"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Естественный фотоплеохроизм диодных структур из CuInSe 2
Боднарь И.В.1,2, Вайполин А.А.1,2, Рудь В.Ю.1,2, Рудь Ю.В.1,2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Представлены результаты поляризационных измерений оптического пропускания однородных монокристаллов p-CuInSe2 и фоточувствительности диодных структур In-p-CuInSe2, Cu-p-CuInSe2, n-CdS-p-CuInSe2. Положительный знак коэффициентов фотоплеохроизма и плеохроизма позволяет считать, что верхняя зона в CuInSe2 имеет симметрию Gamma7 и оптические переходы с наименьшей энергией преобладают в поляризации E|| c, как и в случае соединений II-IV-V2 со сжатой вдоль [001] решеткой халькопирита.
  1. \it Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications, ed. by T.J. Coutts, L.L. Kazmerski, S. Wagner (Elsevier, Amsterdam, 1986)
  2. J.L. Shay, J.H. Wernick. \it Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications (Pergamon Press, Oxford, 1975)
  3. Г.К. Аверкиева, Г.А. Медведкин, А.А. Яковенко. ФТП, \bf 17, 2081 (1983)
  4. Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Препринт N 1272 ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР (Л., 1988)
  5. Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика, 29, 68 (1986)
  6. А.В. Лунев, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров, Ю.Н. Ундалов. Препринт N 1147 ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР (Л., 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.