Вышедшие номера
Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 14-12-01080
Министерство образования и науки Российской Федерации, Субсидия, 14.Z50.31.0034
Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание, 3.7331.2017/П220
Российский фонд фундаментальных исследований, офи_м (Конкурс 2016 года проектов ориентированных фундаментальных научных исследований по актуальным междисциплинарным темам, темы 603-608), 16-29-03294 офи_м
Галиев Г.Б.1, Пушкарёв С.С.1, Буряков А.М.2, Билык В.Р.2, Мишина Е.Д.2, Климов Е.А.1, Васильевский И.С.3, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Методом терагерцевой спектроскопии исследована эффективность генерации и детектирования ТГц-излучения в диапазоне до 3 ТГц пленками LT-GaAs, содержащими легирующие эквидистантные delta-слои Si и выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А. На поверхности пленок были изготовлены микрополосковые фотопроводящие антенны. Генерация ТГц-излучения происходила при облучении зазора антенны фемтосекундными оптическими лазерными импульсами. Показано, что интенсивность ТГц-излучения от фотопроводящей антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A в 2 раза больше, чем от такой же антенны на LT-GaAs/GaAs (100), а чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A как детектора ТГц-излучения в 1.4 раза превосходит чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (100). DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44347.8408