"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 14-12-01080
Министерство образования и науки Российской Федерации, Субсидия, 14.Z50.31.0034
Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание, 3.7331.2017/П220
Российский фонд фундаментальных исследований, офи_м (Конкурс 2016 года проектов ориентированных фундаментальных научных исследований по актуальным междисциплинарным темам, темы 603-608), 16-29-03294 офи_м
Галиев Г.Б.1, Пушкарёв С.С.1, Буряков А.М.2, Билык В.Р.2, Мишина Е.Д.2, Климов Е.А.1, Васильевский И.С.3, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Методом терагерцевой спектроскопии исследована эффективность генерации и детектирования ТГц-излучения в диапазоне до 3 ТГц пленками LT-GaAs, содержащими легирующие эквидистантные delta-слои Si и выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А. На поверхности пленок были изготовлены микрополосковые фотопроводящие антенны. Генерация ТГц-излучения происходила при облучении зазора антенны фемтосекундными оптическими лазерными импульсами. Показано, что интенсивность ТГц-излучения от фотопроводящей антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A в 2 раза больше, чем от такой же антенны на LT-GaAs/GaAs (100), а чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A как детектора ТГц-излучения в 1.4 раза превосходит чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (100). DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44347.8408
  • M. Venkatesh, K.S. Rao, T.S. Abhilash, S.P. Tewari, A.K. Chaudhary. Optical Mater., 36, 596 (2014)
  • Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, Ю.В. Федоров, А.С. Бугаев. Нано- и микросистемная техника, 6, 28 (2014)
  • Z. Liliental-Weber, W. Swider, K.M. Yu, J. Kortright, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 58 (19), 2153 (1991)
  • Z.-Liliental-Weber, H.J. Cheng, S. Gupta, J. Whitaker, K. Nichols, F.W. Smith. J. Electron. Mater., 22 (12), 1465 (1993)
  • M. Missous. Microelectronics J., 27, 393 (1996)
  • B. Grandidier, Huajie Chen, R.M. Feenstra, D.T. McInturff, P.W. Juodawlkis, S.E. Ralph. Appl. Phys. Lett., 74, 1439 (1999)
  • Patent US 8835853. Photoconductive element / Toshihiko Ouchi, Kousuke Kajiki; Canon Kabushiki Kaisha, Tokyo. Publication date 16.09.2014
  • J.-L. Coutaz, J.-F. Roux, A. Gaarder, S. Marcinkevicius, J. Jasinski, K. Korona, M. Kaminska, K. Bertulis, A. Krotkus. XI Intern. Semiconducting and Insulating Material Conference (Canberra, Australia, July 3--7, 2000) p. 89
  • P. Specht, S. Jeong, H. Sohn, M. Luysberg, A. Prasad, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, E.R. Weber. Mater. Sci. Forum, 258--263, 251 (1997)
  • Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, В.В. Сарайкин, Ю.В. Слепнев, Г.И. Шагимуратов, Р.М. Имамов, Э.М. Пашаев. ЖТФ, 71 (4), 47 (2001)
  • G. Galiev, V. Kaminskii, D. Milovzorov, L. Velihovskii, V. Mokerov. Semicond. Sci. Technol., 17 (2), 120 (2002)
  • Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, М.М. Грехов, С.С. Пушкарев, Д.В. Лаврухин, П.П. Мальцев. ФТП, 50 (2), 195 (2016)
  • P. Uhd Jepsen, R.H. Jacobsen, S.R. Keiding. J. Opt. Soc. Am. B, 13 (11), 2424 (1996)
  • Masahiko Tani, Shuji Matsuura, Kiyomi Sakai, Shin-ichi Nakashima. Appl. Optics, 36 (30), 7853 (1997)
  • S.P. Kovalev, G.Kh. Kitaeva. JETP Lett., 94 (2), 95 (2011)
  • C. Winnewisser, P. Uhd Jepsen, M. Schall, V. Schyja, H. Helm. Appl. Phys. Lett., 70, 3069 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.