Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.44003.8293

Лундин В.В.¹, Родин С.Н.¹, Сахаров А.В.¹, Лундина Е.Ю.¹, Усов С.О.², Задиранов Ю.М.¹, Трошков С.И.¹, Цацульников А.Ф.^2,3

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Нитевидные микрокристаллические светодиодные структуры InGaN/GaN в геометрии ядро-оболочка длиной 400-600 мкм были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на сапфировых и кремниевых подложках. Использовалась технология сверхбыстрого роста нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированного нанослоем титана. При протекании тока наблюдалась электролюминесценция микрокристаллов в сине-зеленом спектральном диапазоне. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8293

J.-P. Ahl, H. Behmenburg, C. Giesen, I. Regolin, W. Prost, F.J. Tegude, G.Z. Radnoczi, B. Pecz, H. Kalisch, R.H. Jansen, M. Heuken. Phys. Status Solidi C, 8 (7--8), 2315 (2011)
Q. Li, G.T. Wang. Appl. Phys. Lett., 93, 043119 (2008)
S.D. Hersee, X. Sun, X. Wang. Nano Lett., 6, 808 (2006)
T. Schumann, T. Gotschke, F. Limbach, T. Stoica, R. Calarco. Nanotechnology, 22 (9), 095603 (2011)
M.A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Monroy, F.J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz, R. Beresford. J. Cryst. Growth, 183 (1-2), 23 (1998)
V. Consonni, V.G. Dubrovskii, A. Trampert, L. Geelhaar, H. Riechert. Phys. Rev. B, 85, 155313 (2012)
М.М. Рожавская, В.В. Лундин, Е.Ю. Лундина, А.В. Сахаров, С.И. Трошков, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов. Письма ЖТФ, 40 (9), 17 (2014)
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, E.Yu. Lundina, V.Yu. Davydov, S.I. Troshkov, A.A. Vasilyev, P.N. Brunkov, A.V. Baklanov, A.F. Tsatsulnikov, V.G. Dubrovskii. J. Appl. Phys., 117, 024301 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель