McCarty, N. Miller, P. Sharps, M. Stan. Proc. 38th IEEE PVSC (New Mexico, USA, 2012) p. 1
P. Patel, D. Aiken, A. Boca, B. Cho, D. Chumney, M.B. Clevenger, A. Cornfeld, N. Fatemi, Y. Lin, J. McCarty, F. Newman, P. Sharps, J. Spann, M. Stan, J. Steinfeldt, C. Strautin, T. Varghese. IEEE J. Photovoltaics, 2 (3), 377 (2012)
D. Friedman. Curr. Opin. Solid State Mater. Sci., 14 (6), 131 (2010)
R. King, D. Law, K. Edmondson, C. Fetzer, G. Kinsey, H. Yoon, D. Krut, J. Ermner, R. Sherif, N. Karam. Adv. OptoElectron., 2007, Article ID 29523 (2007). DOI: 10.1155/2007/29523
M. Born, E. Wolf. Principles of optics (Oxford-London- Edinburgh-N. Y.-Paris-Frankfurt, Pergamon Press, 1968) p. 66
J.R. Devore. J. Opt. Soc. Am., 41 (6), 416 (1951)
H.R. Philipp. J. Electrochem. Soc., 120 (2), 295 (1973)
I.H. Malitson. J. Opt. Soc. Am., 55 (10), 1205 (1965)
D.J. Aiken. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 64, 393 (2000)
G.R. Moriarty, J.T. Beechinor, M. Murtagh, P.V. Kelly, G.M. Crean, S.W. Bland. Thin Solid Films, 364 (1-2), 244 (2000)
J.B. Theeten, D.E. Aspnes, R.P.H. Chang. J. Appl. Phys., 49 (12), 6097 (1978)
D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27 (2), 985 (1983)
S.A. Mintairov, V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, N.Kh. Timoshina, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov. Semiconductors, 44 (8), 1084 (2010)
H. Yoon, M. Haddad, S. Mesropian, J. Yen, K. Edmondson, D. Law, R.R. King, D. Bhusari, A. Boca, N. Karam. Proc. 33rd IEEE PVSC (San Diego, California, USA, 2008) p. 82

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель