"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Простая модель оже-транзистора
Остроумова Е.В.1, Рогачев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

В квазиклассическом приближении построена модель оже-транзистора, имеющего в основе МДП структуру с туннельно-тонким слоем диэлектрика (Al-SiO2-n-Si). Транзистор имеет двухслойный эмиттер и квантово-размерную базу, индуцированную внешним электрическим полем. Существенную часть своей энергии (до 0.7 эВ) инжектированные электроны получают в результате разогрева при прохождении над квантовым самосогласованным колодцем для дырок на поверхности кремния, что позволяет достичь порога ударной ионизации при меньших напряжениях на окисле. Глубина квантового колодца вычислена в приближении Хартри с учетом обменной и корреляционных поправок. Туннельные токи электронов и дырок вычислены в квазиклассическом приближении. Вольт-амперные характеристики оже-транзистора построены с учетом зависимости коэффициента ударной ионизации от энергии электронов. Сравнение теоретических вольт-амперных характеристик оже-транзистора с экспериментальными дает хорошее совпадение.
  1. Y.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., \bf 29, 287 (1986)
  2. M.K. Moravvej-Farshi, M.A. Green. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf EDL-7, 513 (1986)
  3. M.A. Green, R.B. Godfrey. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf EDL-4, 225 (1983)
  4. C.L. Shieh, S. Wagner. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf EDL-4, 228 (1983)
  5. M.Chu. Kan, D.L. Pulfrey. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf 35, 188 (1988)
  6. M.Chu. Kan, D.L. Pulfrey. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf 35, 1656 (1988)
  7. И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, \bf 17, 44 (1991)
  8. T. Yoshimoto, K. Matsumoto, K. Sakamoto, T. Sakata. Japan. J. Appl. Phys., \bf 30, L2012 (1991)
  9. T. Yoshimoto, K. Suzuki. Japan. J. Appl. Phys., \bf 32, p. II, L180 (1993)
  10. И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин, М.И. Векслер. ФТП, \bf 27, 88 (1993)
  11. А. Милнс, Д. Фойхт. В кн.: \it Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975) с. 45
  12. И.В. Грехов, Е.В. Остроумова. Письма ЖТФ, 12, 1209 (1986)
  13. J.R. Chelikowsky, M. Schluter. Phys. Rev. B., \bf 15, 4020 (1977)
  14. D.S. Comporese, D.L. Pulfrey. J. Appl. Phys., \bf 57, 373 (1985)
  15. S. Jain, W. Dahlke. Sol. St. Electron., \bf 29, 597 (1986)
  16. З. Флюгге. \it Задачи по квантовой механике (М., Мир, 1974) ч. II
  17. Е.О. Кейн. \it Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973) с. 9
  18. М.И. Векслер, И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, \bf 18, 1 (1992)
  19. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. \it Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  20. W. Shockley. Sol. St. Electron., 2, 35 (1961)
  21. W.E. Drummond, J.L.Moll. J. Appl. Phys., \bf 42, 5556 (1971)
  22. N. Sano, M. Tomizawa, A. Yoshii. Japan. J. Appl. Phys., \bf 30, 3662 (1991)
  23. Chang Chi, Ch. Hu, R.W. Brodersen. J. Appl. Phys., \bf 57, 302 (1985)
  24. A.G. O'Neill. Sol. St. Electron., 29, 305 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.