Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V₂O₅

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.44004.8292

Никитин С.Е.¹, Нащекин А.В.¹, Терукова Е.Е.^1,2, Трапезникова И.Н.¹, Бобыль А.В.¹, Вербицкий В.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²ООО "НТЦ тонкоплeночных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия

Email: nikitin@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован процесс текстурирования поверхности монокристаллического кремния, окисленного под слоем V₂O₅. Интенсивное окисление кремния на границе Si-V₂O₅ начинается при температуре 903 K, что на 200 K ниже, чем при термическом окислении кремния в атмосфере кислорода. На границе V₂O₅-Si образуется слой диоксида кремния толщиной от 30-50 нм с включениями SiO₂ в кремний глубиной до 400 нм. Найдено значение коэффициента диффузии атомарного кислорода при 903 K через слой диоксида кремния (D≥2·10^-15 см²·с^-1). Предложена модель низкотемпературного окисления кремния, основанная на диффузии атомарного кислорода из V₂O₅ через слой SiO₂ к кремнию и возникновении преципитатов SiO_x в кремнии. После удаления слоев V₂O₅ и диоксида кремния на поверхности кремния образуется текстура, интенсивно рассеивающая свет в области длин волн 300-550 нм, что важно для текстурирования фронтальной и тыльной поверхностей солнечных фотопреобразователей. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8292

T. Mishina, M. Taguchi, H. Sakata, E. Maruyama. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 95, 18 (2010)
A. Chen, K. Zhu. Solar Energy, 86, 393 (2012)
M. Edwards, S. Bowden, U. Das, M. Burrows. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 92, 1373 (2008)
B. Vallejo, M. Gonzales-Manas, J. Martinez-Lopez, M.A. Caballero. Solar Energy, 81, 565 (2007)
J. Kegela, H. Angermann, U. Sturzebecher, E. Conrad, M. Mews, L. Korte, B. Stegemann. Appl. Surf. Sci., 301, 56 (2014)
M. Moreno, D. Murias, J. Martinez, C. Reyes-Betanzo, A. Torres, R. Ambrosio, P. Rosales, P. Roca i Cabarrocas, M. Escobar. Solar Energy, 101, 182 (2014)
И.Я. Миттова, Е.В. Томина, А.А. Лапенко, Б.В. Сладкопевцев. Наносистемы: физика, химия, математика, 3 (2), 116 (2012)
Термодинамические свойства неорганических веществ. Справочник, под ред. А.П. Зефирова (M., Атомиздат, 1965)
C. Navone, J.P. Pereira-Ramos, R. Baddour-Hadjean, R. Salot. Proc. Intern. Workshop Advanced Techniques for Energy Sources Investigation and Testing" (Sofia, Bulgaria, 2004). L5-1
A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella. J. Appl. Phys. 77, 4169 (1995)
А.И. Курносов, B.B. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (М., Высш. шк., 1986) гл. 7, с. 118
A. Kazor, R. Gwilliam, Ian W. Boyd. Appl. Phys. Lett. 65, 412 (1994)
Zh. Cui, J.M. Madsen, Ch.G. Takoudis. J. Appl. Phys. 87, 8181 (2000)
J.R. Wilson, M.E. Levis. Nature, 206, 1350 (1965)
J.D. Murphy, R.E. McGuire, K. Bothe, V.V. Voronkov, R.J. Falster. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 120, 402 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель