"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические и электрические свойства слоев a-Si 1- xC x:H, перспективных для электрофотографических применений
Кудоярова В.Х.1, Теруков Е.И.1, Трапезникова И.Н.1, Виолина Г.Н.1, Елькина Н.В.1, Каваляускас Р.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Проведено комплексное исследование оптических, структурных и электрических свойств слоев аморфного гидрогенизированного карбида кремнияa-Si1-xCx:H в диапазоне составов, соответствующих 0<x<0.5, приготовленного из смесей CH4+SiH4+Ar/H2 в плазме высокочастотного тлеющего разряда. Исследование этих твердых растворов проводится с целью их использования в электрофотографии. Показано, что аморфный гидрогенизированный карбид кремния может быть использован в многослойных электрофотографических слоях в качестве блокирующего слоя (что дает возможность осуществить бизарядный режим записи информации), пассивирующего слоя (что позволяет улучшить процесс накопления заряда на поверхности), слоя переноса заряда. В работе оптимизированы режимы получения a-Si1-xCx:H для каждого из слоев, а также осуществлена приборная (практическая) реализация полученных результатов, т. е. получены электрофотографические оттиски.
  1. I. Shimizu. \it Semiconductors and Semimetals (1984) v. 21, part D, p. 55
  2. Р. Шафферт. Электрофотография (М., Мир, 1968) с. 20
  3. N. Jamamoto, Y. Nakayama, K. Wakita, M. Nakano, T. Kawama. Japan. J. Appl. Phys., Suppl. \bf 20--1, 305 (1981)
  4. K. Wakita, et al. Photogr. Sci. Eng., 26, 183 (1982)
  5. J.C. Knights, R.A. Lujan, R.A. Street, D.K. Biegelson. Appl. Phys. Lett., \bf 38, 331 (1981)
  6. I. Shimizu, T. Komatsu. Photogr. Sci. Eng., \bf 24, 251 (1980)
  7. I. Shimizu, T. Komatsu, K. Saito, E. Inoue. J. Non-Cryst. Sol., \bf 35--36, 773 (1980)
  8. Y. Nakayama, S. Akita, K. Wakita, M. Nakano, T. Kawamura. Electrophotopraphy, \bf 27, 41 (1988)
  9. Н.В. Елькина, Р.А. Каваляускас, В.И. Марахонов, В.В. Жданова, Е.И. Теруков. \it Тез. докл. совещ. сем. "Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе a-Si" (Одесса, 1989) с. 48
  10. В.Х. Кудоярова, Р.А. Каваляускас, О.И. Коньков, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, И.В. Шведков. \it Тез. докл. межд. конф. по электрофотографии (М., 1991) с. 46
  11. Л.А. Балагуров, Н.Ю. Карпова, О.Е. Коробов, А.Н. Лупачева, П.Н. Морозкин, Н.Б. Смирнов. \it Тез. докл. межд. конф. по электрофотографии (М., 1991) с. 95
  12. Г.С. Грешинин. \it Электрофотографический процесс (М., Наука, 1970) с. 277
  13. H. Schanks, C.J. Fang, L. Ley, M. Cardona, F.J. Demond, S. Kalbitzer. Phys. St. Sol. (b), \bf 100, 43 (1980)
  14. V.Kh. Kudoyarova, G.M. Gusinsky, L.A. Rassadin, I.V. Kudryavtsev. Appl. Surf. Sci., \bf 50, 173 (1991)
  15. H. Weider, M. Cardona, C.R. Guarnieri. Phys. St. Sol. (b), \bf 92, 99 (1979)
  16. K. Nakazawa, S. Veda, M. Kumeda, A. Marimoto, T. Scimizu. Japan. J. Appl. Phys., \bf 21, L176 (1982)
  17. G.M. Gusinskii, I.V. Kudryavtsev, V.Kh. Kudoyarova, V.O. Naidenov, L.A. Rassadin. Semicond. Sci. Techn., \bf 7, 881 (1992)
  18. J. Bullot, M.P. Schmidt. Phys. St. Sol. (b), \bf 143, 345 (1987)
  19. G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 29, 571 (1979)
  20. A. Skumanich, A. Frova, N.M. Amer. Sol. St. Commun., \bf 54, 597 (1985)
  21. D. Della Sala, P. Fiorini, A. Frova, A. Gregori, A. Skumanich, N.M. Amer. J. Non-Cryst. Sol., \bf 77/78, 853 (1985)
  22. N.F. Mott, E.A. Devis. Phil. Mag., 22, 903 (1970)
  23. J.P. Gerault, R. Moraucho, G. Constant, Phil. Mag. B, \bf 49, 11 (1984)
  24. R. Carius, K. Jahn, W. Sielbert, W. Fuhs. J. Luminesc., \bf 31/32, 354 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.