"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе AIIIBV
Мусалинов С.Б.1, Анзулевич А.П.1, Бычков И.В.1, Гудовских А.С.2, Шварц М.З.3
1Челябинский государственный университет, Челябинск, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shvarts@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Представлены результаты моделирования методом матриц переноса двухслойного, TiO2/SiO2, и трехслойного, TiO2/Si3N4/SiO2, просветляющих покрытий для многопереходных гетероструктурных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. Экспериментально получено и оптимизировано двухслойное просветляющее покрытие TiO2/SiO2. С использованием экспериментальных спектральных зависимостей квантового выхода фотоответа солнечного элемента InGaP/GaAs/Ge и оптических характеристик просветляющих покрытий, полученных при моделировании, определены значения плотностей фототоков отдельных каскадов трехпереходного солнечного элемента для условий облучения AM1.5D (1000 Вт/м2), а также для случая отсутствия потерь на отражение. В рамках моделирования показано, что оптимизированное трехслойное просветляющее покрытие TiO2/Si3N4/SiO2 дает выигрыш в величине плотности фототока на 2.3 мА/см2 (AM1.5D) для Ge-субэлемента по сравнению с рассматриваемым вариантом двухслойного просветляющего покрытия TiO2/SiO2, обеспечивая тем самым рост коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики и выходной электрической мощности многопереходного солнечного элемента. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8355
  1. Minwoo Nam, Kangho Kim, Jaejin Lee, Kee-Keun Lee, Sang Sik Yang. Solar Energy, 91, 374 (2013)
  2. M. Stan, D. Aiken, B. Cho, A. Cornfeld, V. Ley, P. Patel, P. Sharps, T. Varghese. J. Cryst. Growth, 312 (8), 1370 (2010)
  3. P. Patel, D. Aiken, D. Chumney, A. Cornfeld, Y. Lin, C. Mackos, J. McCarty, N. Miller, P. Sharps, M. Stan. Proc. 38th IEEE PVSC (New Mexico, USA, 2012) p. 1
  4. P. Patel, D. Aiken, A. Boca, B. Cho, D. Chumney, M.B. Clevenger, A. Cornfeld, N. Fatemi, Y. Lin, J. McCarty, F. Newman, P. Sharps, J. Spann, M. Stan, J. Steinfeldt, C. Strautin, T. Varghese. IEEE J. Photovoltaics, 2 (3), 377 (2012)
  5. D. Friedman. Curr. Opin. Solid State Mater. Sci., 14 (6), 131 (2010)
  6. R. King, D. Law, K. Edmondson, C. Fetzer, G. Kinsey, H. Yoon, D. Krut, J. Ermner, R. Sherif, N. Karam. Adv. OptoElectron., 2007, Article ID 29523 (2007). DOI: 10.1155/2007/29523
  7. M. Born, E. Wolf. Principles of optics (Oxford-London- Edinburgh-N. Y.-Paris-Frankfurt, Pergamon Press, 1968) p. 66
  8. J.R. Devore. J. Opt. Soc. Am., 41 (6), 416 (1951)
  9. H.R. Philipp. J. Electrochem. Soc., 120 (2), 295 (1973)
  10. I.H. Malitson. J. Opt. Soc. Am., 55 (10), 1205 (1965)
  11. D.J. Aiken. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 64, 393 (2000)
  12. G.R. Moriarty, J.T. Beechinor, M. Murtagh, P.V. Kelly, G.M. Crean, S.W. Bland. Thin Solid Films, 364 (1-2), 244 (2000)
  13. J.B. Theeten, D.E. Aspnes, R.P.H. Chang. J. Appl. Phys., 49 (12), 6097 (1978)
  14. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27 (2), 985 (1983)
  15. S.A. Mintairov, V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, N.Kh. Timoshina, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov. Semiconductors, 44 (8), 1084 (2010)
  16. H. Yoon, M. Haddad, S. Mesropian, J. Yen, K. Edmondson, D. Law, R.R. King, D. Bhusari, A. Boca, N. Karam. Proc. 33rd IEEE PVSC (San Diego, California, USA, 2008) p. 82

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.